掺杂(硼和磷)a-si_(1-x)c_x-h膜中氢含量的测量

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1、第?卷? ! 年第#期月半导体%二。4=7膜中掺杂6?和27对%键合特性的影响,并对样品含%3作了定3 分析4氢化的非晶态硅一碳 63一阮一; 二。4=7 膜的物理特性却很少有人报道过4我们系统地研 究了这种含碳3约为= 拓的非晶硅一碳膜的()、. (9 、 和其它方面的工作4本文报道我们对这种掺杂样品的型傅里叶红外谱仪测盘的4数据处理是用计算机作的。6 7%含36)一%和一%7的计葬我们从掺杂样品的 谱的典型吸收峰,按下式求出9 :一%和一%中的氢浓度% ?4;? 加1一,。,6一%7934?4?;?=一 ,值是由核磁共振67及其它方法确定的4对69 :一%743 吸收峰,是约在=? 一=

2、一附近6对不同掺杂浓度,其峰的位置是不同的7,先求出6 7中的积分,再乘值即可得到9 :一%数4若再除以非晶硅的密度#4#;?刀8 34砂,就可得到同9 :原子相结合的%原子浓度9 :一。4对掺杂一9 : 一; 二 4= 7膜得到的从卜%值见图6 74用类似的方法,从:8 61钾忿份1 ,+ &2九,9: 9,肠月沙切,月:口口咐勺74):址: 刀印口加朗35 双 油移阴“口月云口幼勺加3 8 34吧刀1: 1加18一# ? 二二%。 5: :恤加代山5 曲5 9 5 95 妙俱乒加劝. 功班威加 6劣4=78 5 :9?#9 3 :1 皿日沈3 841 1531 3 15 酬介介: 止1五 98 188来刁 83:切3 : 14月

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