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1、 RM6301T 1 / 6 http:/www.reactor- 2013-03-09 产品概述产品概述 RM6301T 是一款高度集成的电流模式 PWM控 制芯片。具有高性能，低待机功耗（小于 100mW） 优点。具体如:集成了减小功率管应力的软启动功能， 轻载工作于间歇模式，降低 EMI的抖频功能和无音 频噪音，以及外置灵活的频率编程管脚，可调的过 压保护和过载保护。为用户提供了适用于反激式副 边反馈开关电源的简单设计电路和低成本的解决方 案。 RM6301T 提供了完整的自动恢复的保护功能， 包括逐周期电流限制（OCP） ，过载保护（OLP） ， VCC 滞迟欠压锁定（UVLO） 。它
2、也提供了锁存关闭 的过压保护（OVP）功能。 RM6301T 采用 SOT23-6 封装， 为无铅 （PB FREE） 产品。 功能特点功能特点 优化的间歇模式（Burst Mode）控制，降低待 机/轻载功耗 外置可调的频率设置脚 抖频设计，降低 EMI 无音频噪音工作 前沿消隐 斜坡补偿 电源软启动，减少 MOSFET 应力 良好保护的自动恢复功能和锁存功能 VCC 滞迟欠压锁定（UVLO） 自动恢复的过载保护（OLP） 过电压保护（OVP）锁存 逐周期电流限制 应用领域应用领域 AC/DC 适配器 开放式开关电源 PC 和服务器的辅助电源 PDA 电源 机顶盒电源 数码相机和摄像机适配器
3、 DVD、VCD、SVR、STB 和播放器 SMPS RM6301T 2 / 6 http:/www.reactor- 2013-03-09 典型应用典型应用 引脚分布引脚分布 RM6301T 3 / 6 http:/www.reactor- 2013-03-09 引脚功能引脚功能 脚位 管脚定义 I/O 管脚功能描述 1 GND P 地 2 FB I 反馈输入端 3 RI I 频率设置端，外接电阻到地 4 CS I 电流侦测端，通过电阻连接到地 5 VCC P 电源端 6 GD O 驱动输出，外接MOS栅极 极限参数极限参数 VCC 电压 -0.3V - 30V VCC 钳位电压 VCC_c
4、lamp+0.1V VCC 箝位连续电流 10mA RI 电压 -0.3V - 7V FB 电压 -0.3V - 7V CS 电压 -0.3V - 7V 最大工作结温 Tj -40 - 150 工作环境温度范围 -20 - 85 存储温度范围 -55 - -160 焊接温度(焊接时间 10S) 260 内部框图内部框图 RM6301T 4 / 6 http:/www.reactor- 2013-03-09 电气参数电气参数 (Ta = 25, VCC=16V, RI=20K) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 供电电源供电电源(V(VCCCC 脚脚) ) 启动电流 I_sta
5、rtup VCC=14.5V 3.5 20 uA 工作电流 I_VCC VFB=2.5V 1.8 2.5 mA 启动电压 UVLO(OFF) 14.5 15.5 16.5 V 关断电压 UVLO(ON) VCC 下降时 8.5 9.5 10.5 V 齐纳嵌位电压 VCC_clamp IVCC=10mA 30 32 34 V 过压保护 VCC_OVP 26 28 29 V 震荡器（震荡器（RIRI 脚脚） 频率 F_OSC RI=20k （可调） 60 KHZ 抖频范围 f_OSC +4 % 温度频率特性 f_Temp 1 % 间歇模式频率 F_Burst 22 KHz 电流检测（电流检测（CS
6、CS 脚）脚） 软启动时间 T_s_start 4 mS 前沿消隐时间 T_LEB 430 nS 输入阻抗 Z_SENSE 40 Kohm 过流保护延迟时间 TD_OC 120 nS 电流限制阈值电压 VTH_OC VFB=3.3V 0.86 V 钳位电压 Vocp_clamp 0.9 V 栅极驱动栅极驱动(GD(GD 脚脚) ) 高电平 VOH 6 V 低电平 VOL 1 V 输出上升时间 T_r Co=1nF 150 nS 输出下降时间 T_f Co=1nF 85 nS 嵌位电压 V_clamp 13.5 V 反馈输入（反馈输入（FBFB 脚）脚） 开环电压 VFB_Open 3.6 3.
7、8 V PWM 输入增益 Avcs VFB/ VCS 1.8 V/V 最大占空比 Dmax VCC=16V,VFB=3V,VCS=0V 75 80 85 % 节能模式电压 VFB _Green 2 V 退出间歇模式电压 VFB _burst_H 1.27 V 进入间歇模式电压 VFB _burst_L 1.17 V 短路电流 IFB 0.33 mA 过载保护（过载保护（OLPOLP） 功率限制阈值电压 VTH _PL 3.5 V 过载保护延迟时间 TD_PL 95 mS RM6301T 5 / 6 http:/www.reactor- 2013-03-09 工作原理工作原理 RM6301T 是
8、一款高集成度的用于反激式变换器 的电流模式 PWM 控制器，具有高集成度、低待机功 耗、高性价比等优点。间歇模式极大地降低了待机 功耗，帮助设计师更加容易地满足功耗要求。 启动启动控制控制和和工作电流工作电流 RM6301T 的启动电流设置得非常低，便于 VCC 快速被充电到开启电压 UVLO(OFF)，使芯片迅速工 作。兆欧级的启动电阻可以降低功耗。 RM6301T 的工作电流低至 1.8mA， 尽可能的降低 了芯片损耗，再加上间歇模式和节能模式，有效地 提升了整机效率。 软启动软启动 RM6301T 在开机时，VCC 达到 UVLO(OFF)，CS 引 脚尖峰电压就缓慢从 0.15V 增加
9、到最大， 持续 4ms。 系统每次启动都由软启动开始。软启动用来降低开 机时的开关管应力。 抖频控制抖频控制 RM6301 内部集成了频率抖动功能进行扩频，从 而最大限度地降低了 EMI 带宽。 间歇间歇模式模式 在轻载或空载情况下，FB 引脚输入电压降低到 间歇模式阈值电压时，芯片进入间歇工作模式。 轻载和空载时，大部分的功耗来源于 MOS 管的 开关损耗、变压器磁芯损耗和启动电路，开关损耗 正比于开关频率，降低开关频率最大限度地降低开 关损耗和待机损耗。 同时， 开关频率控制在 22K 以上,也消除了在任 何负载条件下的音频噪声。 可调的可调的频率频率设置设置 RM6301T 设计了可调的
10、频率设置管脚 RI。设计 工程师可根据具体应用自行调节频率，设计出符合 更多用途和更高功效的产品。 电流检测和前沿消隐电流检测和前沿消隐 RM6301T 提供了逐周期的电流限制。开关电流 通过一个接在 CS 引脚的电阻来检测。启动时，功率 MOS 会产生浪涌尖峰，在消隐时间内，限流比较器 会被屏蔽，从而消除毛刺干扰信号。PWM 占空比是 由 CS 引脚输入电压和 FB 引脚电压共同决定的。 斜坡补偿斜坡补偿 内部的斜坡补偿电路将一个斜坡电压加在电流 检测输入电压上来帮助产生 PWM 信号，这样会极大 地加强在 CCM 下的闭环稳定性，防止次谐波振荡， 并降低输出纹波。 驱动驱动输出输出 功率管
11、驱动能力越弱，功率管的导通损耗和开 关损耗就越大，驱动能力越强，会影响 EMI 性能。 RM6301T 内部采用图腾柱驱动设计，并调整适 当的驱动能力和死区时间控制来达到良好的效果。 通过这种专用的驱动方式设计系统可以很容易达到 降低功耗和较好 EMI 的目的。 保护控制保护控制 RM6301T 具有自动恢复特性的逐周电流限制 （OCP） 、 过载保护 （OLP） 、 和 VCC 欠压锁定 （UVLO） 、 VCC 过压保护（OVP） 。 在过载条件下， 当 FB 脚的输入电压达到它的功 率限制阈值电压，延迟并且超过TD_P 时，控制电路 就会立即关断振荡器。 当 VCC 电压下降到 UVLO
12、 的下 限时，振荡器重新开启。当达到 OVP 条件时，控制 电路关断振荡器，直到 VCC 电压下降到 5V（锁存释 放电压） ，系统才能重新进入启动模式。 RM6301T 6 / 6 http:/www.reactor- 2013-03-09 封装尺寸封装尺寸 SOT23-6 符号符号 毫米毫米 英寸英寸 最小值最小值 最大值最大值 最小值最小值 最大值最大值 A 1.000 1.300 0.039 0.051 A1 0.000 0.150 0.000 0.006 A2 1.000 1.200 0.039 0.047 b 0.300 0.500 0.012 0.020 c 0.100 0.200 0.004 0.008 D 2.800 3.020 0.110 0.119 E 1.500 1.700 0.059 0.067 E1 2.600 3.000 0.102 0.118 e 0.950 (BSC) 0.037 (BSC) e1 1.800 2.000 0.071 0.079 L 0.300 0.600 0.012 0.024 0 8 0 8
