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1、第三节节 晶体结结构与性质质目录考纲纲展示1理解离子键键的形成，能根据离子化合物的结结构特征解释释其物理性质质。2了解原子晶体的特征，能描述金刚刚石、二氧化硅等原子晶体的结结构与性质质的关系。3理解金属键键的含义义，能用金属键键理论论解释释金属的一些物理性质质。4了解分子晶体与原子晶体、离子晶体、金属晶体的结结构微粒、微粒间间作用力的区别别。本节目录考点串讲深度剖析知能演练高分跨栏教材回顾夯实双基目录教材回顾夯实双基一、晶体与晶胞1晶体与非晶体(1)晶体与非晶体的区别别晶体非晶体结结构特征结结构微粒_排列结结构微粒_排列质质特征性自范性有无熔点固定不固定异同表现现各向异性各向同性二者区别别方法
2、间间接方法 测测定其是否有固定的_科学方法 对对固体进进行X 射线线衍射实验实验周期性有序无序熔点目录(2)获获得晶体的三条途径熔融态态物质质凝固。气态态物质质冷却不经经液态态直接凝固(凝华华)。溶质质从溶液中析出。2晶胞(1)晶胞：晶胞是描述晶体结结构的基本单单元。(2)晶体与晶胞的关系数量巨大的晶胞“_”构成晶体。无隙并置目录二、常见见晶体类类型的结结构和性质质1四种晶体类类型比较较类类型比较较 分子晶体原子晶体金属晶体离子晶体构成粒子分子原子金属阳离子、自由电电子阴、阳离子粒子间间的相互作用力_(某些含氢键氢键 )共价键键金属键键离子键键硬度较较小很大有的很大，有的很小较较大熔、沸点较较
3、低很高有的很高，有的很低较较高溶解性相似相溶难难溶于任何溶剂剂常见见溶剂剂难难溶大多易溶于水等极性溶剂剂范德华华力目录类类型比较较 分子晶体原子晶体金属晶体离子晶体导电导电 、传传热热性一般不导电导电 ，溶于水后有的导电导电一般不具有导电导电 性电电和热热的良导导体晶体不导电导电 ，水溶液或熔融态导态导电电物质类质类别别及举举例大多数非金属单质单质 、气态态氢氢化物、酸、非金属氧化物(SiO2除外)、绝绝大多数有机物(有机盐盐除外)部分非金属单质单质 (如金刚刚石、硅、晶体硼)，部分非金属化合物(如SiC、SiO2)金属单单质质与合金(如Na、Al、Fe、青铜铜)金属氧化物(如K2O、Na2O
4、)、强碱(如KOH、NaOH)、绝绝大部分盐盐(如NaCl)目录2典型晶体模型晶体晶体结结构晶体详详解原子晶体金刚刚石(1)每个碳与相邻邻4个碳以共价键结键结 合，形成正四面体结结构(2)键键角均为为10928(3)最小碳环环由_个C组组成且六原子不在同一平面内(4)每个C参与4条CC键键的形成，C原子数与CC键键数之比为为_SiO2(1)每个Si与4个O以共价键结键结 合，形成正四面体结结构(2)每个正四面体占有1个Si,4个 ，n(Si)n(O)12(3)最小环环上有_个原子,即6个O,6个Si61212目录晶体晶体结结构晶体详详解分子晶体干冰(1)8个CO2分子构成立方体且在6个面心又各
5、占据1个CO2分子(2)每个CO2分子周围围等距紧邻紧邻 的CO2分子有_个离子晶体NaCl型(1)每个Na(Cl)周围围等距且紧邻紧邻的Cl(Na)有_个每个Na周围围等距且紧邻紧邻 的Na有_个(2)每个晶胞中含4个Na和4个ClCsCl型(1)每个Cs周围围等距且紧邻紧邻 的Cl有_个，每个Cs(Cl)周围围等距且紧邻紧邻 的Cs(Cl)有_个(2)如图为图为 8个晶胞，每个晶胞中含1个Cs、1个Cl126128 6目录晶体晶体结结构晶体详详解金属晶体简单简单 立方堆积积典型代表Po，配位数为为_，空间间利用率52%面心立方最密堆积积又称为为A1型或铜铜型，典型代表Cu、Ag、Au，配位
6、数为为_，空间间利用率74%体心立方堆积积又称为为A2型或钾钾型，典型代表Na、K、Fe，配位数为为_，空间间利用率68%六方最密堆积积又称为为A3型或镁镁型,典型代表Mg、Zn、Ti,配位数为为_,空间间利用率74%612812目录考点串讲深度剖析考点1晶胞组组成的计计算方法分割法目录特别别提醒：(1)具有规则规则 几何外形的固体不一定是晶体，如玻璃；(2)晶胞是从晶体中“截取”出来具有代表性的最小部分，而不一定是最小的“平行六面体”；(3)在计计算晶胞中微粒个数的过过程中，不是任何形状的晶胞均可使用均摊摊法，注意分析不同位置的微粒被几个晶胞共有。目录例1目录【答案】 (1)BaPbO3 1
7、2 (2)4目录即时应时应 用1(2012高考课标课标 全国卷)A族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现现出多种氧化态态，含A族元素的化合物在研究和生产产中有许许多重要用途。请请回答下列问题问题 ：(1)S单质单质 的常见见形式为为S8，其环环状结结构如下图图所示，S原子采用的轨轨道杂杂化方式是_；(2)原子的第一电电离能是指气态电态电 中性基态态原子失去一个电电子转转化为为气态态基态态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电电离能由大到小的顺顺序为为_；目录目录(6)ZnS在荧荧光体、光导导体材料、涂料、颜颜料等行业业中应应用广泛立方ZnS晶体结结构如图图所示，其晶
8、胞边长为边长为 540.0 pm，密度为为_gcm3(列式并计计算)，a位置S2离子与b位置Zn2离子之间间的距离为为_pm(列式表示)。目录目录(5)所给给两种酸均为为二元酸，当第一步电电离出H后，由于生成的阴离子对对正电电荷有吸引作用，因此较难较难 再电电离出H。H2SeO3中Se为为4价，而H2SeO4中Se为为6价，Se的正电电性更高，导导致SeOH中O原子的电电子向Se原子偏移，因而在水分子的作用下，也就越容易电电离出H，即酸性越强。目录目录目录考点2晶体熔、沸点高低的比较较方法1不同类类型晶体熔、沸点的比较较(1)不同类类型晶体的熔、沸点高低一般规规律：原子晶体离子晶体分子晶体。(
9、2)金属晶体的熔、沸点差别别很大，如钨钨、铂铂等熔、沸点很高，汞、铯铯等熔、沸点很低。目录目录(3)分子晶体分子间间作用力越大，物质质的熔、沸点越高；具有氢键氢键 的分子晶体熔、沸点反常的高。如H2OH2TeH2SeH2S。组组成和结结构相似的分子晶体，相对对分子质质量越大，熔、沸点越高，如SnH4GeH4SiH4CH4。组组成和结结构不相似的物质质(相对对分子质质量接近)，分子的极性越大，其熔、沸点越高，如CON2，CH3OHCH3CH3。(4)金属晶体金属离子半径越小，离子电电荷数越多，其金属键键越强，金属熔、沸点就越高，如熔、沸点：NaKClRbCl MgO晶体为为离子晶体，离子所带电带
10、电 荷越多，半径越小，晶格能越大，熔点越高目录即时应时应 用2C和Si元素在化学中占有极其重要的地位。(1)写出Si的基态态原子核外电电子排布式_。从电负电负 性角度分析C、Si和O元素的非金属活泼泼性由强至弱的顺顺序为为_。(2)SiC的晶体结结构与晶体硅的相似，其中C原子的杂杂化方式为为_，微粒间间存在的作用力是_，SiC和晶体Si的熔、沸点高低顺顺序是_。(3)氧化物MO的电电子总总数与SiC的相等，则则M为为_(填元素符号)。MO是优优良的耐高温材料，其晶体结结构与NaCl晶体相似。MO的熔点比CaO的高，其原因是_，Na、M、Ca三种晶体共同的物理性质质是_(填序号)。有金属光泽泽
11、导电导电 性 导热导热 性 延展性目录(4)C、Si为为同一主族的元素，CO2和SiO2的化学式相似，但结结构和性质质有很大的不同。CO2中C与O原子间间形成键键和键键，SiO2中Si与O原子间间不形成上述键键。从原子半径大小的角度分析，为为何C、O原子间间能形成上述键键，而Si、O原子间间不能形成上述键键：_，SiO2属于_晶体，CO2属于_晶体，所以熔点CO2_SiO2(填“”)。(5)金刚刚石、晶体硅、二氧化硅、MO、CO2、M六种晶体的组组成微粒分别别是_，熔化时时克服的微粒间间的作用力是_。目录解析：(1)C、Si和O的电负电负 性大小顺顺序为为：OCSi。(2)晶体硅中一个硅原子周
12、围围与4个硅原子相连连，呈正四面体结结构，所以杂杂化方式是sp3，因为为SiC的键长键长 小于SiSi，所以熔点碳化硅晶体硅。(3)SiC电电子总总数是20个，则该则该 氧化物为为MgO；晶格能与所组组成离子所带电带电 荷成正比，与离子半径成反比，MgO与CaO的离子电电荷数相同，Mg2半径比Ca2小，MgO晶格能大，熔点高。Na、Mg、Ca三种晶体均为为金属晶体，金属晶体都有金属光泽泽，都能导电导电 、导热导热 ，都具有一定的延展性。目录(4)Si的原子半径较较大，Si、O原子间间距离较较大，pp 轨轨道肩并肩重叠程度较较小，不能形成上述稳稳定的键键，SiO2为为原子晶体，CO2为为分子晶体
13、，所以熔点SiO2CO2。(5)金刚刚石、晶体硅、二氧化硅均为为原子晶体，组组成微粒为为原子，熔化时时破坏共价键键；Mg为为金属晶体，由金属阳离子和自由电电子构成，熔化时时克服金属键键，CO2为为分子晶体，由分子构成，CO2分子间间以分子间间作用力结结合；MgO为为离子晶体，由Mg2和O2构成，熔化时时破坏离子键键。目录答案：(1)1s22s22p63s23p2(或Ne3s23p2) OCSi(2)sp3 共价键键 SiCSi(3)Mg Mg2半径比Ca2小，MgO晶格能大(4)Si的原子半径较较大，Si、O原子间间距离较较大，pp 轨轨道肩并肩重叠程度较较小，不能形成上述稳稳定的键键 原子 分子 (5)原子、原子、原子、阴阳离子、分子、金属阳离子与自由电电子 共价键键、共价键键、共价键键、离子键键、分子间间作用力、金属键键目录知能演练高分跨栏目录本部分内容讲解结束按ESC键键退出全屏播放
