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1、第二章 逻辑门电路,2.1 基本逻辑门电路,2.2 TTL逻辑门电路,2.3 MOS逻辑门电路,2.4 集成逻辑门电路的应用,2.5 正负逻辑及逻辑符号的变换,一、二极管与门和或门电路 1与门电路,2.1 基本逻辑门电路,2或门电路,二、三极管非门电路,二极管与门和或门电路的缺点：,（1）在多个门串接使用时，会出现低电平偏离标准数值的情况。 （2）负载能力差。,解决办法：将二极管与门（或门）电路和三极管非门电路组合起来。,三、DTL与非门电路,工作原理：（1）当A、B、C全接为高电平5V时，二极管D1D3都截止，而D4、D5和T导通，且T为饱和导通， VL=0.3V，即输出低电平。 （2）A、
2、B、C中只要有一个为低电平0.3V时，则VP1V，从而使D4、D5和T都截止，VL=VCC=5V，即输出高电平。 所以该电路满足与非逻辑关系，即：,2.2 TTL逻辑门电路,一、TTL与非门的基本结构及工作原理 1TTL与非门的基本结构,TTL与非门的基本结构,2TTL与非门的逻辑关系,（1）输入全为高电平3.6V时。T2、T3饱和导通，,实现了与非门的逻 辑功能之一： 输入全为高电平时， 输出为低电平。,由于T2饱和导通，VC2=1V。,T4和二极管D都截止。,由于T3饱和导通，输出电压为：VO=VCES30.3V,该发射结导通，VB1=1V。T2、T3都截止。,（2）输入有低电平0.3V
3、时。,实现了与非门的逻辑 功能的另一方面：输入有低电平时，输出为高电平。,忽略流过RC2的电流，VB4VCC=5V 。,由于T4和D导通，所以：VOVCC-VBE4-VD=5-0.7-0.7=3.6（V）,综合上述两种情况，该电路满足与非的逻辑功能，即：,二、TTL与非门的开关速度,1TTL与非门提高工作速度的原理 （1）采用多发射极三极管加快了存储电荷的消散过程。,（2）采用了推拉式输出级，输出阻抗比较小，可迅速给负载电容充放电。,2TTL与非门传输延迟时间tpd,导通延迟时间tPHL从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的中点所经历的时间。,一般TTL与非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒十
4、几个纳秒。,截止延迟时间tPLH从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。,与非门的传输延迟时间tpd：,三、TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力,1电压传输特性曲线： Vo=f（Vi）,（1）输出高电平电压VOH在正逻辑体制中代表逻辑“1”的输出电压。VOH的理论值为3.6V，产品规定输出高电压的最小值VOH（min）=2.4V。 （2）输出低电平电压VOL在正逻辑体制中代表逻辑“0”的输出电压。VOL的理论值为0.3V，产品规定输出低电压的最大值VOL（max）=0.4V。 （3）关门电平电压VOFF是指输出电压下降到VOH（min）时对应的输入电压。即输入低电压的最大值
5、。在产品手册中常称为输入低电平电压，用VIL（max）表示。产品规定VIL（max）=0.8V。,2几个重要参数,（4）开门电平电压VON是指输出电压下降到VOL（max）时对应的输入电压。即输入高电压的最小值。在产品手册中常称为输入高电平电压，用VIH（min）表示。产品规定VIH（min）=2V。,（5）阈值电压Vth电压传输特性的过渡区所对应的输入电压，即决定电路截止和导通的分界线，也是决定输出高、低电压的分界线。近似地：VthVOFFVON即ViVth，与非门关门，输出高电平；ViVth，与非门开门，输出低电平。Vth又常被形象化地称为门槛电压。Vth的值为1.3V1.V。,低电平噪声
6、容限 VNLVOFF-VOL（max）0.8V-0.4V0.4V 高电平噪声容限 VNHVOH（min）-VON2.4V-2.0V0.4V,TTL门电路的输出高低电平不是一个值，而是一个范围。,3抗干扰能力,同样，它的输入高低电平也有一个范围，即它的输入信号允许一定的容差，称为噪声容限。,四、TTL与非门的带负载能力,1输入低电平电流IIL与输入高电平电流IIH （1）输入低电平电流IIL是指当门电路的输入端接低电平时，从门电路输入端流出的电流。,可以算出：,产品规定IIL1.6mA。,（2）输入高电平电流IIH是指当门电路的输入端接高电平时，流入输入端的电流。 有两种情况:,寄生三极管效应：
7、IIH=PIB1， P为寄生三极管的电流放大系数。,由于p和i的值都远小于1， 所以IIH的数值比较小，产品规定：IIH40uA。,倒置的放大状态：IIH=iIB1， i为倒置放大的电流放大系数。,（1）灌电流负载当驱动门输出低电平时，电流从负载门灌入驱动门。,2带负载能力,当负载门的个数增加，灌电流增大，会使T3脱离饱和，输出低电平升高。因此，把允许灌入输出端的电流定义为输出低电平电流IOL，产品规定IOL=16mA。由此可得出:,NOL称为输出低电平时的扇出系数。,（2）拉电流负载当驱动门输出高电平时，电流从驱动门拉出,流至负载门的输入端。,NOH称为输出高电平时的扇出系数。,产品规定:I
8、OH=0.4mA。 由此可得出：,拉电流增大时，RC4上的压降增大，会使输出高电平降低。因此，把允许拉出输出端的电流定义为输出高电平电流IOH。,一般NOLNOH，常取两者中的较小值作为门电路的扇出系数，用NO表示。,五、TTL与非门举例7400,7400是一种典型的TTL与非门器件，内部含有4个2输入端与非门，共有14个引脚。引脚排列图如图所示。,六、 TTL门电路的其他类型,1非门,2或非门,3与或非门,在工程实践中，有时需要将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑，称为线与。普通的TTL门电路不能进行线与。为此，专门生产了一种可以进行线与的门电路集电极开路门。,4集电极开路门（ OC门）,
9、（1）实现线与。 逻辑关系为:,OC门主要有以下几方面的应用：,（2）实现电平转换。 如图示，可使输出高电平变为10V。,（3）用做驱动器。 如图是用来驱动发光二极管的电路。,（1）当输出高电平时，RP不能太大。RP为最大值时要保证输出电压为VOH（min）。,OC门进行线与时，外接上拉电阻RP的选择：,得：,（2）当输出低电平时,所以： RP（min）RPRP（max）,由：,得：,RP不能太小。RP为最小值时要保证输出电压为VOL（max）。,（1）三态输出门的结构及工作原理。 当EN=0时，G输出为1，D1截止，相当于一个正常的二输入端与非门，称为正常工作状态。 当EN=1时，G输出为0
10、，T4、T3都截止。这时从输出端L看进去，呈现高阻，称为高阻态，或禁止态。,5三态门,去掉非门G，则EN=1时，为工作状态， EN=0时，为高阻态。,三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。 （a）组成单向总线实现信号的分时单向传送。,（b）组成双向总线， 实现信号的分时双向传送。,（2）三态门的应用,七、TTL集成逻辑门电路系列简介,174系列为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。 274L系列为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。 374H系列为高速TTL系列。 474S系列为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。,74S系列的几点改进： （1）采用了抗饱和三极管,574LS系列为低
11、功耗肖特基系列。 674AS系列为先进肖特基系列， 774ALS系列为先进低 功耗肖特基系列。,（2）将Re2用“有源泄放电路代替”。 （3）输出级采用了达林顿结构。 （4）输入端加了三个保护二极管。,74S系列的几点改进： （1）采用了抗饱和三极管,所以输出为低电平。,一、 NMOS门电路 1NMOS非门,2.3 MOS逻辑门电路,逻辑关系：（设两管的开启电压为VT1=VT2=4V，且gm1gm2 ） （1）当输入Vi为高电平8V时，T1导通，T2也导通。因为gm1gm2，所以两管的导通电阻RDS1RDS2，输出电压为：,（2）当输入Vi为低电平0V时，,2NMOS门电路 （1）与非门,T1
12、截止，T2导通。VO=VDD-VT=8V =VOH ，即输出为高电平。所以电路实现了非逻辑。,（2）或非门,1逻辑关系： （设VDD（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|） （1）当Vi=0V时，TN截止，TP导通。输出VOVDD。 （2）当Vi=VDD时，TN导通，TP截止，输出VO0V。,二、CMOS非门,CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET互补而成。,（1）当Vi2V，TN截止，TP导通，VoVDD=10V。,2电压传输特性：,CMOS门电路的阈值电压 Vth=VDD/2,（设: VDD=10V， VTN=|VTP|=2V）,（2）当2VVi5V，TN工作在
13、饱和区，TP工作在可变电阻区。,（3）当Vi=5V，两管都工作在饱和区，Vo=（VDD/2）=5V。,（4）当5VVi8V，TP工作在饱和区，TN工作在可变电阻区。,（5）当Vi8V，TP截止，TN导通，Vo=0V。,3工作速度,由于CMOS非门电路工作时总有一个管子导通，所以当带电容负载时，给电容充电和放电都比较快。CMOS非门的平均传输延迟时间约为10ns。,（2）或非门,三、其他的CMOS门电路,1CMOS与非门和或非门电路 （1）与非门,（3）带缓冲级的门电路,为了稳定输出高低电平，可在输入输出端分别加反相器作缓冲级。,后级为与或非门，经过逻辑变换，可得：,2CMOS异或门电路,由两级
14、组成，前级为或非门，输出为,当EN=1时，TP2和TN2同时截止，输出为高阻状态。所以，这是一个低电平有效的三态门。,3 CMOS三态门,当EN=0时，TP2和TN2同时导通，为正常的非门，输出,4 CMOS传输门,工作原理：（设两管的开启电压VTN=|VTP|）,（1）当C接高电平VDD， 接低电平0V时，若Vi在0VVDD的范围变化，至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入传到输出，即Vo=Vi。,（2）当C接低电平0V， 接高电平VDD，Vi在0VVDD的范围变化时，TN和TP都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。,1CMOS逻辑门电路的系列 （1）基本的CMOS4000系列。 （2）
15、高速的CMOSHC系列。 （3）与TTL兼容的高速CMOSHCT系列。 2CMOS逻辑门电路主要参数的特点 （1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.01VDD。 所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。 （2）阈值电压Vth约为VDD/2。 （3）CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。 （4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门； （5）因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。,四、 CMOS逻辑门电路的系列及主要参数,一、TTL与CMOS器件之
16、间的接口问题两种不同类型的集成电路相互连接，驱动门必须要为负载门提供符合要求的高低电平和足够的输入电流，即要满足下列条件：驱动门的VOH（min）负载门的VIH（min） 驱动门的VOL（max）负载门的VIL（max） 驱动门的IOH（max）负载门的IIH（总）驱动门的IOL（max）负载门的IIL（总）,2.4 集成逻辑门电路的应用,（b）用TTL门电路驱动5V低电流继电器，其中二极管D作保护，用以防止过电压。,二、TTL和CMOS电路带负载时的接口问题,1对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动。（a）用TTL门电路驱动发光二极管LED，这时只要在电路中串接一个约几百W的限流电阻即可。,2带大电流负载,（a）可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器。,
