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1、第六章 电 子 衍 射,电子衍射,电子衍射已成为当今研究物质微观结构的重要手段，是电子显微学的重要分支。 电子衍射可在电子衍射仪或电子显微镜中进行。电子衍射分为低能电子衍射和高能电子衍射，前者电子加速电压较低（10500V），电子能量低。电子的波动性就是利用低能电子衍射得到证实的。目前，低能电子衍射广泛用于表面结构分。高能电子衍射的加速电压100kV，电子显微镜中的电子衍射就是高能电子衍射 普通电子显微镜的“宽束”衍射（束斑直径1m）只能得到较大体积内的统计平均信息，而微束衍射可研究分析材料中亚纳米尺度颗料、单个位错、层错、畴界面和无序结构，可测定点群和空间群。,电子衍射,电子衍射的优点是可以
2、原位同时得到微观形貌和结构信息，并能进行对照分析。电子显微镜物镜背焦面上的衍射像常称为电子衍射花样。电子衍射作为一种独特的结构分析方法，在材料科学中得到广泛应用，主要有以下三个方面： （1）物相分析和结构分析； （2）确定晶体位向； （3）确定晶体缺陷的结构及其晶体学特征。,电子衍射和X射线衍射共同点,电子衍射的原理和X射线衍射相似，是以满足（或基本满足）布拉格方程作为产生衍射的必要条件。 两种衍射技术得到的衍射花样在几何特征上也大致相似：多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环，单晶衍射花样由排列得十分整齐的许多斑点所组成，而非晶体物质的衍射花样只有一个漫散的中心斑点,衍射花样,NiF
3、e多晶纳米薄膜的电子衍射,La3Cu2VO9晶体的电子衍射图,非晶态材料电子衍射图的特征,电子衍射和X射线衍射不同之处,由于电子波与X射线相比有其本身的特性，因此电子衍射和X射线衍射相比较时，具有下列不同之处： 首先，电子波的波长比X射线短得多，在同样满足布拉格条件时，它的衍射角很小，约为10-2rad。而X射线产生衍射时，其衍射角最大可接近90度。 其次，在进行电子衍射操作时采用薄晶样品，薄样品的倒易阵点会沿着样品厚度方向延伸成杆状，因此，增加了倒易阵点和爱瓦尔德球相交截的机会，结果使略为偏离布格条件的电子束也能发生衍射。,电子衍射和X射线衍射不同之处,第三，因为电子波的波长短，采用爱瓦德球
4、图解时，反射球的半径很大，在衍射角较小的范围内反射球的球面可以近似地看成是一个平面，从而也可以认为电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内。这个结果使晶体产生的衍射花样能比较直观地反映晶体内各晶面的位向，给分析带来不少方便。 最后，原子对电子的散射能力远高于它对X射线的散射能力（约高出四个数量级），故电子衍射束的强度较大，摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。,布拉格方程,将衍射方程用作图法表示如下,点阵平面（hkl）与 正交，且为入射波矢与衍射波矢的等分角平面。衍射波矢就如同是入射波矢在点阵平面（hkl）上的反射波一样。,点阵平面间距 是晶体的特征，波长 是入射电子波的特征，衍射角 是
5、入射电子波、衍射波、晶体间的相对取向关系。,布拉格方程,由X射线衍射原理我们已经得出布拉格方程的一般形式， 2dhklsin 因为 所以 这说明，对于给定的晶体样品，只有当入射波长足够短时，才能产生衍射。而对于电镜的照明光源高能电子束来说，比X射线更容易满足。通常的透射电镜的加速电压100200kv，即电子波的波长为10-210-3nm数量级，而常见晶体的晶面间距为10010-1nm数量级，于是这表明，电子衍射的衍射角总是非常小的，这是它的花样特征之所以区别X射线的主要原因。,偏离矢量与倒易点阵扩展,从几何意义上来看，电子束方向与晶带轴重合时，零层倒易截面上除原点0*以外的各倒易阵点不可能与爱
6、瓦尔德球相交，因此各晶面都不会产生衍射，如图6-2（a）所示。 如果要使晶带中某一晶面（或几个晶面）产生衍射，必须把晶体倾斜，使晶带轴稍为偏离电子束的轴线方向，此时零层倒易截面上倒易阵点就有可能和爱瓦尔德球面相交，即产生衍射，如图6-2（b）所示。,偏离矢量与倒易点阵扩展,偏离矢量与倒易点阵扩展,但是在电子衍射操作时，即使晶带轴和电子束的轴线严格保持重合（即对称入射）时，仍可使g矢量端点不在爱瓦尔德球面上的晶面产生衍射，即入射束与晶面的夹角和精确的布拉格角B（B=sin-1 ）存在某偏差时，衍射强度变弱但不一定为零，此时衍射方向的变化并不明显,偏离矢量与倒易点阵扩展,对于电子显微镜中经常遇到的
7、样品，薄片晶体的倒易阵点拉长为倒易“杆”，棒状晶体为倒易“盘”，细小颗粒晶体则为倒易“球”，如图6-3所示。,倒易点阵扩展,图6-4示出了倒易杆和爱瓦尔德球相交情况，杆子的总长为2/t。 由图可知，在偏离布拉格角max范围内，倒易杆都能和球面相接触而产生衍射。 偏离时，倒易杆中心至与爱瓦尔德球面交截点的距离可用矢量s表示，s就是偏离矢量。,为正时，s矢量为正，反之为负。精确符合布拉格条件时，=0，s也等于零。,倒易点阵扩展,图6-5示出偏离矢量小于零、等于零和大于零的三种情况。如电子束不是对称入射，则中心斑点两侧和各衍射斑点的强度将出现不对称分布。,电子衍射基本公式,电子衍射操作是把倒易点阵的
8、图像进行空间转换并在正空间中记录下来。用底片记录下来的图像称之为衍射花样。图6-6为电子衍射花样形成原理图。 R=Lg=Kg R=L/d=K/d,电子衍射基本公式,R=L/d=K/d L称为电子衍射的相机常数，而L称为相机长度。R是正空间的矢量，而ghkl是倒易空间中的矢量，因此相机常数L是一个协调正、倒空间的比例常数。Rdhkl=f0MIMp=L,选区衍射,选区衍射就是在样品上选择一个感兴趣的区域，并限制其大小，得到该微区电子衍射图的方法。也称微区衍射。 a.光阑选区衍射（Le Poole方式） 此法用位于物镜像平面上的光阑限制微区大小。先在明场像上找到感兴趣的微区，将其移到荧光屏中心，再用
9、选区光阑套住微区而将其余部分挡掉。理论上，这种选区的极限0.5m。,选区误差,实际上，选区光阑并不能完全挡掉光阑以外物相的衍射线。这样选区和衍射像不能完全对应，有一定误差。它起因于物镜有球差和像的聚集误差。严重时，实际衍射区甚至不是光阑所选微区，以致衍射像和微区像来自两个不同部位，造成分析错误。,球差引起的选区误差,选区光阑套住大小为A0B0的像，对应样品上AB微区的物。由于球差，衍射束与透射束不能在平面上同一点成像（如虚线所示）。从点划线所示可以看出，A0B0像来自物平面上AB微区。误差大小可用球差公式计算。 AA=BB=CS3,失焦引起的选区误差,AB、A0B0分别为正焦和失焦时相应于样品
10、上选区光阑套住的微区。失焦面在样品与物镜之间时称过焦，在样品之上时为欠焦。 从图中可见，A0的hkl衍射束与A的hkl衍射束（虚线）重合，B0的衍射束与B的衍射束重合，即失焦时，正焦面上光阑以外AA区的衍射束可通过失焦面上光阑而到达物镜，正焦面上光阑以内的BB区的衍射束被失焦面上光阑挡掉，引起误差。,失焦引起的误差为 AA=BB=D,单晶电子衍射花样的标定,标定电子衍射图中各斑点的指数hkl及晶带轴指数uvw。 电子衍射图的标定比较复杂，可先利用衍射图上的信息（斑点距离、分布及强度等）帮助判断待晶体可能所属晶系、晶带轴指数。 例如斑点呈正方形，仅可能是立方晶系、四方晶系；正六角形的斑点，则属于
11、立方晶系、六方晶系。 熟练掌握晶体学和衍射学理论知识：收集有关材料化学成分、处理工艺以及其它分析手段提供的资料，可帮助解决衍射花样标定的问题。,单晶电子衍射花样的标定,电子衍射花样几何图形 可能所属晶系 平行四边形 三斜、单斜、正交、四方、六方、三方、立方 矩形 单斜、正交、四方、六方、三方、立方 有心矩形 同上 正方形 四方、立方 正六角形 六方、三方、立方,标定前的预先缩小范围,根据斑点的规律性判断： 1.平行四边形-7大晶系都有可能 2.矩形-不可能是三斜晶系 3.有心矩形-不可能是三斜晶系 4.正方形-只可能是四方或立方晶系 5.正六角-只可能是六角、三角或立方晶系,单晶电子衍射花样的
12、标定,通常电子衍射图的标定过程可分为下列三种情况：1）已知晶体（晶系、点阵类型）可以尝试标定。 2）晶体虽未知，但根据研究对象可能确定一个范围。就在这些晶体中进行尝试标定。 3）晶体点阵完全未知，是新晶体。此时要通过标定衍射图，来确定该晶体的结构及其参数。所用方法较复杂，可参阅电子衍射方面的专著。,单晶电子衍射花样的标定,在着手标定前，还有几点事项要引起注意：1）认真制备样品，薄区要多，表面没有氧化。 2）正确操作电镜，如合轴、选区衍射操作等。 3）校正仪器常数。 4）要在底片上测量距离和角度。长度测量误差小于0.2mm，（或相对误差小于35%），角度测量误差0.2，尚需注意底片药面是朝上放置
13、的。,查表标定法,1、约化平行四边形 在底片透射斑点附近，取距透射斑点O最近的两个不共线的班点A、B。由此构成的四边形（图6-9）如满足下列约化条件： 1）如R1、R2夹角为锐角（图6-9a） R1R2R3，R3= R2-R1 60902）如R1、R2夹角为钝角（6-9b） R1R2R3，R3= R2+R1 90120 其中R1、R2为A、B点到O点距离，R3为短对角线，则称此四边形为约化四边形。,约化平行四边形,标定步骤,1）在底片上测量约化四边形的边长R1、R2、R3及夹角，计算R2/R1及R3/R1。 2）用R2/R1、R3/R1及去查倒易点阵平面基本数据表（附录二）。若与表中相应数据吻
14、合，则可查到倒易面面指数（或晶带轴指数）uvw，A点指数h1k1l1及B点指数h2k2l2。 3）由（6-3）式计算dEi，并与d值表或X射线粉末衍射卡片PDF（或ASTM）上查得的dTi对比，以核对物相。此时要求相对误差为 3%5%。附录一给出部分物相的d值表。,例一,试标定Fe电子衍射图（图6-10a） 1、选约化四边形OADB(图6-10b)，测得 R1=9.3mm,R2=21.0mm,R3=21.0mm,=75，计算边长比得 R2/R2=21.0/9.3=2.258 R2/R2=21.0/9.3=2.258 2、已知Fe是面心立方点阵，故可查面心立方倒易点阵平面基本数据表（附录二）。在
15、表中第42行第24列找到相近的比值和夹角，从而查得 uvw=133 h1k1l1=02-2，h2k2l2=-620 故A点标为02-2，B点标为-620，,二、d值比较法,标定步骤： 1、按约化四边形要求，在透射斑点附近选三个衍射斑点A、B、D。测量它们的长度Ri及夹角，并根据（6-3）式计算dEi 2、将dEi与卡片上或d值表中查得的dTi比较，如吻合记下相应的hkli 3、从hkl1中，任选h1k1l1作A点指数，从hkl2中，通过试探，选择一个h2k2l2，核对夹角后，确定B点指数。由hkl3按自洽要求，确定C点指数。附录三中列出立方系晶面夹角表。 4、确定晶带轴uvw。,例二,1、在底
16、片上，取四边形OADB（图6-11b），测得 R1=8.7mm，R2=R3=15.00mm =74 2、计算dEi、对照dTi，找出hkli； Ri R1 R2 R3 dEi=L/ Ri0.2022 0.1173 0.1173 dTi(-Fe)0.2027 0.1170 0.1170 hklI 011 112 112 3、标定一套指数 从011i中，任取110作为A点指数,此外，反射面有正、反两面，有hkl斑点，必有斑点 。即电子束是电子衍图的二次旋转对称轴。这样，一个斑点即可标定为hkl，也可标定为 。这就是所谓的180不唯一性。在作取向分析时，若晶体没有二次旋转对称性（指晶带轴不是二次旋转对称轴），那么，经这种操作后，晶体不能复原。故所确定的两种空间关系只有一种是正确的。所以当uvw不是二次旋转轴时，要考虑180不唯一性。不作取向分析时，无须考虑180不唯一性。 分析两个相近晶带的重迭电子衍射图或倾转试样前后的两张电子衍射图，可以解决180不唯一性。,
