全互补cmos门电路

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1、 全互补CMOS门电路PMOS逻辑块NMOS逻辑块A BF全互补CMOS或非门电路当输入信号A、B中至少有一个是低电平1，则对应 的NMOS管导通，PMOS管截止，由于NMOS逻辑块是 并联的，而PMOS逻辑块是串联的，所以NMOS逻辑模 块导通，PMOS逻辑模块截止，输出信号F被下拉到低电 平0（0V）。当输入信号A、B均为高电平0，则对应的NMOS 管都截止，PMOS管均导通，即NMOS逻辑模块截止， PMOS逻辑模块导通，输出信号F被上拉到低电平1（ 5V）。电路完成或非功能。 全互补CMOS或非门电路全互补CMOS或非门电路 直流传输特性曲线：全互补CMOS或非门RC等效电路S2、S3

2、代表两个NMOS管的 导通和截止。S1代表两个PMOS管，因为 两个PMOS是串联的，只要有 一个截止，就都截止，只有都 导通才导通。下降时间 tf=2.2RN1CL=2.2RN2CL上升时间 tr=2.2(RP1+RP2)CL要使其上升时间、下降时间与标准CMOS倒相器相匹配N管(W/L)n应当与标准CMOS倒相器N管相同P管(W/L)p应当为标准CMOS倒相器P管的2倍全互补CMOS或非门RC等效电路全互补CMOS门电路 全互补CMOS门电路 全互补CMOS集成门电路电路构成之规律：N管：与串或并P管：与并或串N管数目与P管数目相同MOS管尺寸的选取，与标准的CMOS倒相器进行比 对，使电路的上升时间、下降时间可以与标准的CMOS 倒相器相匹配。全互补CMOS门电路全互补CMOS集成门电路CMOS与非门电路中，总有NMOS管，其源与衬底 之间存在电位差VBS，称为衬底偏置效应。衬底偏置效应主要影响MOS管的阈值电压VthVthn=Vthn0+0.5(|VBS|)0.5Vthp=Vthp0 - 0.5(|VBS|)0.5全互补CMOS门电路