《高效率3.3伏和1.2伏双路输出降压dcdc芯片》由会员分享，可在线阅读，更多相关《高效率3.3伏和1.2伏双路输出降压dcdc芯片（8页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、GM2102 第 1页共 8页 双路降压转换器双路降压转换器芯片芯片 GM2102 1、产品简介、产品简介 GM2102 是一款宽输入范围、 高效降 压转 FCOT 换器芯片，3.3V 输出可提 供最大 120mA 电流，1.2V 输出最大 可提供 120mA 电流。其独创 FCOT 技术， 减少了外围器件和增加了可靠 性在典型负载下可达到最大 88%效 率，其内置 EMI 抑制电路，有非常 低的 EMI 噪声，能够满足内置天线 的 NBIOT 以及 LoRa 等无线小模块对 周边 EMI 要求。 2、应用范围、应用范围 工业应用 智能电网 智能家居 水表、气表集抄 3、特色、特色 工作电压：
2、528V ESD HBM 4KV 典型负载下有 88%系统效率 低 EMI 设计，非常适合内置天线 小功率无线系统 4、封装类型、封装类型 EMSOP8 Version1.02018 年 4 月 1 日 双路降压转换器芯片双路降压转换器芯片GM2102 第 2页共 8页 5、功能引脚定义、功能引脚定义 序号名称说明 1VIN电源输入 2EN使能 3SW11.2V 开关管端口 4VFB11.2V 反馈 5GND地 6V3P31.2V DCDC 输入电压端口 7VFB33.3V 反馈 8SW33.3V 开关管端口 6、典型应用、典型应用电路电路 图 1 典型应用电路图 7、极限参数、极限参数 符号
3、说明大小单位 VIN最大电源电压30V SW33.3V 开关管端口电压GND-0.328V SW11.2V 开关管端口电压GND-0.35.5V VFB11.1V 反馈电压GND-0.35.5V VFB33.3V 反馈电压GND-0.35.5V 双路降压转换器芯片双路降压转换器芯片GM2102 第 3页共 8页 V3P33.3V 电压GND-0.35.5V EN使能电压GND-0.35.5V Tj最大结温170 ja热阻40/W Tstg储存温度-60160 Pd1最大消耗功率（SOT23-5）0.5W ESDHBM4000V 8、电气特性电气特性 直流直流特性特性(VIN =12V，L=3.
4、3uH, TA = +25，除非特别注明) 参数符号条件最小典型最大单位 供电电压VIN71228V 空载工作电流IQ400800A FB 反馈电压 VFB31.11.171.25V VFB10.650.700.75V FB 输入电流 VFB3000nA VFB1000nA 开关频率FSW3.3uH 电感，负载电流 120mA600KHZ UVLO VIN=12V Vin=3.3V 12 to 3.3 dcdc 3.3 to 1.1 dcdc 5 2.8 V UVLO_HYS0.1V 使能电压EN2.55V 使能迟滞EN_HYS3V 使能上拉电阻85KR 关断静态电流IQD500u 开关导通时
5、间TON VIN=12V ,VOUT=3.3V VIN=3.3V,VOUT=1.1V 350 500 nS 开关电阻Ron SW3 SW1 500 300 mR mR 双路降压转换器芯片双路降压转换器芯片GM2102 第 4页共 8页 9、典型特性典型特性 双路降压转换器芯片双路降压转换器芯片GM2102 第 5页共 8页 VOUT3P3 IL=10120mA 双路降压转换器芯片双路降压转换器芯片GM2102 第 6页共 8页 VOUT1P1 IL=10120mA 双路降压转换器芯片双路降压转换器芯片GM2102 第 7页共 8页 EMI 测试，知用测试，知用 EM5030-3 探头（探头（20dB 衰减衰减） ，EMI 检波方式检波方式 10、封装外形尺寸、封装外形尺寸 EMSOP8 双路降压转换器芯片双路降压转换器芯片GM2102 第 8页共 8页 广州国梦电子科技有限公司 电话：一八六二一四一五六刘经理E-mail: lyf_
