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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划电子芯片材料先简单的将各种无线收发芯片做个对比，然后从中选出一个较为合适的芯片在详细与CC2540蓝牙芯片作对比。表1各种无线收发芯片对比根据上表各种芯片的性能对比，结合一些实际因素，在这些芯片中我们初步认为nRF2401无线收发一体芯片比较适合。因为其与蓝牙芯片一样都是工作在自由频段。为此我们在下面将进一步将其与CC2540蓝牙芯片做进一步的对比，然后从两者中选出一个更为合适的芯片。下面我们将对比nRF24l01芯片与CC2540蓝牙芯片的优缺点表2CC2540与nRF24L01芯
2、片对比CC2540芯片简介：图1CC2540引脚图从上图可知，CC2540芯片共有40个引脚，全部引脚可分为I/O端口线引脚、电源线引脚和控制线引脚三类。I/O端口线引脚：CC2540有19个可编程的I/O引脚，p0、p1口是完全的8位口，p2口只有3个可以使用的位。I/O端口的关键特性：可设置为通常的I/O口，也可设置为外围I/O口使用；在输入时有上拉和下拉能力；19个数字I/O口引脚都具有响应外部的中断能力。如果需要外部中断，可对I/O口引脚产生中断，同时外部的中断事件也可能被用来唤醒休眠模式。1219脚:具有4mA输出驱动能力；9/11脚：具有20mA输出驱动能力；58脚、3436脚、3
3、738脚:具有4mA输出驱动能力。表4控制线引脚功能用CC2540芯片设计的蓝牙模块系统框图如图2所示图2蓝牙模块系统框图从图2可以看出外围电路设计的设计主要围绕主控芯片CC2540核心芯片进行设计。外围电路主要包括两个时钟、电源电路、阻抗匹配电路、通信接口电路、天线等。片内供压方式:的稳压器外加去耦电容；现实中可以用40号管脚外加1f的电容来实现。两时钟电路中，一个时钟电路用工作频率为的石英晶振和两个均为15pF的电容实现，石英晶振接芯片管脚33和32，另一个时钟电路由一个工作频率为32MHz的石英晶振和两个分别为22pF和12pF的电容实现，32MHz的石英晶振接芯片管脚22和23。其实物
4、图如下图所示图3CC2540蓝牙模块深度揭密：图文讲解芯片制造流程相信很多配件diyer都非常渴望了解司空见惯的cpu或者显卡或者内存芯片的制造过程的详细情况，今天我们在这抛砖引玉。整个制造分5道程序，分别是芯片设计；晶片制作；硬模准备；包装；测试。而其中最复杂的就是晶片制作这道程序，所以下面主要讲这一点：SiO2经盐酸氯化还原，形成高纯度多晶硅，纯度可达11N，将有特定晶向的晶种浸入过饱和的纯硅熔汤(Melt)中，并同时旋转拉出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒(ingot)-这便是常用的拉晶法。这种硅晶体圆棒将被切成薄片，芯片就在这上面制作出来的了。2.薄膜生成
5、(一)氧化对硅半导体而言，只要在高于或等于1050的炉管中，如图2-3所示，通入氧气或水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层(dryz/gateoxide)或湿氧层(wet/fieldoxide)，当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一硅氧化层耐得住8501050的后续制程环境，系因为该氧化层是在前述更高的温度成长；不过每生长出1微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉微米的厚度。以下是氧化制程的一些要点：氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是较为重要之考量。后长的氧化层会穿透先前长的
6、氧化层而堆积于上；换言之，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧(来自:写论文网:电子芯片材料)化层到硅质层。故要生长更厚的氧化层，遇到的阻碍也越大。一般而言，很少成长2微米厚以上之氧化层。干氧层主要用于制作金氧半晶体管的载子信道；而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕。前者厚度远小于后者，10001500埃已然足够。对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及时间下，111厚度110厚度100厚度。导电性佳的硅晶氧化速率较快。适度加入氯化氢氧化层质地较佳；但因容易腐蚀管路，已渐少用。氧化层厚度的量测，可分破坏性与非破坏性两类。前者是在光阻定义阻绝下，
7、泡入缓冲过的氢氟酸将显露出来的氧化层去除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅量测仪，得到有无氧化层之高度差，即其厚度。非破坏性的测厚法，以椭偏仪(ellipsometer)或是毫微仪最为普遍及准确，前者能同时输出折射率(refractiveindex；用以评估薄膜品质之好坏)及起始厚度b与跳阶厚度a(总厚度t=ma+b)，实际厚度(需确定m之整数值)，仍需与制程经验配合以判读之。后者则还必须事先知道折射率来反推厚度值。不同厚度的氧化层会显现不同的颜色，且有XX埃左右厚度即循环一次的特性。有经验者也可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。不过若超过微米以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显
8、。3.光罩蚀刻在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。同样方法在刚弄好的二氧化硅层上制造多晶硅层，再在其上面涂制光致抗蚀剂层以作下一步用。第二张遮光物派上用场了，同样的制作了与第二张遮光物形状相同的多晶硅层。如下图：蚀刻(Etching)蚀刻的机制，按发生顺序可概分为反应物接近表面、表面氧化、表面反应、生成物离开表
9、面等过程。所以整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个蚀刻之快慢也卡在该者，故有所谓reactionlimited与diffusionlimited两类蚀刻之分。1、湿蚀刻最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法，其设备如图2-10所示。其影响被蚀刻物之蚀刻速率(etchingrate)的因素有三：蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(stirring)之有无。定性而言，增加蚀刻温度与加入搅拌，均能有效提高蚀刻速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF蚀刻SiO2，当然比BOE(Bu
10、ffered-Oxide-Etch；HF：NH4F=1：6)快的多；但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢！湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿蚀刻配方的重要观念是选择性(selectivity)，意指进行蚀刻时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质(如蚀刻掩膜；etchingmask，或承载被加工薄膜之基板；substrate)的腐蚀速度之比值。一个具有高选择性的蚀刻系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之蚀刻掩膜或其下的基板材料。(1)等向性蚀刻(isotropicetching)大部份的湿蚀刻液均是等向性，
11、换言之，对蚀刻接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。故一旦定义好蚀刻掩膜的图案，暴露出来的区域，便是往下腐蚀的所在；只要蚀刻配方具高选择性，便应当止于所该止之深度。然而有鉴于任何被蚀薄膜皆有其厚度，当其被蚀出某深度时，蚀刻掩膜图案边缘的部位渐与蚀刻液接触，故蚀刻液也开始对蚀刻掩膜图案边缘的底部，进行蚀掏，这就是所谓的下切或侧向侵蚀现象(undercut)。该现象造成的图案侧向误差与被蚀薄膜厚度同数量级，换言之，湿蚀刻技术因之而无法应用在类似次微米线宽的精密制程技术！(2)非等向性蚀刻(anisotropicetching)先前题到之湿蚀刻选择性观念，是以不同材料之受蚀快慢程度来说明。然而自19
12、70年代起，在诸如JournalofElectro-ChemicalSociety等期刊中，发表了许多有关碱性或有机溶液腐蚀单晶硅的文章，其特点是不同的硅晶面腐蚀速率相差极大，尤其是方向，足足比或是方向的腐蚀速率小一到两个数量级！因此，腐蚀速率最慢的晶面，往往便是腐蚀后留下的特定面。这部份将在体型微细加工时再详述。2、干蚀刻干蚀刻是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用电浆(plasma)来进行半导体薄膜材料的蚀刻加工。其中电浆必须在真空度约10至Torr的环境下，才有可能被激发出来；而干蚀刻采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成蚀刻的目的。干蚀刻基本上包括离子轰击(
13、ion-bombardment)与化学反应(chemicalreaction)两部份蚀刻机制。偏离子轰击效应者使用氩气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏化学反应效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，经激发出汽车电子常用芯片型号代换资料汽车电子,存储器标志印字芯片功能代换型号BOSCH3003930061ADC0809B22AN存储器93C06B34AB存储器24C02B43AB存储器24C02B46AJ存储器24C02B49AJ存储器24C02B52AP存储器24C02B54AH存储器24C02B57120存储器27C64B57324存储器2732AB57347存储器
14、27C64B57423存储器27C256BHC74B57477存储器27C64B57519存储器27C64BHC573B57604存储器27C256B57605存储器27256B57607存储器27C128B57610存储器27C128B57618存储器87C257B57618存储器87C64B57625存储器2764AB57654存储器27C256B57696存储器27C256B57701存储器27C256Bx位开关TLE4211,TLE6220B57764存储器87C257B57764存储器87C64B57771存储器27C256B57922存储器87C257B57960存储器27C256B57995存储器TMS27C256B58014存储器27C256B58038存储器27C256B58094存储器27C510B58126存储器27C010B58127存储器27C512B58150存储器87C257B58157存储器27C512B58185存储器87C257B58196存储器NS93C46B58234存储器27C256B58235存储器87C257B58239存储器27C512Bx位开关TLE4216G,TLE4226GBx位开关TLE4214G,TLE6225B58243存储器CJ87BC6QGB58244I87M12B58258存储器24C02B58265控制器CAN
