智能卡网吧收费机设计(一)

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1、SmartCardSmartCard智能卡网吧收费机设计(一 ) 逻辑加密卡的存储结构 与安全特性电子与信息工程学院SmartCardSmartCard教学目标q接触式逻辑加密卡的芯片逻辑组成与安全特性 q按位操作逻辑加密卡的存储结构与安全特性 q多存储器结构逻辑加密卡存储结构与安全特性q多分区逻辑加密卡的存储结构与安全特性 SmartCardSmartCard产品开发智能卡网吧收费机q智能卡网吧收费系统构成:1、网吧卡(小额电子钱包)2、网吧收费机3、PC机网吧管理软件 q开发任务:设计智能卡网吧收费机 1、判断卡的合法性 2、上网计时收费SmartCardSmartCard产品开发之第一步

2、:卡型选择q智能卡网吧收费系统卡型需求分析 小额电子钱包功能,脱机消费(无需 与银行联网消费) 定额收费 防伪造,防非法充值 低成本SmartCardSmartCard网吧卡选型存储卡qAT24C*系列存储卡是否适合用于网吧收费收 费系统?为什么?否! 存储卡无任何安全措施 易被伪造、非法充值SmartCardSmartCard网吧卡选型CPU卡q在逻辑加密卡和CPU卡中,哪类卡适宜 作为网吧卡?为什么? CPU卡安全性高 但卡及系统的成本较高 较难实施结论 宜选用逻辑加密卡作为网吧卡SmartCardSmartCard接触式逻辑加密卡逻辑组成Security Memory CardSmart

3、CardSmartCard逻辑加密卡特性q组成:非易失性存储器+硬件加密逻辑; q芯片:专门为IC卡设计的芯片(ASIC); q安全性:具有安全控制逻辑,安全性能较好; q多种安全措施:PIN、EC、FUSE、TC、多存储器 (ROM、PROM、EEPROM并存)、多分区存储结构 。 q通信协议:支持ISO7816国际标准。 q适用场合:有一定安全要求的场合,如IC卡电话 、网吧卡、加油卡、保险卡、驾驶卡、借书卡、 小额电子钱包等。 SmartCardSmartCard网吧卡选型逻辑加密卡产品系列q目前市场上主要的逻辑加密卡系列有哪 些?各有什么特点? 计数型(按位操作):AT88SC06、

4、SLE4406多存储器结构(按字节操作): SLE4442单存储器多分区结构(按字节操作):AT88SC1604SmartCardSmartCard按位操作的逻辑加密卡按位操作的逻辑加密卡SLE4406q一次性使用,带加密逻辑,按位操作 q计数卡(Token Memory Card),以一次性的计数 方式,从写满的计数器中减“1”,直至存储单元全 减为“0”为止 q104位容量 ,最大可提供20 480计数单位 q3字节传输密码,1位发行标志保护 q常用于具有定额定价的消费系统中,如公用电话 卡、预付费加油卡、停车计费卡、游乐园消费卡 等 SmartCardSmartCardSLE4406存储

5、分布图和计数规则 q 计数规则 发行后,用户区进入计数状 态,为5位8进制计数器,但 第5位计数器只有4位可用, 因此最大计数值为20480。 说明: 计数区按位写0,按字节 借位擦除,如:11111111 00000000 擦成: 11111110 11111111 SmartCardSmartCardSLE4406操作方式q检查发行标志位是否为1,是则可以校验传输密 码q先将密码计数器-1,然后比较密码,校验正确 则密码计数器恢复,允许写入发行商代码,将 控制位写为0(发行)。允许初始化计数器(擦 除第2-5字节并重新写入),此操作将撕毁传输 密码并不可恢复。q一旦控制位为0,表示已发行,

6、将不能再更改发 行商代码。第2-5字节成为5位计数器,只能写0 及借位擦除。 SmartCardSmartCardSLE4406保密特性 SmartCardSmartCard多存储器逻辑加密卡多存储器逻辑加密卡SLE4442q按字节操作,可反复应用 q多存储器结构 *位 型主存储器。 *1位 型保护存储器。 * 位 型加密存储器 q 安全性:用户密码(3字节)+密码错误计 数(3次)+PROM保护 q线串行连接协议,满足 ISO7816同步传 送协议 SmartCardSmartCardSLE4442存储结构SmartCardSmartCardSLE4442存储器分配(一)q主存储器(main

7、 memory):EEPROM型,256B按字节操作,字节地址0255(00HFFH),所有单元可任意读取。 q主存储器可分为两个数据区: 保护数据区:00H-1FH,用户密码+熔丝保护(擦除、写当校验用户密码正确且熔丝未熔断时允许进行擦除和写 入操作,否则不允许熔丝:保护存储器中第n位(n=031)对应主存储器中第 n个字节,1未熔断,0熔断。 应用数据区 :20H-FFH。用户密码保护(擦除、写)SmartCardSmartCardSLE4442存储器分配(二)q保护存储器(protection memory):PROM型, 32bits按位操作,位地址031每位相当于主存储器保护数据区对

8、应字节单元的 控制熔丝(FUSE),相应位为1时该字节可擦写 ,为0时不可 q保护存储器可任意读出,但需校验密码正确方能 写入,一经写入(从1变为0)不可再擦除,可理 解为FUSE一经熔断不可再恢复。SmartCardSmartCardSLE4442存储器分配(三)q加密存储器(security memory): EEPROM型,4B按字节操作,字节地址03 字节0:(Erroe Counter),低3位有效,可任意读、写,用户密码校验成功方可擦除。 字节1,2,3:3字节 PSC(可编程加密代码)PSC校验成功前不可读,只能进行比较操作;密码“比较”成功后才可以进行读出、写入和擦除 。 Sm

9、artCardSmartCard多分区逻辑加密卡多分区逻辑加密卡AT88SC1608q按字节操作,可反复应用 q存储容量:16Kbits q安全性:三重密码+熔丝+读写控制位 q单存储器、多存储分区结构 标志数据区:制造商、发行商代码。 控制数据区:SC(2字节)、EC、Erase key。 应用数据区:4个、各自独立 q线串行连接协议,满足 ISO7816同步传 送协议 SmartCardSmartCardSC1一区密码SmartCardSmartCardAT88SC1608存储器分配(一)标志数据区标志数据区:验证卡片真伪的重要标识 q 制造商代码区FZ (Fabrication Zone

10、 ),2B记录卡芯片生产商的特定信息(例如:生产批号、日期 、特别制定的特征代码)FUSE1熔断前,可读,可更改FUSE1熔断后,只读,不可更改 q 发行商代码区IZ (Issuer Zone ),8B用于记录卡片发行商的特定信息(例如:发行批号、日 期、地区范围编号、特定用户编号等特征代码)FUSE2熔断前,可读,可更改FUSE2熔断后,只读,不可更改 SmartCardSmartCardAT88SC1608存储器分配(二)控制数据区:控制数据区:三重密码+密码错误计数 q用户密码SC(Security Code),2B用户密码错误计数SCAC(Security Code Attempts

11、Counter ),1B (8次) q应用区密码 SC1 SC4,2B应用区密码错误计数SCAC1 SCAC4,8次 q应用区擦除密码EZ14(Erase key ),2B 应用区擦除密码错误计数EnAC (Erase key Attempts Counter ,=1,2,3,4), 8次SmartCardSmartCardAT88SC1608存储器分配(三)应用数据区应用数据区:14,各自独立,特性相同 q存储用户的相关数据记录 。 q第1位为写保护位(P1) ;第2位为读保护位( R1),均为1有效(可读/写) 熔丝熔断前熔丝熔断后读:当R1=“1”,任何情况下可读当R1=“0”,总密码核

12、对正确 前 ,不可读 写:总密码校验正确后,可写擦:总密码校验正确后,可擦 读:特性同熔丝前。 写:当P1=“1”,总密码核对正确,应用 区密码核对正确,则可写。当P1=“0”,任何情况下不可写。 擦:总密码核对正确,应用区密码核对 正确,擦除密码核对正确,则应用区可按字节擦除。 SmartCardSmartCard实训实训 接触式逻辑加密卡读写操作接触式逻辑加密卡读写操作 准备: q确认电源正、负极,按标志正确连接接 触式IC卡读写器的电源线及串口线,注 意电源+5V与地不可接反。 q打开接触式IC卡读写器读写操作软件 DEMO,确认通信正常。 q将实验白卡插入接触式IC卡读写器插卡 槽,自

13、动测卡进入卡操作界面。 qSLE4442卡密码:FFFFFFHAT88SC1608卡密码:F0F0H或A5A5HSmartCardSmartCardSLE4442读写操作 q 读卡:记录卡密码、卡错误计数值,主存储器存储结构( 各区域名称、地址范围、字节数)、存储内容和读出条件 。 q 写卡:对主存储器各区域进行写入/擦除操作,记录操作 结果,总结各区域写入/擦除条件。 q 密码操作:(1)修改密码:在未通过和已通过密码校验二种情况下 分别修改密码,记录操作结果,总结修改密码的条件。(2)恶意猜测密码:在未通过密码校验的情况下输入错 误密码,记录此时的读卡、写卡结果。注意:注意:修改密码后必须

14、及时还原密码为修改密码后必须及时还原密码为FFFFFFHFFFFFFH。猜测密码错误次数不得超过猜测密码错误次数不得超过2 2次!以免锁卡次!以免锁卡!SmartCardSmartCardAT88SC1604读写操作 q 读卡:在未通过和已通过密码校验二种情况下记录存储 器存储结构(各区域名称、地址范围、字节数)、存储 内容和读出条件。 q 写卡:在未通过和已通过密码校验二种情况下对存储器 各区域进行写入/擦除操作,记录操作结果,总结各区 域写入/擦除条件。 q 熔丝操作:模拟熔断,对存储器各区域进行写入/擦除 操作,记录操作结果,总结熔断操作对各区域的保护作 用。注意:注意:修改密码后必须及时还原密码修改密码后必须及时还原密码。猜测密码错误次数不得超过猜测密码错误次数不得超过8 8次!以免锁卡!次!以免锁卡!只允许模拟熔断,不可熔断,否则将无法恢复。只允许模拟熔断,不可熔断,否则将无法恢复。

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