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1、上上 海海 建建 桥桥 学学 院院 教教 学学 进进 度度 安安 排排 表表20112012 学年度第二学期学年度第二学期课程名称：深亚微米技术介绍 班级：微电子学 09B-1、2总学时：32课 程 内 容日期周次 星期章节内 容授课 方式上课 地点作业 布置2/211/二1 绪言讲课1369 2/282/二2 深次微米硅制造环境要求讲课1369 1制造环境与成品率关系讲课1369 2洁净室.技术指标讲课1369 3超纯水.质量指标讲课1369 3/63/二34超纯化学试剂与气体指标讲课136985晶片传输系统讲课1369 6ULSZ 用的硅片质量讲课1369 3/134/二低 K 材料讲课1
2、369 1RC 延迟ULSI 中低 K 材料意义讲课1369 2电极化形式对低 K 材料要求讲课13693/205/二3用于 ULSI 的低 K 材料讲课1369 4PMD讲课1369 5含 SIO2 介质讲课1369 3/276/二6其他低 K 介质讲课136987有机低 K 介质讲课1369 4/37/二4 栅（闸）极技术讲课1369 1引言讲课1369 2深次微米硅制程栅极讲课1369 4/108/二3金属硅化物讲课1369 一多晶硅金属硅化物讲课1369 二自对准金属硅化物讲课1369三硅化物在 VLSZI 中应用讲课1369 4/179/二4栅极结构和技术讲课13699一双多晶硅栅极
3、讲课1369 二多晶硅锗栅极讲课1369 三金属栅极讲课1369 4/2410/二测验1369 5栅极介电层讲课13696浅沟道隔离讲课1369 5/812/二7浅接面和升起式源/漏讲课1369 8衬底讲课1369 5 铜制程讲课1369 1引言讲课1369 2ULSI 中铜制程应用讲课1369 5/1513/二3扩散阻挡层及制作讲课1369 4铜晶种层及制作讲课13695铜电镀讲课1369 5/2214/二6铜蚀刻讲课1369 7铜制程难题和 CMP讲课136985/2915/二6 半导体纳米器件简介讲课1369 6/516/二总复习讲课1369 6/1217/二考试1369 注：授课方式为讲课、实验、习题课、复习、考核，不够写可续页。任课教师：顾永明系主任审核：吴庆彪 教学院长审核：吴庆彪 日期：2012-2-20日期：2012-2-20 日期：2012-2-20
