波特率与比特率的差别

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1、波特率与比特率的差别波特率是每秒钟传送的信息位的数量。它是所传送代码的最短码元占有时间 的倒数。例如一个代码的最短时间码元宽度为20毫秒，则其波特率就是每秒50波特。20毫秒=0.02秒 波特率 1/0.02=50波特波特率是相区别于比特率的概念。波特率是单位时间内传送码元的数目，码 元就是你要用若个比特表示的最小单位，比如字节（8 比特）。比特率：单位时 间内传送比特的数目。比如传送字节（ 8 字节）的速度是100波特率，那么其比特率就是800。波特率就是电平变化的速度，假如说两个节点间通信， 用曼彻斯特码， 每秒 传 4 个比特哪他的波特率就是8 啦， ，电平变化一次就表示1 个波特率 在

2、信息传输通道中， 携带数据信息的信号单元叫码元，每秒钟通过信道传输的码 元数称为码元传输速率，简称波特率。波特率是传输通道频宽的指标。 每秒钟通过信道传输的信息量称为位传输速率，简称比特率。比特率表示 有效数据的传输速率。码元，波特率，比特率（既传输速率）的概念表述都没有 错，但我觉得这些是书中的定义，我来解释一下。 码元其实就是电平信号在信道 中传输的单位。一个码元对应一个电平信号。因而波特率就是码元的传输速率， 是相对于物理信号而言的。 比特(bit)是信息量的单位， 这我不多做解释了。 比特率是信息量的传输速率。 波特率与比特率的关系： 如若一个电平信号有2 种变化，既一个电平高或低，可

3、表示2 比特的信息， 0 或 1。 （二进制）如若一个电平信号有4 种变化，既一个电平1V，2V，3V， 4V，可表示 2 比特的信息， 00，01，10， 11。既比特率是 log2 M 倍的波特率（M 以 2 为底的对数） (M 为电平信号的变化数）。 如是二进制的话，则波特率=比特率。 波特率是：码元传输的速率单位。也称为调制速率、波形速率或符号速率。 比特是信息量的单位。与码元的传输速率” 波特” 是两回事。 上面有人说的什么： 0，1 之类的理解得不全面。 信息的传输速率 ” 比特/秒“ 与“ 波特“ 有一定的关系。若 1 个码元只携带 1 比特 的信息量，那么 ” 比特/秒“ 与“

4、 波特“ 在数值上是相等的。但1 个码元只携带 n 比特的信息量， 那么 M 波特码元的传输速率对应的信息的传输速率为Mn 比特/秒。 上面有人提到的 3HZ 的方波的码元的多少？ 用奈氏准则：理想低通信道的最高码元传输速率=2W 波特 其中 W 是理想低通信道的带宽， 那么， 3HZ 的方波的最高码元是6 波特（这是理想状态） 但是如果是带通信道的最高码元传输速率=W 波特 其中 W 是理想带通信道的带宽，那么，3HZ 的方波的最高码元是3 波特为 了提高每个码元能携带的信息量，采用多元制的调制方法。如16 元制时一个码 元可带 4 个比特的信息量。稳压二极管稳压二极管 (又叫齐纳二极管 )

5、 它的电路符号是 :此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件. 在这临界击穿点上 , 反向 电阻降低到一个很少的数值, 在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定, 稳压 二极管是根据击穿电压来分档的, 因为这种特性 , 稳压管主要被作为稳压器或电 压基准元件使用 . 其伏安特性见图 1, 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电 压上使用 , 通过串联就可获得更多的稳定电压. 稳压管的应用 : 1、 浪涌保护电路 (如图 2): 稳压管在准确的电压下击穿, 这就使得它可作为限制或保护之元件来使用, 因为各种 电压的稳压二极管都可以得到, 故对于这种应用特别适 宜. 图中的稳压二

6、极管 D是作为过压保护器件 . 只要电源 电压 VS超过二极管的稳压值D就导通 , 使继电器 J 吸合 负载 RL就与电源分开 . 2、 电视机里的过压保护电路 ( 如图 3):EC 是电视机主供电压 , 当 EC电压过高时 ,D 导通, 三极管 BG导通, 其集电极电位将由原来的高电平(5V) 变为低电平 , 通过待 机控制线的控制使电视机进入待机保护状态. 3、电弧抑制电路如图4: 在电感 线圈上并联接入一只合适的稳 压二极管 ( 也可接入一只普通二极管原理一样) 的话, 当 线圈在导通状态切断时 , 由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收 , 所以当开 关断开时 , 开关的电弧也就

7、被消除了 . 这个应用电路 在工业上用得比较多 , 如一些较大功率的电磁吸控制 电路就用到它 . 4、串联型稳压电路 ( 如图 5): 在此电路中 , 串联稳压管 BG的基极被稳压二极管D 钳定在 13V,那么其发射极就输出恒定的12V电压了 . 这个电路在很多场合下都有 应用晶体管射随电路在很多的电子电路中 ,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的 输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻抗较低)时,要用到缓冲电路 ,从而达 到增强电路的带负载能力和前后级阻抗匹配,晶体管射随器就是一种达到上述功 能的缓冲电路。 晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三极管三大电路形式之一

8、(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路基本形式如图A1 所示. 根据图 A1 的等效电路可知 ,发射极电流 Ie=Ib+Ic 又因为 Ic= *Ib ( 是晶体管的 直 流 放 大 系 数 ) 所 以Ie=Ib+ *Ib=Ib(1+ ), 又 根 据 电 路 回 路 电 压 定 律:Vi=Ib(Rb+Rbe )+Ie*Re=Ib(Rb+Rbe)+Ib(1+)Re(Rb是晶体管基极电阻 ,Rbe是基 极与发射极之间的电阻 ,由于 Rb和 Rbe较少可忽略 ,那么 Vi= Ib(1+ )Re,根据欧姆 定律,电路的输入阻抗为Vi/Ib=Ib(1+)Re/Ib=Re(1+ )。从此式可见电路的输

9、入阻 抗是 Re 的 1+倍，电路的输出阻抗等于Rc 与 Re 的并联总阻抗 .经上述分析得 出结论：晶体管射随电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。晶体管电子滤波器在很多电子电路中 ,特别是一些小信号放大电路,其电源往往会加入一级晶体管电 子滤波器 ,其电路结构如图J1,设图的右边是一个与电子滤波效果一样的普通RC 滤波电路 ,则它们有以下关系 :图的左边Uec=Ib*R1+Ueb=Ib*R1 因为 Iec=*Ib( 为晶 体管的直流放大系数 ) 所以有 Uec=(Iec/ )*R1 图的右边 Uec=Rec*Iec 由 于左 右图互相等效所以有 Rec*Iec=(Iec/)*R1得 Re

10、c=R1/ 两滤波器的滤波性能一般用R 与 C 的乘积来衡量 ,所以有 : R1*C1=Rec*C1=(R1/ )*C1 C1=C1/ 由上式可知 ,电子滤波器所需的电容C1 比一般 RC滤波器所需电容少 倍.打个比 方设晶体管的直流放大系数=100, 如果用一般RC 滤波器所需电容容量为 1000F, 如采用电子滤波器那么电容只需要10F就满足要求了 . 场效应管现在越来越多的电子电路都在使用 场效应管 ,特别是在音响领域更是如此, 场效应管与晶体管不同,它是一种电压 控制器件 (晶体管是电流控制器件),其 特性更象电子管 ,它具有很高的输入阻 抗,较大的功率增益 ,由于是电压控制器 件所以

11、噪声小 ,其结构简图如图 C-a. 场效应管是一种单极型晶体管,它只 有一个 P-N 结,在零偏压的状态下 ,它是 导通的 ,如果在其栅极(G)和源极 (S)之 间加上一个反向偏压 (称栅极偏压 )在反 向电场作用下 P-N 变厚(称耗尽区 )沟道 变窄,其漏极电流将变小 ,(如图 C1-b),反 向偏压达到一定时 ,耗尽区将完全沟道 “ 夹断 “,此时 ,场效应管进入截止状态如 图 C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断 电压,用 Vpo 表示,它与栅极电压 Vgs 和 漏 源 电 压Vds 之 间 可 近 以 表 示 为 Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是 Vgs 的绝对 值. 在

12、制造场效应管时,如果在栅极材料 加入之前 ,在沟道上先加上一层很薄的 绝缘层的话 ,则将会大大地减小栅极电 流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一 绝缘层的存在 ,场效应管可工作在正的 偏置状态 ,我们称这种场效应管为绝缘 栅型场效应管 ,又称 MOS 场效应管 ,所 以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置 和正向偏置状态 ,一种是结型栅型效应管 ,它只能工作在反向偏置状态. 绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗 尽型场效应管 ,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当 Vgs=0 时 Id(漏极电流 )=0,只

13、有当 Vgs 增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流 产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs 为开启电压 . 耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压 )下工作 ,而且栅 极上基本无栅流 (非常高的输入电阻 ). 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效 管应用的电路不能用结型栅场效应管代替 . 可控硅二极管可控硅在自动控制 控制，机电领域，工业电 气及家 电等方 面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件， 平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制 信号对其触发或称“点火”使其道通，一旦被点火 就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截

14、止 可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅 二极管的电流减少到某一个值以下。可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和 N-P-N）晶体管来模拟，如图G1 所示。当可控硅的栅极悬空时，BG1和 BG2都处于截止状态，此时电路基本上没 有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使 BG1的基 极电位下降， BG1因此开始道通， BG1的道通使得 BG2的基极电位进一步升高， BG1的基极电位进一步下降， 经过这一个正反馈过程使BG1和 BG2进入饱和道通 状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于 正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳

15、极和阴极加上反向电压，由于 BG1和 BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL 的阻值使电路电流减少BG1和 BG2的基电流也将减少， 当减少到某一个值时由于 电路的正反馈作用， 电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为 维持电流。在实际应用中， 我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而 达到可控硅的关断。应用举例可控硅在实际应用中电路花样最多的是其栅极触发回路，概括起来有直流触发电 路，交流触发电路，相位触发电路等等。 1。直流触发电路：如图G2是一个电视机常用的过压保护电路，当E+电压过高 时 A点电压也变高， 当它高于稳压管 DZ的稳压值时 D

16、Z道通，可控硅 D受触发而 道通将 E+短路，使保险丝 RJ熔断，从而起到过压保护的作用。2。相位触发电路：相位触发电路实际上是交流触发电路的一种，如图G3 ，这个 电路的方法是利用RC回路控制触发信号的相位。当R值较少时， RC时间常数较 少，触发信号的相移A1较少，因此负载获得较大的电功率；当R值较大时， RC 时间常数较大，触发信号的相移A2较大，因此负载获得较少的电功率。这个典 型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。什么叫压缩倍频程视频信号的频率范围为50HZ-6.5MHZ,共有 18 个倍频程 (50*2*2*2),按照 磁带的重放特性 , 每提高一个倍频程信号电平上升6DB,那么视频信号的动态范 围就是 6*18=108DB,这远远超出磁带的动态范围. 为此要记录视频信号就要压缩 倍频程 , 在录象机中是采用将视频亮度信号进行调频记录方式, 通过控制调制指数使 FM的频偏在 1.1MHZ-7.8MHZ内, 这样使倍频程减少到少于 3, 因而适应磁带记录 动态范围的要求。电路的