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1、第四章 二极管与晶闸管 4-1 二极管学习目标1、了解半导体的导电特性，掌握二极管的单 向导电性。2、理解普通二极管的伏安特性和主要参数。3、会用万用表大致判断二极管的极性和好 坏。4、了解整流二极管、稳压二极管、发光二极 管、光敏二极管、开关二极管和变容二极管 的特点及应用。一、 半导体的导电特性 1、本征半导体硅（纯净）锗两种载流子：空穴自由电子2、两种类型的半导体（掺杂）(1)N 型半导体：（掺入5价元素） 多数载流子为电子(2)P 型半导体：掺入3价元 素，多数载流子为空穴3、PN结及其单向导电性 结加正向电压PN（导通）结加反向电压PN（截止）二、 二极管的结构及型号 二极管的外形将
2、PN结封装，引出两个电极，就构成了二极 管。小功率二 极管大功率二 极管稳压 二极管发光 二极管电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。 从电子管晶体管小规模集成电路大规模集成电路1904年 电子管问世1947年 晶体管诞生1958年集成电路 研制成功电子管、晶体管、集成电路比较1. 正向导通PN结外加正向电压（正向偏置）P接 +、N接 - ，形成较大正 向电流（正向电阻较小）。如3mA。2. 反向截止 PN结外加反向电压（反向偏置）P接 -、N接 +，形成较小反向 电流（反向电阻较大）。如10A。 二极管的单向导电性（实验演示） 正偏电压U =0.7V（Si管）0.3V（Ge管当电压超
3、过某个值（约零点几伏），全部少子参与导电，形成“反向 饱和电流IS”。反偏电压最高可达几千伏。四、二极管的伏安特性1、正向特性：正向死区：硅管开启电压0.5V,锗管0.1V正向导通区：硅管导通电压0.7V,锗管 0.3V.2、反向特性：反向饱和区（截止）反向击穿区五、二极管的主要参数（1）最大整流电流 IFM（2）最大反向工作电压 URM（3）反向饱和电流 IR六、二极管的简易识别 1、通过二极管的造型判别； 2、通过二极管的标注判别； 3、通过二极管的电极特性判别； 4、通过二极管的电极管键判别； 5、用万用表测试判别。提问：常用的二极管有那些？整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管
4、（光敏二极管）七、常用二极管的类型图形及符号。整流二极管光电二极管发光二极管？ ？1、整流二极管作用：将交流转换成直流2、稳压二极管（工作在反偏状态）（1） 外形（2）稳压二极管的符号及伏安特 性（3）最近简单的串联稳压电路（注意 稳压管反向连接）3、发光二极管（外形）发光二极管的符号LED 想一想：作用？4、光敏二极管 （工作在反偏状态）远红外遥控的发射与接收5、开关二极管 按PN结正偏导通，反偏截止完成工作6、变容二极管变容二极管应用电路实例4-2 二极管整流电路1、掌握单相半波整流电路的组成及工作原理 2、掌握桥式整流电路的组成及工作原理任务一 整流电路的应用 一、单相半波整流电路 1、
5、电路的组成iLu1u2aTbDRLuouo=uLD导通 时产生（a） （b） 2、电路的工作原理：在u2正半周（a-b）整流管D正向偏 置导通，电流经二极管流向负载RL、在电压u2负半周(b- a)时，二极管D反向偏置截止，即负载得到一个单向半波 脉动电流，故称单相半波整流。 3、负载上的电压降：U U2 2为变压器二次绕组电压为变压器二次绕组电压有效值有效值4、整流二极管的选用： （1）二极管的最大正向电流IFIF IL （2）二极管最大反向电压URMURM U2负载电流平均值负载电流平均值 二、单相全波整流电路u1u2aTbD1RLuo=uLD2u2iL u2u2uo=uLD1导通 产生D
6、2导通 产生D1导通 产生 当u2为正半周(即极性为上正下负)时，D1正向偏置而 导通、D2承受反向偏压而截止，有电流IL流过负载 RL，在负载上得到的输出电压极性为上正下负；当u2 为负半周时，此时D1截止、D2导通。全波整流电路负载上的平均电流为：全波整流电路负载上的平均电流为：在全波整流电路中，在全波整流电路中，D D1 1和和D D2 2是轮流导通的，所以每个整流管的是轮流导通的，所以每个整流管的 平均电流平均电流I ID D应为输出平均电流的一半，即应为输出平均电流的一半，即三、单相桥式整流电路 1、电路的组成桥式整流电路 常用画法u2正半周时电流通路u1u2TD4D2D1 D3RL
7、uo-+u1u2TD4D2D1 D3RLu2负半周时电流通路uo=uL2、工作原理： 负载的 直流电流是由二极管D1 、D3 和D2 、D4轮流提供的，因此 二极管的整流电流应是负载 直流电流的一半，但二极管 承受的最大反峰电压与全波 整流时不同，如正半周时， D1、D3导通，D2、D4截止， 此时二极管反向峰值电压等 于 U2。3、负载上的直流压降UL：UL =0.9U2 4、整流二极管的选用：（1）二极管最大正向电流IFIF （1/2 ） IL（2）二极管最大反向电压URMURM U2桥式全波整流电路中的电流和电压 第五章 半导体三极管及放大电路基础 1. 半导体三极管（晶体管） NPN
8、型三极管结构及符号PNP 型三极管结构及符号晶体管中的载流子运动和电流分配晶体管的电流方向、 发 射结和集电结的极性 晶体管 的输入 特性曲 线晶体管 的输出 特性曲 线晶体管的主要参数(1)电流放大系数(2)集-基极反向电流 ICBO(3)集-射极反向电流 ICEO集-基极反向电流 ICBO集-射极反向电流 ICEO （ 穿透电流）(4)集电极最大允许电流 ICM(5)集电极最大允许耗散功率 PCM2. 基本放大电路晶体管工作在放大状态必须： 发射结为正向偏置 集电结为反向偏置共射极基本放大电路共射极基本放大电路的简化及习惯画法（1）静态分析直流通 路（2）动态分析放大电路输出端接有负载电阻的电路晶体管的 H 参数小信号等效模型共射极放大电路的 小信号等效电路3.静态工作点的稳定
