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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划材料物理,工程类(共6篇)文档根据康师傅上传的照片转化而来。由于照片的清晰度，转换软件不能高质量的识别照片中的文字，导致文本有较多的错字，漏字严重，但大部分已被修正，有漏网之鱼请同学们改正，图片符号之类的软件无法识别，请同学们自行补上吧。同学们把漏的补上然后传群里共享，有好东西要分享啊啊啊啊啊，【题号是乱的，请谅解】，最后祝大家复习愉快，期末不挂科，还有。整个晶体移动要容易。因此，位错的运动在外加切应力的作用下发生；位错移动的方向和位错线垂直；3）运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了
2、柏氏矢量大小的相对运动；位错移出晶体表血将在晶体的表面上产生柏氏矢量大小的台阶。8写出下列力学性能符号所代表的力学性能指标的名称和含义？【符号自行填写，符号识别不出来，期末求助攻呀。1.何为晶界？答：晶界就是空间取向不同的相邻晶粒之间的分界。2三种典型晶胞的符号，原子数，配位数，致密度。答：面心立方：，fcc，4，12，74。体心立方：bcc，2，8，68。排六方：hcp，6，12，74。3、实际晶体存在品体缺陷，按照几何特点、这些缺陷可以分为三大类：点缺陷、线缺陷、面缺陷4.影响：空位浓度升高，导体的电升高、延伸率、扭转强度、E正弹性模量、Kic平面应变断裂韧性、ak冲击韧性。9金属淬火后为
3、什么变硬？答：晶体的一部分相对于另一部分的滑移，实际是位错线的滑移，位错线的移动是逐步进行的，使得滑移的切应力最小，这就是金属一般较软的原因之一显然，要提高金属的强度和硬度，似乎可以通过消除位错的办法来实现但事实上位错是很难消的相反，要提高金属的强度和硬度，通常采用增加位错的办法来实现金属淬火就是增加位错的有效办法将个属加热到一定高温，原子振动的幅度比常温时大得多，原子脱离正常格点的儿几率比常温水大得多，晶体中产生火量的空位、填隙缺陷这些缺陷容易形成位错也就是说，晶体内的位错缺缺陷比常温时多得多高温的晶体在合适的液体中急冷。高温时产生的位错来不及恢复和消退，大部分被存留了下来数目众多的位错相互
4、交织在一起，某一方向的位错滑移，会受到其他方向位错的牵制，使位错滑移的阻力大大增加，使金属变硬。，10.简述晶体蠕变的主要机制，并分析蠕变变形过程的三个阶段？答：位错蠕变，高应力温度下位错攀移和交滑移，且空位可沿位错扩散。扩散蠕变，低应力高温度，应变下沿晶界个方向空位平衡浓度不同，导致空位向垂于拉应力方向扩散。晶界蠕变，都低时，空位沿境界扩散。瞬态蠕变，快速；稳态蠕变，缓慢，加速蠕变直至断裂三个阶段11经典山电子论、量子山电子论和能带理论分析材料导电性理论的主要特征是什么？答：经典自由电子论：连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动；量子由电子论：不连续能量分布的价电子在均匀势场中的运动、能带理
5、论：不连续能量分布的价电子在周期性势场中的运动。根据经典自由电子论，金属是由原子点阵组成的，电子是完全自由的，可以在整个金属中自有运动，就好像气体分子能够在一个容器内自由运动一样，故可以把价电子看出“电子气。自由电子的运动遵从经典力学的运动规律，遵守气体分子运动论。在电场的作用下，自由电子将沿电场的反方向运动，从在金属中形成电流。量子自山电子论认为，金属离子形成的势场各处都是均匀的，价电子是共有化的，它们可以不属于某个原子，可以在整个金属内自有运动，电子之间没有相互作用。电子运动遵从量子力学原理，电子能量是不连续的，只有出于高能级的电子才能够跃迁到低能级，在外电场的作用下，电子通过跃迁灰现导电
6、。能带理论认为，原子在聚集时，能级变成了能带，在某些价带内部，只存在着部分被电子占据的能级，而在价带中能量较高的处于上方的能级少有电子占据，在外场作用下，电子就能够发生跃迁，从而实现导电。12确定核外电子运动状态的量子数及其意。答主量子数n：描述电子的能量高低，n越大，能量越高；角量子数l：角量子数决定电子空间运动的角动量，以及原子轨道或电子云的形状；磁量子数m：磁量子数是轨道角动量的z分量量子数，因为旋转量子粗当于圆圈电流，它必定会产生磁场，形成轨道矩，在磁场作用下将有不同取向；旋量子数ms：描述电子的自旋方向，正自旋+1/2，反旋-1/2。13为什么金属的电阻温度系数为正的？答：当电子波通
7、过一个理想晶体点阵时(0K)，它将不受散射；只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方，电子波才受到散射，这就是金属产生电阻的根本原因，因此随着温度升高，电阻增大，所以金属的电阻温度系数为正。14表征超导休的三个主要指标什么？氧化物超导体的主要弱点是什么？答：临界转变温度、临界磁场强度、临界电流密度。主要弱点是临界电流密度低。15为什么光致发光现象不会在金属中产生？答：原因：因为在金属中，价带没有充满电子，低能级的电子只会激发到同一家呆的高能级，在同一价带内，电子从高能级跃迁回低级，所释放的能量太小，产生的光子的波长太长，远远超过可见光范围。16名词解释：荧光材料：在某些陶瓷和半导体中，价带和导带之间
8、的禁带宽度不大不小，所以被激发的电子从导带跃过禁带回到价带时释放的光子波长刚好在可见光波段，这样的材料成为荧光材料。余辉现象：如果荧光材料中含有一些微量杂质，且这些杂质的能级位于禁带内，相当于陷阱能级，从价带激发的电子进入导带后，又会掉入这些陷阱能级。因为这些被陷阱能级所捕获的激发电子必须先脱离陷阱能级进入导带后才能跃迁回价带，所以他们被入射光子激发后，需要延迟一段时间才能发光，出现所谓的余辉效应。17为什么锗半导体材料最先得到应，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？答：锗比较容易提纯，所以最初发明的半导体三极管是锗制成的，但是，锗的禁带宽度(ev)大约是的禁带宽的一半，所以硅的电阻率比锗火
9、，而且在较宽的能带中能够更加有效的设置杂质能级，所以硅半导体逐渐取代了锗半导体。硅取代锗的另一个原因是硅的表面能够形成一层极薄的二氧化硅绝缘膜，从而能够制备MOS三极管。因此，现在的半导体材料大都采用硅半导体18说明EOF的物理意义？Eof为OK时的费米能，物理意义：绳对零度下，晶体中基态系统中被电子占据的最高能级的能量。19过渡族金属物理性质的殊性与电子能带结构有何联系？答：过渡族金属的d带不满，且能级低而密，可容纳较多的电子，夺取较高的s带中的电子，降低费米能级。20在晶体中空位和间隙原子的浓度是否相同？为什么？答：晶体中空位和间隙原子的浓度是相同的。在离子晶体中，由于电中性的要求，所以晶
10、体中的空位和间隙原子一般都是成对出现，所以它们的浓度是相同的。21、核外电子排布三个基本原则：能量最低原理，泡利不相容原理，洪特规则23.半导体的能带结构。价带：OK条件下被电子填充的能量最高的能带导带：0K条件下未被电子填充的能量最低的能带禁带：导带底与价带顶之间能带带隙：导带底与价带顶之间的能量差24，【见图】25.半导体的物理效应：光致发光效立；电致发光效应：【发光二极管，激光二级管】；光伏特效应；26.光致发光效应：价带的电子受到入射光子的激发后，会跃过禁带进入导带。如果到带上这些被激发的电子又跃回到价带中，会以放出光子的形式来释放能量。27.常用激光器由三部分组成：【详见照片】工作物
11、质、光学谐振腔28.早在1839年，法国科学家贝克尔发现，光照能使半导体枘料的不同部位之间产生电位差。这中现象后来被称为“光生伏特效应”，定义：半导体在受到光照时产生电动势的现象。光伏发电：定义：利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种枝术。这术的关键元件是太阳能电池。余辉效应的发光机理是光激发电子被缺陷能级捕获，延迟跃迁而造成发光延后。发光二极管的发光机理是电场导致电子和空穴越过。p一n结能垒而在P-n结两恻产生多子与少子结合而发光。激光二极管利用受激辐射作用而产生的。光伏特现象是光致电子激发产生电势现象29试用品体能带理论说明元素的导体、半导体、绝缘体的导电性质。【照片里没
12、找到答案，请知道的同学补上，然后传到群里】5、电子磁矩由电子的轨道磁矩和自旋磁矩组成。6、设电介质中带电质的电荷量q,在电场作用下极化后，正电荷与负电荷的位移矢量l，则此偶极矩位ql7、电滞回线的存在是判定晶体为铁电体的重要根据8.铁电体是具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。9.秒速电滞回线最重要的参数是自发极化强度和矫顽电场强度。10.铁电体可以分为有序无序型铁电体和位移型铁电体。11、铁电体是热释电体的一亚族。12、由于机械作用而使介质发生极化的现象为正压电效应13、原子磁矩的来源是电子的轨道磁矩和原子核磁矩。14、根据原子磁矩转变的方式，可将畴壁分为布洛赫壁和奈尔壁。17.所
13、谓电介质是指不导电的物质，即绝缘体，内部没有可以移动的电荷。若把电介质放入静电场场中，电子和原子核在原子范围内作微观的相对位移，自由电子那样作宏观的移动。电介质与导体电性能的主要差别：达到静电平衡时，电介质内部的场强也不为零。15、薄膜结构因研究对象不同可分为三种类型：组织结构，晶体结构，表面结构。薄膜的组织结构是指它的结晶形态，它分为单晶结构，多晶结构，纤维结构，无定型结构。16、薄膜结构的表征方法有：扫描电子显微镜SEM、透射电子显微镜TEM、X射线衍射方法、低能电子衍射LEED、反射式高能电子衍射RHEED、扫描隧道显微镜STM、原子力显微镜AFM.18.物质与场是物质存在的两种形式19
14、.电介质的极化【详见照片】20.电介质损耗：电介质在外场作用下，将一部分电能转变为热能的物理过程。主要危害：引起线路信号附加衰减、破坏元器件正常工作直至失效。21.电介质的损耗类型：电导损耗、松弛极化损耗、谐振损耗。电介质损耗来源于极化和电导22.电导类型：离子电导、电子电导、电泳电导。离子电导：固体电介质的主要电导形式，是介质中带电荷的弱联系的正负离子电子电导：一般电介质物质的禁带较宽，电子载流子极少，因而电子电导一般不是电介质电导的主要因素，只在特定条件下才表现得比较明显。电泳电导：是液体电导的主要形式，载流子是带电的分子团所形成的的电导。23.现象：当施加于电介质的电场强度增大到一定程度
15、时，电介质由绝缘状态突变为导电状态，此跃变现象称为电介质的击穿。表征介质发生击穿前，通过介质的电流剧烈地增加。24.简述电介质与金属的区别。答：金属的特点是电子的共有化，体内有自由电子，具有良好的导电性，以传导的方式传递电的作用；而电介质只被東缚的电荷以感应的方式传递电的作用。25.电介质的四大基本数是什么？各自代表什么物理意义?答:电介质的四大基本常数是：电极化、电导、介电损耗和击穿。介电常数是指以电极化的方式传递、存贮或记录电的作用：电导是指电介质在电场作下存在泄露电流,击穿是在强电场作用下可能导致电介质的破坏。25.什么是电介质的极化？电介质极化：在外电场仵下，电介质中带电质点的弹性位移引起正负电荷中心分离或极性分子按电场方向转动的现象。26.在离子晶体和玻璃等无机电介质中，负离子处于平衡状态，其偶极矩的矢量和为零。在电场作用下，正离子沿电场方向移动，负离了沿反电场方向移动，负离发生相对位移，形成偶极矩，这种极化就是离子位移极化。分子具有固有电矩，而在外电场作用下，电矩的转向所产生的电极化称为固有电距的转向极化。27.电介质的极化包括哪儿种？各种极化是如何产生的？答：电介质的极化包括电电子位移极化、离子位移
