第2章 电力电子器件92869

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1、1-1,第2章 电力电子器件,2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件电力二极管 2.3 半控型器件晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 本章小结,1-2,电子技术的基础 电子器件：晶体管和集成电路 电力电子电路的基础 电力电子器件本章主要内容： 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。,第2章 电力电子器件引言,1-3,2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.4 本章

2、内容和学习要点,2.1 电力电子器件概述,1-4,1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device）可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主电路（Main Power Circuit）电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）分类:电真空器件 (汞弧整流器、闸流管)半导体器件 (采用的主要材料硅）,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,电力电子器件,1-5,所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于 处理信息的电子器件。 为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在开关状态。 由信息电子电路来控制

3、,而且需要驱动电路。 自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件， 在其工作时一般都需要安装散热器。,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,3）同处理信息的电子器件相比的一般特征：,1-6,通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。,主要损耗,通态损耗,断态损耗,开关损耗,关断损耗,开通损耗,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,电力电子器件的损耗,1-7,电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。,图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成,在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系

4、统正常可靠运行,2.1.2 应用电力电子器件系统组成,电气隔离,控制电路,1-8,半控型器件（Thyristor）通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET)通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode)不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。,2.1.3 电力电子器件的分类,按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：,1-9,脉冲触发型通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。电平控制型必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维

5、持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。,2.1.3 电力电子器件的分类,按照驱动信号的波形（电力二极管除外）,1-10,2.1.3 电力电子器件的分类,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：,1) 单极型器件,2) 双极型器件,3) 复合型器件,由一种载流子参与导电的器件,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件,由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件,1-11,电流驱动型通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。电压驱动型仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。,2.1.3 电力电子器件的分类,按照驱动电路信号的性质，分为两类：

6、,1-12,本章内容:按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其它新型器件的顺序，分别介绍各种电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。学习要点:最重要的是掌握其基本特性。 掌握电力电子器件的型号命名法，以及其参数和特性曲线的使用方法。 了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理 了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。,2.1.4 本章学习内容与学习要点,1-13,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型,2.2 不可控器件电力二极管,1-14,自

7、20世纪50年代初期就获得应用，但其结构和原理简单，工作可靠，直到现在电力二极管仍然大量应用于许多电气设备当中。 在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少的，特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基二极管，具有不可替代的地位。,2.2 不可控器件电力二极管引言,整流二极管及模块,1-15,基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。,图2-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,1-16,二极管的基

8、本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。PN结的反向击穿（两种形式) 雪崩击穿 齐纳击穿 均可能导致热击穿,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,PN结的状态,1-17,PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。电容影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,PN结的电容效应：,电导调制效应：,1-18,主要指其伏安特性 门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压

9、时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。,图2-5 电力二极管的伏安特性,2.2.2 电力二极管的基本特性,1) 静态特性,1-19,2) 动态特性二极管的电压-电流特性随时 间变化的结电容的存在,2.2.2 电力二极管的基本特性,图2-6 电力二极管的动态过程波形 a) 正向偏置转换为反向偏置 b) 零偏置转换为正向偏置,延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1 反向恢复时间：trr= td+ tf 恢复特性的软度：下降时间与延迟时间 的比值tf /td，或称恢复系数，用Sr表示。,1-20,正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2

10、V）。 正向恢复时间tfr。 电流上升率越大，UFP越高 。,图2-6(b)开通过程,2.2.2 电力二极管的基本特性,开通过程：,关断过程 须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。 关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。,图2-6(a)关断过程,1-21,额定电流在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。,2.2.3 电力二极管的主要参数,1) 正向平均电流IF(AV),1-22,在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电

11、流时对应的正向压降。3） 反向重复峰值电压URRM 对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有两倍的裕量。 4） 反向恢复时间trrtrr= td+ tf,2.2.3 电力二极管的主要参数,2）正向压降UF,1-23,结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。TJM通常在125175C范围之内。6) 浪涌电流IFSM指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。,2.2.3 电力二极管的主要参数,5）最高工作结温TJM,1-24,1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管

12、（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长（5以上） 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同介绍。,2.2.4 电力二极管的主要类型,1-25,简称快速二极管（ 5以下）快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED），其trr更短（可低于50ns）， UF也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。

13、DATASHEET 1 2 3,2.2.4 电力二极管的主要类型,2) 快恢复二极管（Fast Recovery DiodeFRD）,1-26,肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（1040ns）。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。,2.2.4 电力二极管的主要类型,3. 肖特基二极管(DATASHEET)以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管

14、（Schottky Barrier Diode SBD）。,1-27,2.3 半控器件晶闸管,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件,1-28,2.3 半控器件晶闸管引言,1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。,晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silic

15、on Controlled RectifierSCR）,1-29,图2-7 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,外形有螺栓型和平板型两种封装。 四层三结三端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。,1-30,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,常用晶闸管的结构,螺栓型晶闸管,晶闸管模块,平板型晶闸管外形及结构,1-31,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏

16、电流。由以上式可得 ：,图2-8 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理,按晶体管的工作原理 ，得：,（2-5）,1-32,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。,1-33,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。,