半导体器件基础

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1、1、二极管的伏安特性曲线 I = f (V),(1) 正向特性,OA段: 二极管电流较小,二极管未导通。,AB段:当 uD Uth时,二极管导通 。正向电阻很小. Uth :硅0.5V 锗0.1V 导通电压:硅0.60.8V 锗0.1 0.3V,(2) 反向特性,OC段: 反向饱和电流小,反向电阻很大。,复习,(3)击穿特性,CD段:外加反向电压超过击穿电压UBR时,反向电流会突然增大。(击穿时,二极管失去单向导电性),复习,2、二极管的等效模型 理想模型 UD+UD0,二极管导通,等效为导线; UD+UD0,二极管截止,等效为断路。 恒压降模型 UD+UDUF,二极管导通,等效为UF恒压源;

2、 UD+UDUF,二极管截止,等效为断路。 折线模型 UD+UDUth,二极管导通,等效为Uth恒压源串联电阻; UD+UDUth,二极管截止,等效为断路。,3、二极管的工作状态判定方法假设二极管断开,然后求得二极管正极和负极之间的电压。如该电压大于导通电压,则说明该二极管导通,两端的实际电压为二极管的导通电压;如果该电压小于导通电压,则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的各物理量。,第2章 半导体器件基础(3)2.3 特殊二极管2.5 双极型晶体管第3章 晶体管放大电路基础(1)3.1 放大电路的基本概念,教学要求,1、了解稳压二极管的工作区域。2、理解三极管各极电流间的关系和电流 放大

3、作用。掌握三极管用于放大时的加电原则, 并会判断电压极性加得对不对。3、理解三极管的特性曲线,掌握输出特 性曲线三个区域的特点。4、了解放大电路的主要性能指标,2.3 特殊半导体二极管,2.3.1 稳压管及其应用,稳压管是一种由特殊工艺制成的点接触型硅二极管,与普通二极管相比,其正向特性相似,而反向特性比较陡。稳压管工作在反向击穿区,并且在一定电流范围内(IZ),稳压管不会损坏。由于稳压管的击穿是齐纳击穿,故稳压管也称为齐纳二极管。,1. 符号及稳压特性,利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。在正常稳压状态时,IZmax IZIZmin,当IZIZmax时,稳压

4、 管可能被销毁。,稳压管应用电路,在负载变化不大的场合,稳压管常用来做稳压电源,由于负载和稳压管并联,又称为并联稳压电源。稳压管在实际工作时要和电阻相配合使用。,2.3.2 发光二极管,发光二极管通过电流时将发出光来,又叫LED。应用:1、很多大型显示屏都是由矩阵式的LED构成的。2、作为将电信号变为光信号的元件。,双极型三极管通常简称为晶体三极管,也称为晶体管或三极管。,2.5.1 双极型三极管的分类及结构,2.5 双极型晶体管,2.5.1 双极型三极管的分类及结构,BJT按照制造材料分为锗管和硅管;按照工作频率分为低频管和高频管;按照允许耗散的功率大小分为小功率管、中功率管和大功率管。,小

5、功率管,中功率管,大功率管,双极型三极管的结构示意图及其符号,1、三个区、两个结、三个电极,下图是NPN管的结构及符号,2、符号中的箭头表示三极管导通时的电流方向,集电区,集电结,基区,发射区,发射结,双极型三极管的结构示意图及其符号,1、三个区、两个结、三个电极,下图是PNP管的结构及符号,2、符号中的箭头表示三极管导通时的电流方向,集电区,集电结,基区,发射区,发射结,初学者可以根据三极管符号中的箭头,1)分清电极:带箭头是发射极,箭头方向就是电流方向。,2)分清类型:箭头向外为NPN,向里为PNP 。,NPN管,PNP管,2.5.2 双极型晶体管的工作原理,1、放大的条件:,内部条件:,

6、(1)发射区掺杂浓度高 (2)基区薄且掺杂浓度低 (3)集电区面积大,外部条件:,(1)发射结正偏; (2)集电结反偏。,外部条件:,(1)发射结正偏; (2)集电结反偏。,NPN型: UCUB UE,PNP型: UE UB UC,(1)发射区向基区注入“多子”电子形成发射极电流IE,2、载流子运动情况与各极电流的形成(NPN),发射区:发射载流子 集电区:收集载流子 基区:传送和控制载流子,(2)扩散及一小部分电子在基区复合形成基极电流IB,(3)绝大部分电子被集电极收集,形成集电极电流IC,(1)发射区向基区注入“多子”电子形成发射极电流IE IE = IE n+ IEp IE n,(2)

7、扩散及一小部分电子在基区复合形成基极电流IB IB=IBn - ICBO IBn,(3)绝大部分电子被集电极收集,形成集电极电流IC IC=ICn+ ICBO ICn,3、电流分配关系,BJT中载流子的运动情况,IC= ICN+ ICBO,IE=IB+ IC,由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。,-,-,3.几个重要公式,例1: 在晶体管放大电路中,测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型(是NPN管还是PNP管,是硅管还锗管),并区分e、b、c三个电极。,(1)UB居中,

8、UE与UB相差小(零点几伏)。据此可判断三个电极。同时,又根据 UBE=0.7V(硅管 ) UBE=0.2V(锗管) 据此判断硅管和锗管。 (2)根据UB与UE 的大小或电流流向,可判断NPN型管还是PNP型管。,解:,e b c,NPN硅管,c b e,PNP硅管,c e b,PNP锗管,NPN型:UCUB UE PNP型:UE UB UC,三极管的三种连接方式(组态):,三极管有三个电极,可视为一个二端口网络,其中两个电极构成输入端口、两个电极构成输出端口,输入、输出端口公用某一个电极。根据公共电极的不同,三极管组成的放大电路有3种连接方式,通常称为放大电路的三种组态,即共基极、共发射极和

9、共集电极电路组态,如图2-36所示。,基极为公共电极,发射极为公共电极,集电极为公共电极,2.5.3 三极管的特性曲线,晶体三极管特性测试电路,重点,1. 输入特性曲线,UCE=0V,UCE 1V,(1) UCE = 0,相当于二极管的正向特性,(3) UCE 1V后, UCE, iC基本不变, iB亦基本不变,(2) UCE = 1V,曲线右移(原因是集电结反偏, iE 大部分被拉到集电区, iB ), 工程上UCE = 1V的曲线即可代表UCE 1V的情况。,特点:,120(A),160(A),200(A),放大区,截止区,饱和区,放大区(线性区):定义:发射结正偏、集电结反偏特点:1.

10、IC = IB ,具有恒流特性。2. UBE=0.7V(硅)/0.2v(锗),iB=0 (A),40(A),iB= 80(A),饱和区: 定义:发射结正偏集电结正偏或零偏特点:1、失去电流放大作用2、UCE = UCES = 0.3V(硅) / 0.1V(锗),截止区定义:发射结反偏或零偏,集电结反偏特点:1. IB 0,UBE小于死区电压2.三极管失去放大作用 , IC = ICEO 0,2. 输出特性曲线,uCE=uBE,小结:三极管处于何种状态的判定方法,三极管结偏置的判定法常用于已知结偏置情况下,1电流放大倍数 1)直流电流放大系数 2)交流电流放大系数 2极间反向电流 1)集电极基极

11、之间的反向饱和电流 2)集电极发射极之间的穿透电流 3集电极发射极之间反向击穿电压,2.5.4 晶体管的主要参数 (自学),5、 集电极最大允许功率损耗PCM,PCM= ICVCE,4集电极最大允许电流,PCM1W-小功率管,PCM10W-大功率管,10WPCM1W-中功率管,(自学),温度对BJT参数及特性的影响,(1) 温度对ICBO的影响,温度每升高10,ICBO约增加一倍。,(2) 温度对 的影响,温度每升高1, 值约增大0.5%1%。,(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响,温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。,2. 温度对BJT特

12、性曲线的影响,1. 温度对BJT参数的影响,第3章 晶体管放大电路基础3.1 放大电路的基本概念,3.1 放大电路的基本概念,3.1.1 放大器的基本概念,(2)放大要求:幅度放大,波形不失真,(3)放大实质:实现能量转换与控制,(1)放大对象:交流量(即变化量),即由一个能量较小的输入信号控制直流电源,使之转换成交流能量输出,驱动负载。,3.1 放大电路的基本概念,电子系统举例:收音机接收广播信号,广播电台,电磁感应,前置放大器,功率放大器,天线,扬声器,属于交流放大!,3.1.2 放大器的主要性能指标,1. 放大倍数:输出量与输入量之比,电压放大倍数是最常被研究和测试的参数,在工程上常用以

13、10为底的对数增益表达,其基本单位为B(贝尔,Bel),平时用它的十分之一单位dB(分贝,decibel的缩写)。,由于功率与电压(或电流)的平方成比例,因此功率增益表示为:,2. 输入电阻和输出电阻,将输出等效成有内阻的电压源,内阻就是输出电阻。,输入电压与输入电流有效值之比。,从输入端看进去的 等效电阻,输出电阻Ro的另一种求法:,Ro的求法:将信号源短路,即 =0,但保留Rs;且负载RL两端开路,即RL=时,短路,开路,3. 通频带,由于电容、电感及放大管PN结的电容效应,使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降(中频区的0.707倍),并产生相移。,衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。,4. 最大不失真输出电压Uom:交流有效值。,5. 最大输出功率Pom和效率:功率放大电路的参数,1、在晶体管放大电路中,测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型(是NPN管还是PNP管,是硅管还锗管),并区分e、b、c三个电极。,思考题,预习内容,习题课: 二极管典型电路分析、三极管状态判定课堂作业1本周小课进行第一次课堂作业,请各位同学认真复习,测试内容:二极管电路分析、三极管判定,课后作业,第2章习题 P55 2-4(a)(c)、2-6、2-11、2-13 课后作业下一周小课交,

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