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1、考试科目 829 数字电路与模拟电路 考试形式 笔试（闭卷）考试时间 180 分钟 考试总分 150 分一、总体要求主要考察学生对数字电路 、 模拟电路课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。二、内容及比例数字电路部分（50%）1、数制和编码掌握数制、码制及相互转换方法。2、逻辑代数基础1） 、掌握逻辑代数的逻辑运算、公式和规则真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换。2） 、掌握逻辑关系式的化简方法3、逻辑门电路掌握 TTL、CMOS 逻辑门电路的功能、电气特性、应用和使用注意事项4、组合电路分析与设计1） 、掌握组合电
2、路特点及分析方法：2） 、掌握组合电路的设计方法（SSI）对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。3） 、利用集成组合电路进行设计（MSI）重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器的逻辑功能和使用方法，包括级联和功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般组合电路的设计。5、时序电路分析与设计1） 、掌握触发器的分类、逻辑功能、触发方式和特性方程2） 、掌握时序电路的分析方法与设计方法重点掌握状态机、计数器、移位寄存器的原理与设计。重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：74160
3、/2、74161/3、74194 等电路）的逻辑功能和使用方法，包括功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般时序电路的设计。6、存储器、CPLD 和 FPGA了解常用半导体存储器（ROM 、SRAM、DRAM）的结构特点和工作原理。了解可编程逻辑器件的原理和结构。模拟电路部分（50%）第一章 半导体材料及二极管1、半导体基础知识（了解）：本征半导体与杂质半导体（P 型与 N 型） ，本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN 结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN 结的单向导电特性，不对称 PN 结。2、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二
4、极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻（估算式） ，硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容效应。3、二极管应用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。J二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的串并联等效。第二章 双极型晶体三极管1、BJT 原理（了解）NPN 和 PNP 管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解） ，放大偏置的外电流关系，放大偏置时的 vBE、
5、 vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应） ，BJT 的截止与饱和状态。2、BJT 静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。3、BJT 参数（掌握）, , , , ICBO, ICEO , ICM ,PCM ,BVCEO 和 fT的含义BJT 管型判别和 BJT 的放大、截止与饱和状态判别。4、BJT 模型（掌握）BJT 的小信号等效模型：简化模型（g m参数和 参数模型）及其模型参数的求解式。BJT 的混合 等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。第三章 BJT 放大电路1、放大器的一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电
6、流） ，负载电阻，输入输出电压（电流） ，耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。2、BJT 偏置电路（掌握）掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳 Q 原理和稳定条件。3、BJT 三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。CE、CC、CB 放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式） 。交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对 CE 放大器） 。4、多级放大器（掌握）级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。第四章 MOSFET 及基本放大电路1、
7、FET 原理（了解）了解 FET 的分类、电路符号，了解 N 沟道 JFET 及 N 沟道增强 MOSFET 的工作原理，放大区的沟道状态及 vGS和 vOS此时对 iD的影响2、FET 特性曲线（掌握）以 N 沟道 JFET 为重点，了解 FET 的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。3、FET 偏置电路（自给偏压和混合偏置） （掌握）掌握工作点的估算方法，了解 P 沟道 FET 与 N 沟道 FET 偏置极性的差别。4、FET 的小信号模型（掌握）理解 gm的含义及计算式，理解 rds含义，完整模型和低频模型。5、FET 的 CS 和 CD 组态放大器（掌握）放大器电路、指
8、标计算及特点。第五章 放大器的频率响应1、放大器频率响应的概念及描述（了解）产生频率响应的原因，放大器频率特性函数， fL 、 fH 、 BW 的定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别，对数频率特性曲线波特图的概念。放大器的增益函数，零、极点（了解） 。2、放大器的低、高频截止频率的估算（掌握）J 用短路时间常数法估算 fL，用开路时间常数法估算 fH。第六章 模拟集成单元电路1、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理。2、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法）差放
9、的信号分解（ vic、 vid与任模信号关系） ，各种差放电路，工作点估算，差放的指标（ Avd， Avc， KCMR， Rid， Ric , Ro）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围及大信号限幅特性（了解） 。3、OCL 和 OTL 功率输出电路（掌握）功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。OCL 和 OTL 电路原理及满激励指标（掌握） ，功率管极限参数（ ICM ,PCM ,BVCEO）对 OCL 和 OTL 功放的限制，实用电路分析（定性） ，复合管（正确复合方式） 。第七章 负反馈技术1、单环理想模型（了解）基本概念：原输入
10、 xs、净输入 xi和反馈信号 xf ，A 放大器、B 网络， 开环增益 A 与 Af闭环增益，反馈系数 B，反馈深度 F，环路传输系数 T，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈。四种反馈类型及其双口网络模型。2、实际反馈放大器类型及极性的判断（掌握）3、负反馈对放大电路的影响（定性了解）了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用4、在深负反馈条件下正确计算 Af和 Avsf（掌握）5、负反馈放大器的稳定性（掌握）产生自激振荡的原因，自激条件，用已知的 T(j)和 A(j)的波特图判断稳第八章 集成运算放大器1、集成运放电路组成及特点（定性了解）2、了解集成运放的主要参数： Avd， KCMR， Rid， Ro ， BWG ， SR， VIO ，d VIO/dT， Iio ，d Iio/dT3、理想运放分析法（重点掌握）虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立的原因，两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。4、运放的线性应用电路（重点掌握）代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用的线性应用电路。三、题型及分值数字电路部分：填空题：30%选择题：20分析设计题：50%模拟电路部分：填空题:40%；计算题: 60% J
