教案1(3.1-3.3.2)

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1、第三章 门电路(四次课),本章学习思路:了解内部结构特点,掌握功能及外部特性,掌握各种特性曲线及应用,熟悉各种参数,掌握连接规律并能定性判断电路功能。,3.1 概述(注意概念)3.2 半导体二极管门电路3.3 CMOS门电路 CMOS反相器的电路结构和工作原理; 静态输入特性和输出特性; 其他类型的CMOS门电路3.5 TTL门电路 TTL反相器的电路结构、工作原理、电压传输特性; 静态输入特性、输出特性和输入端负载特性; 其他类型的TTL门电路,掌握门电路概念、类型及逻辑体制的概念,3.1 概述,一、门电路:用以实现逻辑关系的单元电路,与基本逻辑关系相对应。,常见门电路:与门、或门、非门、与

2、非门、或非门、异或门等。,三、正负逻辑体制概念: 在电子电路中,用高低电平表示0和1两种逻辑状态。正逻辑:高电平对应“1”;低电平对应“0”。负逻辑:高电平对应“0”;低电平对应“1”。,二、类型:,分立元件门电路:,二极管门电路,双极型、单极型及混合型,集成门电路:,注意:在数字电路中,电压值具体为多少不重要,只要能判断高低电平即可。,正与非门的真值表,负或非门的真值表,正与非门与负或非门相对应,一般采用正逻辑体制,一、半导体二极管的开关特性,一个二极管,具有单向导电性。外加正向电压时导通,相当于开关闭合;外加反向电压时截止,相当于开关断开。正向导通压降:硅管0.7V,锗管0.3V。,3.2

3、 半导体二极管门电路,高电平:VIH=VCC低电平:VIL=0,vI=VIH D截止,vO=VOH=VCCvI=VIL D导通,vO=VOL=0.7V,设VCC = 5V加到A,B的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时 VDF=0.7V,二、二极管门电路,1、二极管与门,设VCC = 5V加到A,B的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时 VDF=0.7V,2、二极管或门,F=A+B,二极管门电路缺点:存在电平偏移;带负载能力差。,适用场合:IC电路的内部逻辑单元,3.3 CMOS门电路,3.3.1 MOS管开关电路知识回顾 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构及

4、工作原理 二、电压、电流传输特性曲线 三、噪声容限 3.3.3 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 一、输入端保护措施和输入特性 二、输出特性,3.3.5 其它类型的CMOS门电路,3.3.6 CMOS门电路的特点及正确使用,1、NMOS反相器及开关特性,(1)vI VGS(th)N且VDS较小时,工作在可变电阻区。,若RDRON,则VOL0,(2)vI VGS(th)N且VDS较大时,MOS工作在恒流区,此时,iD与VDS无关,VGS越大,RON越小,开启电压 VGS(th)N,VGS(th)N 0,2、PMOS管开关特性,开启电压VGS(th)P | VGS(th) P|时,MOS管导

5、通。,(2) 当| VGS | | VGS(th) P|且 | VDS | 较大时,工作在恒流区,(3) 当| VGS | | VGS(th) P|且 | VDS | 较小时,工作在可变电阻区,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,一、电路结构及工作原理,(Complementary -Symmetry MOS),工作原理:,vi=0时:VGS1= VDD , VGS2=0, T1导通、T2截止,vO= VDD vi= VDD时:VGS2=VDD, VGS1=0 T2导通、T1截止, vO=0,令VDD|VGS(th)P|+VGS(th)N,二、电压、电流传输特性曲线,1、电压传输特

6、性曲线,AB段:vi VDDVTP T1截止,T2导通 vOVOL0,VDD VTN+VTP且VTN=VTPVTN即VGS(th)N VTP即VGS(th)P,二、电压、电流传输特性曲线,1、电压传输特性曲线,VDD VTN+VTP且VTN=VTP,BC段:VTNvi RON1,设T1导通内阻为RON1 , T2导通内阻RON2 :,在BC段, RON1 RON2,当 时,RON2 = RON1,2、电流传输特性曲线,AB段:T1导通,T2截止,iD0;,CD段:T2导通,T1截止,iD0;,BC段:T1、T2均导通,iD0且在vI=VDD时,iD最大。,注意:使用CMOS器件时,不应使之长期

7、工作在电流传输特性的BC段,以防止器件因功耗过大而损坏。,三、输入噪声容限,输入端噪声容限:在保证输出高低电平基本不变(或者说变化的大小不超过允许限度)的条件下,输入电平允许的波动范围。,输入端为高(低)电平时的噪声容限VNH( VNL ):在保证输出为低(高)电平的条件下,输入电平允许的向下(上)的波动范围。,思考:对单级门,如何求输入端噪声容限?,VNH=VIHVIH(min)=,VNL=VIL(max)VOL=,理想情况下,以阈值电压为分界线,则:,设VIL=0, VIH=VDD;VOH=VDD, VOL0 ; 则对门本身而言,,当前级门带动同类型的后级门时,有:,VNH=VOHVIH(

8、min)=,VNL=VIL(max)VIL=,3.3.3 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性,一、输入端保护措施和输入特性,1、输入端保护电路,二极管压降为VDF =0.7V,2、输入特性,当0vI VDD+ VDF时,D1导通;当vI VDF时,D2导通;,二、输出特性,1、低电平输出,(1)VOLIOLRON 随着IOLVOL,(2)在同一IOL下, VDDRONVOL,低电平输出特性为:,2、高电平输出,(2)在同一IOH下, VDDRONVOH,(1)VOHVDDIOHRON随着IOHVOH略有降低,高电平输出特性为:,小结,1、逻辑门及逻辑体制的概念; 2、二极管开关特性及二极管与门、或门电路;3、CMOS 反相器的电路结构及工作原理;4、 CMOS反相器的电压及电流传输特性曲线; 5、 CMOS反相器的阈值电压及噪声容限的概念;6、 CMOS反相器的静态输入、输出特性曲线。,下次讲:3.3.33.3.53.5.1,作业: 3.1,

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