《单晶棒氧施主对电阻率的影响及异常棒划线(1)》由会员分享，可在线阅读，更多相关《单晶棒氧施主对电阻率的影响及异常棒划线(1)（12页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、单晶棒氧施主对电阻率的影响 及异常棒划线江苏阳光晶源科科技有限公司技术部 2010年8月26日 P型单晶圆棒截面电阻率现象描述2n 1. 截面电阻率较多呈现中心高四周低的现象。n 2.个别圆棒截面出现中心反型（N型）边缘P型现象。n 3.高阻（大于目标电阻率）以及反型 现象较多出现在单晶棒头部。氧施主产生原理n 1、氧的由来：n 氧主要是在晶体生长可程中,由于晶转、埚转、熔体中热对流等因素导致 将坩埚中氧带入熔体中，再通过晶体生长进入晶体中。SiO2 +Si=2SiOn 2、氧施主产生过程以及对电阻率的影响：n 在晶体降温过程 中，原来以间隙形式存在的氧（不显电活性）在450 左右会聚集产生显
2、电活性的SiO42- ，提供电子成为施主，称为氧施主现 象。n 3、氧施主与掺杂剂硼结合产生硼氧复合体：SiO42-+B+=BSiO4-从而降低受主杂质B+含量，使晶体P型电阻率升高，当SiO42- 数目较多，甚 至导致晶体反型成为N型。3氧施主的消除:退火n 退火原理：n 晶体在550时氧施主SiO42-开始分解，因此将晶体（或硅片）升温至 650并恒温半小时后迅速冷却，快速跳过450可消除SiO42-施主作用 ，即退火。n 退火后氧重新以间歇氧形式存在，不再提供电子，电阻率不再受其影响 ，而由主要载流子硼的浓度以及分布决定，恢复正常值。4头部电阻率易高甚至反型的原因n 1、晶体头部氧高：由
3、于氧的分凝系数大于1，所以晶体中的氧是呈线性 下降的（其变化曲线还受拉晶过程中，坩埚中的氧不断析出、液面不断 挥发影响）。氧含量高，容易聚集产生氧施主。n 2、受晶体生长特性影响，刚开始时，晶体凸向下生长，中间先生长、边 缘后生长，所以受分凝系数影响，中间的氧含量高于四周。n 3、由于晶体头部在450停留时间较长，头部更容易产生氧施主作用， 导致电阻率升高或者反型。n 4、同时头部硼含量低，被氧施主相对补偿度大，易导致电阻率升高甚至 反型。n 5、同规格尺寸的石英坩，拉制单晶越大，其氧挥发量小，受氧施主影响 更大。5电阻率异常圆棒的处理建议n 1、电阻率异常的处理依据：n 氧施主引起的电阻率异
4、常，可以在电池生产线的扩散等工序中退火恢复到正常，不影 响其使用。n 单晶表面受氧施主影响不大，电阻率一般在目标以内。n 2、对于P型单晶圆棒电阻率异常的判断建议：n 截面高阻（6 .cm)，中心N型边缘P型，表面电阻率正常。氧施主现象，属正 常现象可以不作反馈，当正常 品处理。n 表面电阻率异常（高阻甚至反型）。异常现象 6掺镓（Ga）棒氧施主现象n 1、镓（Ga）和硼（B）都是+3价元素，都是受主杂质，生产P型单晶。 掺镓可避免硼氧复合体的产生，降低阻件的光致衰减。n 2、在450左右，掺镓棒中的氧仍会聚集产生显电活性的SiO42- ，提供 电子成为施主。n 3、镓的分凝系数很小，头部浓度
5、较底。被氧施主的相对补偿度更大，更 易导致电阻率升高甚至反型。7S型棒划线1、在A处或者B处选取一处划线，同时两侧应满足划线要求。 2、不能满足两侧划线要求的情况下，按照“|AB | 在一段内，且该段长度尽量短”划线 。直径偏细划线191、在A处划线，同时两侧应满足划线要求。 2、不能满足两侧划线要求的情况下，按照“细径处在一段内，且该段长度尽量短 ”划线。A直径偏细划线2AB1、|AB | 125时，A处和B处分别划线，同时两侧应满足划线要求。 2、 AB | 125 时，按照“|AB | 在一段内，且该段长度尽量短”划线。建议n 在检测出问题棒后品管可先与单晶物测联系，确定问题棒是降级处理还 是算损耗等，减少反馈次数。11谢谢12
