现代电子线路07数字电路基础

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1、第七章:数字电路基础本章内容: 7.1 数字电路概述 7.2 基本逻辑门电路 7.3 TTL逻辑门电路 7.4 逻辑函数及其表示方法 7.5 逻辑函数的化简法Date1School of Physics, 7.1 数字电路概述1、数字信号tu(t)高电平低电平上升沿下降沿数字信号表示数字量的信号,研究时要注重它的有无或出现次数,数字信号的出 现时间一般由时钟信号控制,而取值的离散性更使数字信号在处理、存 储和传输等方面比模拟信号有很多优势。一、数字电路的特点正逻辑高电平逻辑“1”低电平逻辑“0”一般情况下,采用正逻辑。负逻辑高电平逻辑“0”低电平逻辑“1”Date2School of Phys

2、ics, 数字电路:处理数字信号的电路称为数字电路。、数字电路中的电子器件工作于饱和状态或截至状态,起开关作用;、基本电路单元结构简单(逻辑门电路、触发器),易于大规模集成;、研究对象是输出与输入信号间的逻辑关系(因果关系),即电路的逻辑 功能;、基本数字电路:组合逻辑电路时序逻辑电路(寄存器、计数器、脉冲发生器、脉冲整形电路)、易于采用EDA工具进行分析与设计;、应用范围非常广泛。2、数字电路的特点Date3School of Physics, 二、数制与码制1、数制数制是指进位计数的方法与规则,如十进制、二进制等等。、十进制逢十进一、借一当十(123.45)1011022101310041

3、0-1510-2位置 表示法多项式表示法通式:权模Date4School of Physics, 、二进制权模逢二进一、借一当二、R进制权模逢R进一、借一当R、十六进制逢16进一、借一当16系数: 0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15 表示为:0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、A、 B、 C、 D 、 E、 FDate5School of Physics, 、数制间的转换、R进制转换成十进制方法:按权展开,求和。、十进制转换成R进制方法:整数部分:除R取余,逆序排列小数部分:乘R取整,顺序排列整数小数132 6余12 3余02 1余120余1逆序0.

4、375 2 0.75取整得0 20.751.5取整得1 20.51.0取整得1顺序Date6School of Physics, 、其它数制间的转换方法:先转成十进制数,再转成所需数制。特例:十六进制和二进制的相互转换十六进制转二进制:将每位十六进制数转成4位二进制数,依序排列即可; 二进制转十六进制:以小数点为基准,整数部分从右往左,小树部分从左往右,将二进制数按4位一组分组,不足位置补0,然后将每组的4位二进制数转换成1位十六进制数,依序排列即可。Date7School of Physics, 2、二进制运算*、四则运算Date8School of Physics, 、计算机中的数值表示无

5、符号数:没有符号位,表示正数。8位无符号整数可表示0255;有符号数:第1位(最高位)为符号位,“0”表示正数,“1”表示负数。8位有符号整数可表示-128127;定点数:小数点固定浮点数:小数点不固定,由符号位、指数部分、小数部分组成。定点整数:没有小数部分定点小数:纯小数,默认小数点在符号位之后 10111001-0.0111001single float:X XXXXXXX XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX符号位指数部分(7位)小数部分(24位)BCDate9School of Physics, 、原码、反码、补码原码:将数值表示成二进制数,并在最高位增加一个符号位,正

6、数为0,负数为1,即得到该数值的原码。反码:正数的反码等于原码,负数的反码为保留符号位,按位求反。补码:正数的补码等于原码,负数的补码为反码加1。Date10School of Physics, 3、十进制数的二进制代码十进制数8421 码(BCD码)2421码5211码 00 0 0 00 0 0 00 0 0 0 10 0 0 10 0 0 10 0 0 1 20 0 1 00 0 1 00 1 0 0 30 0 1 10 0 1 10 1 0 1 40 1 0 00 1 0 00 1 1 1 50 1 0 11 0 1 11 0 0 0 60 1 1 01 1 0 01 0 0 1 70

7、 1 1 11 1 0 11 1 0 0 81 0 0 01 1 1 01 1 0 1 91 0 0 11 1 1 11 1 1 1 权8 4 2 12 4 2 15 2 1 1、有权代码Date11School of Physics, 十进制数余3 码循环码 (格雷码)余3循环码 00 0 1 10 0 0 00 0 1 0 10 1 0 00 0 0 10 1 1 0 20 1 0 10 0 1 10 1 1 1 30 1 1 00 0 1 00 1 0 1 40 1 1 10 1 1 00 1 0 0 51 0 0 00 1 1 11 1 0 0 61 0 0 10 1 0 11 1 0

8、 1 71 0 1 00 1 0 01 1 1 1 81 0 1 11 1 0 01 1 1 0 91 1 0 01 1 0 11 0 1 0、无权代码二进制数0 0 1 0 1求异循环码 0 1 1 1Date12School of Physics, 4、字符编码*、ASCII码(美国信息交换标准代码)American Standard Code for Information Interchangeb3b2b1b0b6b5b40000010100111001011101110000NULDLESP0Pp0001SOHDC1! 1AQaq0010STXDC2“2BRbr0011ETXDC3#

9、 3CScs0100EOTDC4$ 4DTdt0101ENQNAK%5EUeu0110ACKSYNKk1100FFFS, Nn1111SIUS/?O_oDELb7为奇偶校验位国际标准ISO 646 Date13School of Physics, 、通用字符集 (UCS:Universal Character Set)编码长度32位,目前只分配了16位共65534个字符,包含了用于表达所有已 知语言的字符,不仅包括拉丁语、希腊语、斯拉夫语、希伯来语、阿拉伯语 、亚美尼亚语和乔治亚语的描述,还包括中文、日文和韩文这样的象形文字 ,以及平假名、片假名、孟加拉语、旁遮普语果鲁穆奇字符(Gurmukh

10、i)、泰 米尔语、印埃纳德语(Kannada) 、Malayalam、泰国语、老挝语、汉语拼音 (Bopomofo)、Hangul、Devangari、Gujarati、Oriya、Telugu等等。ISO10646、汉字编码国家标准(16位)GB2312:收录6763个简体字; GBK:对GB2312的扩充,收入中、日、韩汉字20912个; GB18030:对GBK的扩展,收入中、日、韩汉字27533个,GB18030是中国 所有非手持/嵌入式计算机系统的强制实施标准。 Date14School of Physics, 7.2 基本逻辑门电路一、晶体三极管的开关特性1、晶体管工作状态UCEI

11、C0(V)(mA)放大区饱 和 区截止区临界饱和线、放大状态晶体管工作在放大区, 发射结正偏,集电结反偏。Date15School of Physics, UCEIC0(V)(mA)放大区饱 和 区截止区临界饱和线 、饱和状态晶体管工作在饱和区, 发射结正偏,集电结正偏。CE间近似于短路,相当于开关的接通状态。 、截止状态晶体管工作在截止区, 发射结反偏,集电结反偏。CE间近似于断路,相当于开关的断开状态。Date16School of Physics, 2、晶体管的开关时间0uit0icticm0u0tUom0.9icm0.1icm tdtrtontstftoff开启时间:关断时间:延迟时间

12、上升时间退饱和时间下降时间uiuoRcRbicVCCDate17School of Physics, 二、二极管门电路1、二极管与门VCC(5V)RABCY二极管与门电路A BY&C只有在A、B、C都接高电 平5V时,二极管截止,输 出Y才为高电平。该电路具有与门的逻辑功能。Date18School of Physics, 2、二极管或门ABCY二极管或门电路A BY1CA、B、C任何一个都接高 电平5V时,输出Y即为高电平。该电路具有或门的 逻辑功能。RDate19School of Physics, 三、三极管非门电路RcR1VCCAY三极管非门电路AY1-VEER2Date20Schoo

13、l of Physics, 四、复合门电路(DTL电路)DTL与非门电路A BY&CDTL与非门电路A、B、C任何一个接低电平 (0.3V)时,P被钳位在1V 左右,D4、D5、T截止,输 出Y为高电平;Diode Transistor LogicA、B、C都接高电平(5V) 时,D1、D2、D3均截止,此时RcYVCC(5V)R1ABCP R2T2k3k5kD1D2D3D4D5这个电流很容易使T饱和,输出Y 为低电平。Date21School of Physics, 7.3 TTL逻辑门电路*一、TTL与非门电路Transistor Transistor LogicTTL与非门电路1、电路结

14、构e1e2e3bc等效e1e2e3cb类似与门R5VCC(5V)ABCT4R1 4kT2T1T3YR2R31301.6k1k输入级中间级输出级DDate22School of Physics, 2、工作原理、不防设A为低电平(0.2V)则T1管深度饱和T2、T3截止,Y为高电平R5VCC(5V)ABCT4R1 4kuB1T1T3YR2R31301.6k1kDiB1T2Date23School of Physics, 、T1管工作于倒置放大状态,Y为低电平T2饱和,D、T4截止, T3深度饱和,R5VCC(5V)ABCT4R1 4kT2T1T3YR2R31301.6k1kDDate24Schoo

15、l of Physics, 0u0/Vui/V3.60.61.43.6abcde3、电压传输特性ab段:ui1.4V,T2、T3饱和,T4、 D截止,输出低电平。截止区线性区转折区 饱和区Date25School of Physics, 4、输入端噪声容限低电平噪声容限:高电平噪声容限:输出低电平的最大值输出高电平的最小值Date26School of Physics, 1、负载能力拉电流负载:输出高电平时,负载电流的增大会使 输出电压下降; 灌电流负载:输出高电平时,负载电流的增大会使 输出电压下降。负载能力用扇出系数表示,一般的TTL门电路的扇出系数为810。二、TTL与非门的主要性能参数

16、Date27School of Physics, 2、传输延迟时间0uit0.5Uim0u0tUomUim0.5Uomtpd1tpd2平均传输延迟时间:Date28School of Physics, 三、抗饱合TTL门电路1、肖特基势垒二极管(SBDSchottky barrier diode)SBD符号利用铝和N型硅形成势 垒,导通阈值电压约 为0.4V,将三极管BC 间的电压钳位,使三 极管无法进入深度饱 和。Date29School of Physics, 2、电路Date30School of Physics, Date31School of Physics, Date32School of Physics, 7400 的典 型参 数Date33Sch

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