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1、引上速度物語引上速度上 本当話1単結晶成長？内過冷 却融液種結晶 接触 、核 働、 原子付着 固化固化際凝固 潜熱発生 成長持続 潜 熱奪必要 引上 過程成長速 度規制主 因子考 2潜熱逃？潜熱結晶伝 外逃（図中 ）、界面融液 熱流込 CZ熱流 （ 矢印流不安定）3最大引上速度何？潜熱放出固液界面近傍熱近似的取扱。Q4+Q5Q6 ， (1)Q4融液熱伝導率融液温度勾配断面積KL(dT/dXL) SLQ5潜熱密度引上速度断面積LPSiQ結晶熱伝導率結晶温度勾配断面積Ks(dT/dxs)SSKL(dT/dXL)+LLPKs(dT/dxs) , （）最大引上速度Pmax融液界面熱流 得。PmaxKs
2、(dT/dxs)（/LL） , (3)結晶温度勾配依存、“結晶mm/min以上 （劉伝熱解析確認予定）。Q4QQQ4：融液界面流熱Q5:界面発生潜熱Q6：界面結晶流熱均一直径制御下 、熱流一次元 的仮定4引上速度上？(2)式書、PKs(dT/dxs) KL(TB-Ti)/TL , (4) TB融液側温度、Ti界面温度、 T 拡散境界層 、 T1.61（KL/LCL)1/31/6-1/2 , (5) CL比熱、動粘性、結晶相対回転速度P大、 手段1： TB小 電力下 手段2： T 大 回転下手段3： dT/dxs大 輻射使用普段、手段1用、手段1、手段2限界、手段3（輻射）頼陥 。 本当？ 手段
3、1、見限界、高速化制限要因。 要因取除手段3活。 5、手段1（電力）限界？非常不思議直径制御（電力）引上速度（SL）（直径制 御SL行）？ 電力上直径制御得 6通常直径制御SL、電力ADC(Automatic Diameter Control）計測直径 設定直径 SL補正計測SL（ADC1) 設定SL 電力補正（ADC2)比 較偏差比 較偏差参考：各制御直径偏差 上記PIV制御相当7普通単結晶長直径SL電力Short-term 制御（擾乱直径変動対応）Long-term 制御（熱環境変化直径変化対応）8電力下？SL電力下 結晶変形（捩、方形化）変所DF崩事？9電力下？魔低温領域魔低温領域存在電
4、力下低温領域温度 下過冷却低温領域結晶結晶変形異物核融液氷異物結晶付着DF崩内異物低温領域回転上低温領域壁 側温度中心距離融液表面温度分布10魔低温領域現？結晶（）（熱源）熱源伝導熱移動 場合、熱源近側温度絶対低 融液対流関与！ （ 3頁図矢印不安定流）誰考磁場融液対流止！正解融液対流関与？手上11魔低温領域二対流融液表 面衝突形成最高温部石英小R部境熱対流 上下分岐問題。上対流更 分岐表面衝突12魔低温領域（融液流）変磁場？G程度磁場流速 弱流変化 （数千G強磁場変化可能性 、未検証）回転？基本的流変。 、回転上魔低温 領域壁側寄13手段1限界引上速度規制要因 電力限界対二熱対流魔低温領域形
5、成魔低温領域結晶変形、DF崩今回転大魔低温領域結晶離、以上融液温度（電力）下魔低温領域過冷却発生 14手段2限界？結晶回転/回転large/smallcounter-rot融液流点好適=largecounterrotation好適（低Oi）=mallSL低Oi化回転下、 回転下困難？ 前述、魔低温領域成長界面寄15高速引上実現、輻射結晶温度勾配大 先、魔低温領域退治必要結 論16退治？強磁場印加装置複雑高価用電力冷却水必要用電力（発熱 成長界面伝）磁場使 魔低温領域退治 方法17正体？温度温度従来方式新方式内融液表面径方向（1/2R)温度分布比較（原理図）新HZ発展型石英温度均一従融液流 単純
6、化、結果魔低温領域消滅。18補足説明19 Phase1. T-過冷却（thermal convection induced supercooling)退治 Phase2 F-過冷却（forced convection induced supercooling)退治 量、回転、結晶回転、圧、流量、 形状等引上影響受。最 適化 Phase3 心結晶温度勾配大位置 Phase3引上速度、工程短縮、省 略、高速冷却工程短縮思。 新HZ有利働。20流 滞留HZ構成、 問題起。？ 要流 従来HZT-過冷却異物 HZ単純大流統一熱対流石英間融 液表面（表面張力）流起因小対流渦巻 。異物安全。 但、引上進行d
7、eep meltsallow melt変丁度 melt level石英小R部入込、熱対流 壁下上、中心 流。、異物巻込結晶成長界面 運現象現。、引上調整回避 、一応頭下。、新HZ高速引上 良、DF判定限 。念。21 追記 FTSi、T-過冷却退治前F-過冷却頭出 。結晶回転15rpm大非軸対称 性示。流偏、偏芯 。 一、液面振動大気。Ferro機特徴的 現象思、念上海他社製装置 比較。 液面振動大直径制御可能性 。 、FTSiSL0.7mm/min以下 、T-過冷却結晶間適当置状態 ,（現在壁際考）F-過冷却 、世間並0.9mm/min突破FTSi勉 強会中行。今、0.85mm/min、 1.0mm/min期待。22伝熱解析精度温度均一化検証温度測定 測定箇所 底、小R部初期 想定方法 位置穴開熱伝対通石英外側温度 測定 通熱伝対介外取出 、KX-300方式採用、成功。 融液温度測定 測定方法 熱伝対固定冶具取付、上下測定。 備考 温度均一化制御理想、上述本熱 伝対in-siti、調整 。KX-300 方式採用次第。実験機、方式挑戦 宜思。23
