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1、 Macroblock, Inc. 2014 Floor 6-4, No.18, Pu-Ting Rd., Hsinchu, Taiwan 30077, ROC. TEL: +886-3-579-0068, FAX: +886-3-579-7534 E-mail: .tw - 1 - Macroblock 初始规格书 MBI66551 安培，高效率之降压式安培，高效率之降压式 LED 驱动芯片驱动芯片2014 年 08 月，V1.02 特色 特色 最大1A输出恒流 串3颗LED，350mA电流，输入电压为12V时的效率可达97% 输入电压范围636伏特 使用Hysteret芯片 PFM，不需外
2、部补偿设计 可设定的恒定输出电流 内建0.3低导通电阻的开关 全方位保护包括：启动过流保护(Start-Up)、过电流(OCP)、过热断电(TP)、LED开路与短路保护 只需5个外部组件 产品说明产品说明 MBI6655 为恒流、高亮度、降压型直流对直流转换器，可提供 LED 室内/户外照明应用具成本效益的解决方案，仅需 5 个外部组件，即可为大电流 LED 照明提供稳定之电流。MBI6655 使用 Hysteret 芯片 PFM 架构设计，不需要外部补偿电路，因此可简化电路设计。 MBI6655 的输出电流可透过不同阻值的外接电阻来调整各输出级的电流大小，且可在 DIM 脚连接脉宽调变(PW
3、M)讯号进行调光控制。 MBI6655的特色还包括一系列完整的芯片保护装置。 启动过流保护装置(Start-Up)功能可限制芯片因电源启动时所产生的突波电流。过热断电装置(TP)和过电流(OCP)装置可确保系统稳定度，且LED开路与短路保护机制也可避免芯片在不正常运作的情况下损毁。MBI6655目前提供散热性佳的SOT-89-5L和SOP-8L两种封装。 应用应用 广告招牌及装饰照明 高功率LED照明 恒流照明源 GSB: SOT-89-5L Small Outline Transistor Small Outline Package GD: SOP8L-150-1.27 MBI6655 1
4、安培， 高效率之降压式安培， 高效率之降压式 LED 驱动芯片驱动芯片 2014 年 08 月，V1.02 - 2 -应用电路图应用电路图 RSEN: Viking, 0.14, 1206, 1% SMD Resistor CIN: GOLDENCONNECTIONS, 10uF/50V, 5*11, DIP, electrolyt 芯片 capacitor COUT (Optional): GOLDENCONNECTIONS, 10uF/50V, 5*11, DIP, electrolyt 芯片 capacitor COUT is required for output hot plug p
5、rotection CBP: GOLDENCONNECTIONS, 0.1uF/50V, X5R, 0603 SMD ceram 芯片 capacitor L1: GANG SONG, GSDS106C2-680M D1: ZOWIE, SSCD206 图1 功能方块图功能方块图 图 2VIN DIM SENSW GND MBI6655 MBI6655 1 安培， 高效率之降压式安培， 高效率之降压式 LED 驱动芯片驱动芯片 2014 年 08 月，V1.02 - 3 -DIMGNDGND123876VINSEN45SWNCNCThermal Pad12354SWGNDDIMVINSENMB
6、I6655DIMGNDGND123876VINSEN45SWNCNCThermal Pad12354SWGNDDIMVINSENMBI6655脚位图脚位图 脚位说明脚位说明 *为了减少噪声干扰，建议将散热片与 PCB 上的 GND 连接。此外，PCB 上作为热传导用途的铜导线上焊接散热片，热传导功能将可改善。 Pin 脚名称脚名称 功能功能 GND 接地端 SW 开关输出端 DIM 调光控制端 SEN 输出电流感应端 VIN 电源电压端 Thermal Pad 与 GND*连接的散热端 MBI6655 1 安培， 高效率之降压式安培， 高效率之降压式 LED 驱动芯片驱动芯片 2014 年 0
7、8 月，V1.02 - 4 -最大限定范围最大限定范围 超过最大限定范围内工作，将会损害芯片运作。操作在建议电压至最大限定范围时会降低其稳定度。 特性特性 代表符号代表符号 最大工作范围最大工作范围 单位单位 电源电压 VIN 040 V 输出端电流 IOUT 1.2 A DIM脚位元的输出端耐受电压 VDIM -0.340 V SW脚位元的输出端耐受电压 VSW -0.340 V 接地端电流 IGND 1.2 A 消耗功率 (在四层印刷电路板上, Ta=25C)* GD 包装 PD 3.13 W 热阻值 (在四层印刷电路板上仿真时)* Rth(j-a) 40 C/W 实测热阻值* 75.1
8、C/W 消耗功率 (在四层印刷电路板上, Ta=25C)* GSB 包装 PD 1.77 W 热阻值 (在四层印刷电路板上仿真时)* Rth(j-a) - C/W 实测热阻值* 70.8 C/W 接合点温度 Tj,max 150* C 芯片工作时的环境温度 Topr -40+85 C 芯片储存时的环境温度 Tstg -55+150 C *模拟时，PCB尺寸为76.2mm*114.3mm。参考JEDEC JESD51标准。 * PCB尺寸为芯片的4倍大，且无额外的散热片。 *此为最大限定范围值，并非芯片工作时温度，越接近此最大范围值操作，芯片的寿命越短、可靠度越低；超过此最大限定范围工作时，将会
9、影响芯片运作并造成毁损，因此建议的芯片工作温度(Topr)在 125C 以内。 注：散热表现是与散热片面积、PCB层数与厚度相关。实测热阻值会与模拟值有所不同。使用者应根据所欲达到的散热表现，选择合适的封装与PCB布局，以增加散热能力。 MBI6655 1 安培， 高效率之降压式安培， 高效率之降压式 LED 驱动芯片驱动芯片 2014 年 08 月，V1.02 - 5 -直流特性直流特性 测量条件为VIN=12V、VOUT=3.6V、L1=68H、CIN=COUT=10F，TA=25C；除非其它条件定义。 特性特性 代表符号代表符号 测量条件测量条件 最小值最小值 一般值一般值 最大值单位最
10、大值单位 电源电压 VIN - 6 - 36 V 供应电流 IIN VIN=6V36V 1 1.3 1.5 mA 输出端电流 IOUT - - 350 1000 mA 输出端电流精确度 dIOUT/IOUT 150mAIOUT1000mA, - 3 5 % SW 脚最小压差电压 VSW IOUT=1A - 0.3 - V 内部传送延迟时间 Tpd VIN=12V 100 150 300 ns 效率 - VIN=12V, IOUT=350mA, VOUT=10.8V- 96 - % DIM 管脚输 入端电压 高电位位准 VIH - 2.7 - - V 低电位位准 VIL - - - 0.5 V
11、开关开启时之电阻 Rds(on) VIN=12V; 参考测试电路图(b) 0.2 0.3 0.4 最短开启时间* TON,min VIN=12V, 30 50 100 ns 最短关闭时间* TOFF,min VIN=12V, 30 50 100 ns SW 工作周期建议的范围* Dsw - 20 - 80 % 最大操作频率 FreqMax - 40 - 1000 kHz 电流感应电流感应 SEN 脚平均电压 VSEN VIN=12V, V1=1V, 参考测试电路图 (c) 95 100 105 mV 过热保护过热保护 过热保护关闭值* TSD - 145 165 175 C 过热保护关闭之磁滞
12、范围 (Hysteresis)* TSD-HYS - 20 30 40 C 过电流保护过电流保护 过电流保护关闭值* Iocp VIN=36V - 1.8 2 A DIM 脚之调光控制脚之调光控制 运用在DIM脚的PWM讯号 工作周期范围 DutyDIM PWM 频率: 1KHz 1 - 100 % *参数在生产过程中未经测试，为设计值。 MBI6655 1 安培， 高效率之降压式安培， 高效率之降压式 LED 驱动芯片驱动芯片 2014 年 08 月，V1.02 - 6 -电气特性测试电路图电气特性测试电路图 (a) (b) VINDIMSWSENGNDMBI6655+CINCSENVINV
13、SENV1R1 1k220nF10uF/50V(c) 图3 MBI6655 1 安培， 高效率之降压式安培， 高效率之降压式 LED 驱动芯片驱动芯片 2014 年 08 月，V1.02 - 7 -一般表现特性一般表现特性 请参考一般应用电路图，除非其它条件定义: VIN=12V, L1=68uH, CIN=COUT=10uF, TA=25C. LED VF=3.6V; 2-LED VF=7.2V; 3-LED VF=10.8V; 4-LED VF=14.4V; 5-LED VF=18V 1. 效率效率 vs. 输入端电压输入端电压 不同不同 LED 串联颗数串联颗数 效率vs. 输入端电压
14、L1=22uH 70%75%80%85%90%95%100%9121518212427303336Input voltageEfficiency (%)3-LED1-LED2-LEDRsen=0.1 L1=22uH Cin=Cout=10uF4-LED5-LED6-LED70%75%80%85%90%95%100%9121518212427303336Input voltageEfficiency (%)3-LED1-LED2-LEDRsen=0.14 L1=22uH Cin=Cout=10uF4-LED5-LED6-LED70%75%80%85%90%95%100%9121518212427
15、303336Input voltageEfficiency (%)3-LED1-LED2-LED 4-LED5-LED6-LEDRsen=0.28 L1=22uH Cin=Cout=10uFIOUT=1A IOUT=700mA IOUT=350mA 图4 图5 图6 Eff芯片iency vs. input voltage L1=68uH 70%75%80%85%90%95%100%9121518212427303336Input voltageEfficiency (%)3-LED1-LED2-LEDRsen=0.1 L1=68uH Cin=Cout=10uF4-LED5-LED6-LED70%75%80%85%90%95%100%9121518212427303336Input voltageEfficiency (%)3-LED1-LED2-LEDRsen=0.14 L1=68uH Cin=Cout=10uF4-LED5-LED6-LED70%75%80%85%90%95%100
