《电化学沉积法制备氧化锌》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电化学沉积法制备氧化锌（23页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、电沉积法制备氧化锌袁松 周敏 淡猛v摘要 以铜片为衬底, 用硝酸锌水溶液为电解液, 采用阴极恒电流还原制备氧化锌薄膜。通过改变电 流密度、电解液浓度、温度、离子掺杂等实验条件, 系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程。 用X 射线衍射、紫外- 可见透射谱、热重- 差热等技 术对沉积物的结构、组成及光学性质进行了表征, 结果表明, 电沉积工艺条件显著影响薄膜材料的结 构与组成。当电沉积产物中掺杂铜时, 薄膜材料的 光吸收边从375nm 红移到458nm, 带隙能从3. 3eV 降到2. 7eV, 拓宽了薄膜的吸光范围, 这对ZnO 薄膜在 光学方面的应用具有重要意义。关键词 氧化锌薄膜 电沉
2、积 掺杂 带隙能1 引 言v氧化锌( ZnO) 是一种性能很好的材料, 在电子、光 学、声学及化学等领域都有广泛应用。ZnO 为纤锌 矿结构的直接带隙半导体材料, 室温下禁带宽度为 3137 eV, 激子结合能高达60 meV, 因此具备了发射 蓝光或近紫外光的优越条件。而且, ZnO 可实现p- 型或n-型掺杂, 有很高的导电、导热性能, 化学性质 稳定, 用它来制备发光器件必然具有高的稳定性和 较低的价格。1997 年报道了ZnO 的光抽运近紫外 受激发射现象 1 , 由于其发射的波长比GaN 蓝光 更短, 将在提高光记录密度和光信息的存取速度方 面起到非常重要的作用, 引发了ZnO 半导
3、体激光器 件的研究热潮。v近年来, 随着材料生长工艺的改进, 许多先进的生长 技术被用于ZnO 薄膜的制备, 如直流反应溅射法、 脉冲激光沉积( PLD) 法、分子束外延( MBE) 法、 金属有机化学气相沉积( MOCVD) 法等。对于ZnO 基紫外激光的研究, 主要是基于上述技术制备的ZnO 单晶膜、六角柱形蜂巢状纳米微晶结构ZnO 薄膜以 及颗粒微晶结构ZnO 粉末或膜。但是这些ZnO薄膜 在制备方法上难度较大, 条件苛刻, 如一般需要高 温、一定的气体氛围或是高真空度, 并且代价昂 贵、耗时。由此可见, 发展简单可控、低成本的ZnO 薄膜制备方法具有十分重要的意义。值得一提的是 电化学
4、沉积法, 它以Zn(NO3) 2 的含氧水溶液作为 电沉积液, 通过一个简单的阴极还原反应来制备ZnO 薄膜 2, 3 。其制备氧化锌的电化学反应( 在ITO 导电玻璃上) 机制如下vO2 + 2H2O+ 4e 4OH-vNO-3 + H2O+ 2e NO-2 + 2OH-vITO + OH- ITO - OH-advZn2+ 2OH-ad Zn( OH) 2( s)vZn( OH) 2( s) ZnO+ H2Ov由于其简单、低成本、膜厚和形貌可控( 通过 调节电化学参数) , 适合于复杂基底制膜, 相对 高的沉积速率, 小于100 e 的制备温度, 因此 一经提出便受到广泛的重视。本文采用电
5、化 学沉积法成功制备了高光学质量的ZnO 薄 膜。2 实 验v2. 1 样品制备v电化学沉积法制备ZnO 薄膜使用电化学工作站配备的三电极 电化学池( 工作电极接ITO 导电玻璃, 对电极为铂电极, 参比 电极为饱和甘汞电极) , 具体实验步骤如下:v1) 基片( ITO 导电玻璃) 清洗: 用碱性洗液( 25%氨水 B30%H2O2BH2O= 1B2B5) 煮沸15 min, 然后用大量去离子 水冲洗, 100 e 下干燥后留用。使用前再用丙酮和去离子水 依次超声15 min。v2) 采用阴极恒电流模式对基片进行预电化学活化处理, 阴极 电流控制在2 mA, 作用时间为15 s。在阴极电流作
6、用下, 溶 液中的Zn2+ 首先在ITO 电极表面被还原为一层纳米级的金 属锌, 有利于进一步诱导生成高质量的ZnO 薄膜 4 。v3) 采用阴极恒电压模式电沉积ZnO 薄 膜, 电压控制在- 019 V, 沉积溶液为011 mol/ L Zn(NO3) 2 水溶液( O2 浓度为反 应温度时的饱和浓度) , 恒温水浴控制反 应温度为65 e , 沉积时间为10 min。v4) 电沉积后用去离子水漂洗制备的ZnO 薄膜,然后自然晾干。2. 2 样品测试v透射光谱测量采用U-3400 分光光度计, 波长范围200 2000 nm; XRD 测量采用D/Max-RA 型旋转阳极X 射线衍射仪, C
7、u 靶, 输出功率12 kW; AFM 测量采用Nanoscope 型原子力 显微镜, 使用Tapping模式。研究受激辐射使用的激光光源为 YG901C 型锁模NdBYAG 激光器, 输出的基频光波长为 1064nm, 脉冲宽度为35 ps, 重复频率10 Hz, 基频光经三倍 频晶体后, 产生实验所需的355 nm 激光脉冲。用Rm-3700 型能量计配Rjp-435 型探头监视入射脉冲能量。实验时, 355 nm 的抽运光垂直于样品表面入射, ZnO 薄膜的受激发射谱 在与入射光夹角约15b的方向探测。ZnO 的受激发射光首先 经Spectra Pro-300i 型光谱仪( 入射狭缝宽度
8、为40 Lm, 分辨 率011nm) , 然后用SpectuMM 型CCD 探测系统记录光谱。3 结果和讨论v实验步骤2 所述的恒电流预电化学活化处理 是关键的一步, 它能够有效地改善ZnO 薄膜 的光学质量。其原理是: 在阴极恒电流工作模 式下, 先使电沉积溶液中的Zn2+ 离子在ITO 衬底表面还原成金属锌纳米颗粒, 作为进一步 形成ZnO 薄膜的诱导层 4, 这一诱导层能够 使ZnO 晶粒均匀成核并生长, 从而有效地改 善了ZnO 的成膜质量。通过这种预活化处理 后制备的ZnO 薄膜肉眼观察有光泽且透明性好。未经过这种预活化处理而直接用步骤3 制备的ZnO 薄膜则表面粗糙, 呈乳白色不透
9、明。图1 给出了经预活化处理后制备的ZnO 薄膜的透射光 谱( 以ITO 导电玻璃作为参比) , 在400 2000 nm 的 波长范围内表现出大于80% 的透过率。透射边在 370 nm 左右, 对应ZnO 的光学带隙为3135 eV。由 于平整的薄膜上下表面对光的干涉作用, 导致了透 射谱上出现周期性的起伏, 根据这个特征可以计算 薄膜的厚度 5 。由图1 估算制备的ZnO 薄膜的厚 度为234 nm 左右。图2 表示经预活化处理后制备的 ZnO 薄膜的XRD 谱。v图中, 星号代表衬底ITO 的衍射峰, 其余的4 个峰都是ZnO 的衍射峰, 依次分别对应纤锌 矿结构的( 100) , (
10、 002) , ( 101) 和( 102) 晶 面, 从衍射强度上看没有出现任何方向上的取 向生长。可见, 电化学沉积制备ZnO 薄膜可 以直接得到ZnO 晶体, 无需后续的高温热退 火处理, 是直接电结晶过程。v图3 表示经预活化处理后制备的ZnO 薄膜的AFM 图像( 扫描范围2 Lm 2 Lm) 。可以 看到ZnO薄膜为无序的多晶颗粒膜, 晶粒呈不 规则多面体形,表现为面内随机取向, 其尺寸 小于250 nm, 这与对ZnO 薄膜厚度的估算基 本一致。vH. Cao 等首次在半导体ZnO 粉末( 采用溶胶-凝胶 法并结合电泳进行沉积) 6 和多晶薄膜( 采用激光 消熔法制备) 7 中观
11、察到了紫外受激发射( 阈值分 别为700 kW/ cm2 和380 kW/ cm2) , 并且用随机激 光理论进行了解释。在一个无序的多晶薄膜体系中, 当散射的平均自由程小于等于光的波长时, 由于颗 粒间的强散射作用, 被散射的光子可以回到第一个 散射微晶颗粒上, 随机形成一个闭合的散射回路, 即 环形谐振腔, 从而提供了激光形成所需的相干反 馈。当抽运能量增加, 闭合散射回路中的光子增加 超过光损失时, 就形成了一定频率的激光振荡。对 于用电化学沉积法制备的ZnO 多晶颗粒薄膜, 当用 355nm 的皮秒脉冲激光作为抽运源垂直入射薄膜表 面,v 同样检测到了40319 nm 的近紫外受激发射
12、光( FWHM= 015 nm) , 如图4 所示。受激发射强度随入 射强度呈超线性增长关系( 图5) , 阈值在196. 8 kW/cm2 处, 并且激光发射可以在各个方向观察到, 表现为随机激光发射机制。和H. Cao 等报道的激光 阈值相比较, 阈值偏低是由于对样品的激发面积较 大( 圆斑直径3 mm) 。这实际上是随机激光的一个 特征, 激光抽运阈值强度与受激发样品面积有密切 关系, 激发面积越大, 阈值越低。由图4 的受激发射 峰可以发现其存在一个肩峰, 这说明得到的激光可 能是多模的。改变激发面积( 圆斑直径4 mm) 和激 发区域, 实验中发现不仅激光的抽运阈值强度有所 降低,
13、而且激光峰明显表现出多模的特征,v并且激光峰移动到396 nm 附近, 如图6 所示。按照 随机激光理论, 激发条件下的ZnO 薄膜中可以同时 形成多个循环光散射回路, 激发面积越大, 形成的微 结构峰也就越多, 因而多模发射特性越明显, 这与H. Cao 等的报道是一致的。图4 和图6 中不同的受激 发射波长可能是由于不同的激发区域及面积条件下 ZnO 多晶颗粒膜内部微结构的不同所导致的, 即形 成了不同的循环光散射回路。图6 中插图表示入射 激光强度略大于抽运阈值强度条件下的发射谱, 包 括自发辐射和尖锐的受激辐射。宽的自发辐射峰从 375415 nm, 因而可以推断在激光抽运条件下形成 的循环光谐振腔的不同选模作用导致了上述峰值波 长的不同。4 结 论v本文介绍了电化学沉积法制备ZnO 薄膜的一般方 法、原理及相对于其他方法的优越性。可以明显地 看到, 电化学沉积法是一个低成本、沉积速度快、 简单可控的低温沉积技术, 可以成为一种可选择的 宽禁带半导体ZnO 薄膜的制备方法。这种方法对 ZnO 薄膜形貌的控制已发展到可以制备出六角柱形 蜂巢状纳米微晶结构 8, 这对进一步利用晶粒平行 边界作为激光谐振腔, 从而降低激光阈值提供了一 个简单的方法。实验已经观察到电化学沉积法制备 的ZnO 薄膜的近紫外受激发射。谢谢大家
