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1、1.2 半导体三极管一、三极管的结构和符号一、三极管的结构和符号 二、三极管的电流放大原理二、三极管的电流放大原理 三、三极管的共射输入特性和输出特性三、三极管的共射输入特性和输出特性 四、主要参数四、主要参数 五、温度对三极管特性的影响五、温度对三极管特性的影响 六、电路模型六、电路模型一、三极管的结构和符号一、三极管的结构和符号NNP发射区： 多子浓度高基区： 多子浓 度很低，且很薄集电区： 面积大发射极e基极b集电极c发射结集电结ecbNPNecbPNP二、三极管的电流放大原理二、三极管的电流放大原理 ICmAAVVUCEUBERBIBVCCVBB1 1、一组试验数据分析、一组试验数据分
2、析2、三极管放大的内部外部条件ecbNPN三极管若实现放大，必须 从三极管内部结构和外部 所加电源的极性来保证beceRCRBIEIBNICN3、三极管内部载流子的运动NPNVCCceb因发射区多子浓度高使 大量电子从发射区扩散 到基区因基区薄且多子浓度低 ，使极少数扩散到基区 的电子与空穴复合因集电区面积大，在外 电场作用下大部分扩散 到基区的电子漂移到集 电区beceRCRBIEIBNICNNPNVCCcebICBO少数载流 子的运动ICIB5、电流分配关系共发射极直流电流放 大系数：几十到几百共基极直流电流放大 系数：0.95-0.99例例: :某放大电路中某放大电路中BJTBJT三个电
3、极的电流如图所三个电极的电流如图所 示。示。I IA A-2mA,I-2mA,IB B-0.04mA,I-0.04mA,IC C+2.04mA,+2.04mA,试判断试判断 管脚、管型。管脚、管型。A AB BC CI IA AI IB BI IC C三、三极管的共射输入特性和输出特性1、输入特性2、输出特性1、输入特性为什么UCE增大曲线右 移？对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性 曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安 特性？为什么UCE增大到一定 值曲线右移就不明显了 ？2 2、输出特性、输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线 。为什么
4、uCE较小时 iC随uCE变化很大 ？为什么进入放大 状态，iC曲线几乎 是横轴的平行线 ？饱和区 放大区截止区3 3、晶体管的三个工作区域、晶体管的三个工作区域状态发射结集电结IC截止UBE(th)反偏0(ICEO)放大 UBE(th)反偏iB饱和 UBE(th) 正偏 iB硅:UCES 0.3V锗: UCES 0.1ViCiB4 4、电压放大原理、电压放大原理描述电流的 微小 变化 之间的关系IB+ibIC+icIE+ieUO+uoRL+-简单的电压 放大电路晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几 乎仅仅决定于输入回路电流 iB；即可将输出回 路等效为电流 iB 控制的电流源iC 例
5、：测量某例：测量某NPNNPN型型BJTBJT各电极对地的电压值如各电极对地的电压值如 下，试判别管子工作在什么区域？下，试判别管子工作在什么区域？1 1）V VC C6V6V V VB B0.7V0.7V V VE E0V0V2 2）V VC C6V6V V VB B4V4V V VE E3.6V3.6V3 3）V VC C3.6V3.6V V VB B4V4V V VE E3.3V3.3V例：测得工作在放大电路中几个晶体管三例：测得工作在放大电路中几个晶体管三 个电极的电位个电极的电位U U1 1、U U2 2、U U3 3分别为：分别为：1 1）U U1 1=3.5V=3.5V、U U2
6、 2=2.8V=2.8V、 、 U U3 3=12V=12V2 2）U U1 1=6V=6V、 、 U U2 2=11.8V=11.8V、 、 U U3 3=12V=12V 判断它们是判断它们是NPNNPN型还是型还是PNPPNP型？是硅管还是型？是硅管还是 锗管？并确定锗管？并确定e e、b b、c c。1、分别分析uI=0V、 5V时T是工作在截止状 态还是导通状态； 2、已知T导通时的UBE 0.7V，若当uI=5V， 则在什么范围内T处 于放大状态，在什么范 围内T处于饱和状态？例：通过uBE是否大于 UBE(th)判断管子是否导 通判断饱和、放大的一般方法 ： 1、电位法 2、电流判
7、别法3、假设法2、极间反向饱和电流ICBO、ICEO有害电流，由 少子运动形成穿透电流四、主要参数 1、电流放大系数c-e间击穿电压最大集电极耗散 功率PCM=iCuCE安全工作区3、极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO最大集电 极电流五、温度对三极管的影响五、温度对三极管的影响六、电路模型六、电路模型1 1、大信号模型、大信号模型UBE(on)ECBEICIBIB放大状态UBE(on)ECBEICIBUCES 饱和状态,等效 于开关闭合ECBEICIB截止状态2 2、小信号模型、小信号模型1 1）低频）低频 简化简化型等效电路型等效电路ibicuceube+-+-icibibube+-uce+-rbebec晶体管的b、e之间 可用rbe等效代替晶体管的c、e之间 可用一受控电流源 ic=ib等效代替电流方向与ib的 方向是关联的。 静态电流rbb基区的体电 阻,查阅手册发射结电阻rberbb bceibbibrberbb bcegmubebib跨导：自变量是交流电压rce很大，基区宽度效应rbbrbeCbeCbcgmubebcbee2)三极管的高频微变等效电路集电结电容发射结 电容手册查得由fT计 算得到
