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1、GaN基MOSFET器件的研究报告人;故携2012年12为内容1.GaN材料2.MOSFET器件3:GaNIMOSFET器件制作工艺介绍4.MOSFET器件参数5.GaNMOSFET器件研究现状及存在的问题1.GaN材料的基本特性GaN材料表I几种常见半导体材料的主要参数:三种日体结构立方闪锋矿3C型结构(相)、六角纤维锋矿2H型结构Ca相和面心立方结构CNac结构纤锋矿结构(六方相,a相,闪铼矿结构(立方相,b相)和岩盐结构标8|Gus|sicGabE2|132524标外电芸政8|28|9挂旦率GWeni105423凶邝电圭GVen03|0434电河单nyy1500|xioo0EIoog-z
2、oo0谅租沥故s6imip(行123J玩2|em07005uts钟3|6a一Gso0L453344明BH诊蚊030055580H82786iBllin承倩is|四3卵s2.纤链矾GaN图2Ga面和N面GaN晶格结构图6800_68招00日igJ娆踊803EEppiSL023|部办租|剧跋3Boib0A有随5nolelAaetnal3.GaN材料的晶格常数zinc-blendeT=0KAlGaN,InGaN,InAlN,GaNPTovaleyenergygap(eW)50556065Latiosconstant冉三元化合物如ALGa,.As的晶格常数一般可以图3闪链矿结构表示为:a(X)=xaA
3、lAs)+(10a(GaAs)MOSFET器件一.MOSFET结构D)结构2符号JeG卫3)基本参数沟道长度L路工艺水平有关)沟道宾度W栋氯化层厚度tox国4MosfEf结构2.MOSFET分类场效应管的分类:N沟道增强型MOSFETP沟道(IGFET)N沟道FET绝缘栋型耗尽型场效应管P沟道EN皇途佳(耗尽垣)团P沟道耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道二.MOSFET器件涉及的物理机制主要包括衬底层的生长;源漏区的接杂;栅介质层的选取;器件隔离;欧姆接触和栋极肖特基接触等。InsultortSiQJ)PN结欧姆接触口坤肖特基接触MIS筒抚2ump-GaN拴杂_暨曹曹躏矗_图5GaNn-MOSFET结构示意图图6p结2.肖特基接触eXqyo万民1“5,zE刀呈亡呕“口一一5纳兵贺米胺缎半旭仰的客米限绣寰面曼主呈盖魔攫蒿的伟属和城十导体接触舷帝图CIs.aD接触前Cb)间阿很大,(c紧宠挥触;4忽路间院图7能带图
