耐压30伏内置MOS管750mA大功率LED驱动器

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1、CHIPLINK http:/www.chiplink- 1 SEMICONDUCTORCL68072008-09-09 耐压耐压30伏内置伏内置MOS管管750mA大功率大功率LED驱动器驱动器 概述 概述 CL6807是一款高侧电流感应的高亮度LED驱动控制器,设计运用于高效驱动由高于LED正向导通 电压的电源供电的单个或多个串联LED。该装置的运作是在6V到30V之间,提供了一个外部可调的高 达750mA的输出电流。根据电力供应的电压和外部元件,可以提供高达25瓦的输出功率。 CL6807包括输出开关和一个高侧的输出电流传感电路, 可利用外部电阻器来设定的平均输出电 流或由精心设计的直流

2、电压或PWM信号来加载ADJ脚来调节输出电流。在ADJ脚上加低于0.4V的电 压将关断输出电流和开关动作,使该芯片进入低功耗待机状态。CL6807的封装为SOT89-5。 特点 特点 极少的外围器件数 宽输入电压范围:6V至30V 高达750mA的输出电流 开关控制及亮度的直流电压控制和PWM控制 由单脚实现 输出电流准确性可达5 内建的LED开路保护 高达95的效率 高侧电流感应 迟滞控制;无需补偿 应用应用 LED替换低压卤素灯应用 汽车照明 低压照明工业 LED后备照明 发亮标志 紧急照明系统 液晶电视背光 典型应用图典型应用图 管脚分布图 管脚分布图 CHIPLINK http:/ww

3、w.chiplink- 2 2008-09-09 SEMICONDUCTORCL6807管脚描述管脚描述- . 管脚号管脚号 管脚名管脚名 描述描述 1 LX 开关输出。LX是内部N型MOS管的漏端 2 GND 信号与功率地直接接地。 3 ADJ 逻辑调光输入,输入高电路使能,输入低电路关断。 4 ISNS 电流检测输入 5 VIN 输入电平端,需加旁路电容 最大额定值 (注释1) 最大额定值 (注释1) 符号符号 符号说明符号说明 范围范围 单位单位 VIN 输入电平 -0.330 V LX 内部MOS管漏端 -0.330 V ISNS 电流检测输入端(相对 VIN) +0.3(-5.0)

4、V ADJ 逻辑调光输入 -0.36 V PDMAX 功耗(注释2) 内部限定 W PTR 热阻, SOT89-5 JA 45 C /W TJ 工作时结温范围 -40 to 150 C TSTG 存储温度 -55 to 150 C ESD耐压(注释3) 2 kV 推荐工作范围 推荐工作范围 符号 符号说明符号 符号说明 范围范围 单位单位 VIN VDD 输入电平 0 30 V TOPT 工作温度 -40 to +85 C 注释 1: 超出最大范围器件可能损毁。推荐工作范围内器件可以工作,但不保证其特性。电气特性表 明的直流和交流特性是在特定条件下测得, 其特性可以保证。 此特性假定器件在推荐

5、工作范围内工作。 未示出特性不保证其性能。典型值是最佳性能点。 注释 2:在严格温度条件下,最大功耗需降档。其由TJMAX, JA,和环境温度TA来决定,最大允许功耗为PDMAX = (TJMAX - TA)/ JA和最大额定值给出的偏低者。 注释 3: 人体模式, 100pF电容通过1.5k电阻放电 CHIPLINK http:/www.chiplink- 3 2008-09-09 SEMICONDUCTORCL6807电气特性 (注释4, 5) 电气特性 (注释4, 5) VIN=VEN=3.6V, 若非特别注释,默认环境温度25 符号符号 符号说明符号说明 条件条件 最小值典型值最小值典

6、型值 最大值 单位最大值 单位 VIN 输入电源电压 6 30 V VUVLO 欠压保护 VIN 上升时 5.5 6 6.5 V VUVLO, HYS UVLO滞回值 VIN 下降时 500 mV FSW 最高开关频率 1 MHz VISNS 平均电流采样阈值电压 VIN-VISNS 95 100 105 mV VISNS_hys 采样阈值迟滞 15 % 可选 30 % IISNS ISNS 端输入电流 VIN-VISNS=100m V 8 A IOFF 静态输入电流 (输出关断) 75 A IOP 静态输入电流(输出开关) 1.8 mA VADJ_H ADJ输入电平高 2.5 V VADJ_

7、L ADJ输入电平低 0.5 V VADJ_DC 直流亮度控制 0.5 2.5 V fADJ 最大ADJ调光频率 20 kHz 低频调光时的占空比 fADJ 10KHz 0.2 1 DPWM_HF 亮度控制范围 5:1 IADJ H ADJ端高漏电流 VADJ = 5V -1 +1 uA IADJ_L ADJ端低漏电流 VADJ = 0 10 1 uA RLX MOS管导通电阻 ILX=750mA 0.5 ILXmean MOS管连续电流 1 A ILEAK MOS管漏电流 0.5 5 A 注释注释4: 典型参数在25 下测得并被当作正常值 注释注释5: 数据表中的最大最小值为设计、测试及统计

8、分析所保证 CHIPLINK http:/www.chiplink- 4 2008-09-09 SEMICONDUCTORCL6807结构框图 结构框图 -+DRIVER LOGICCurrent Sense COMPARATORUVLO COMPARATORBANDGAP REFREGULATORADJ BUFFER1.25VADJISNSVINLXGND详细说明 详细说明 该芯片是由电感L1、电流采样电阻RS构成的自振荡连续模式降压转换器。当VIN上电时,L1和 RS上的电流为零, 此时无电流流过电流采样电路, CS比较器的输出为高, 这将打开MN并将LX点拉低。因此将会有电流从VIN通过

9、RS、L1、LED流到地,当(VIN-VISNS) 115mV时,CS比较器的输出为低,并关断NMOS,这样流过RS的电流又将降低当(VIN-VISNS) 85mV时,NMOS再次开启,如此反复。流过WLED的平均电流为SSRmVRmV/100/211585=+。 高端电流采样模式和板上电流采样电路最小化了外围器件数目, 在采用1%的采样电阻的情况下, 可控制WLED的电流在5%的精度范围内。 CL6807允许用ADJ端进行PWM调光,低于0.5V的逻辑电平可以关断芯片,高于2.5V的逻辑电平 可以开启芯片。ADJ端也可以加上一个直流电平来进行直流调光(调光值在低于设定值的范围内)。 高亮LE

10、D通常需要温度补偿来实现稳定工作,因为LED通常距离芯片较远,所以CL6807内部的 温度补偿机制就可以应付。当需要采用温度补偿时,可通过温度采样电路将温度信号反馈致ADJ端, 进行温度补偿。 CHIPLINK http:/www.chiplink- 5 2008-09-09 SEMICONDUCTORCL6807欠压保护欠压保护 (UVLO) CL6807内置有一个7V的带500mV滞回值的欠压保护模块,当VIN低于5.5V时,MOS管关断,当 VIN高于6V时,MOS管打开。 5V稳压器稳压器 VCC电压是一个5V的内部稳压器提供的,可以带10mA的负载。VCC有内部的旁路电容进行滤波。

11、ADJ输入输入 CL6807可以由ADJ脚进行PWM调光,当ADJ端电压低于0.5V时,LED电流就会完全关断,只有当 ADJ端电压高于2.5V时,LED才能以设定电流工作。 应用信息应用信息 选择选择 RSENSE 设定设定LED电流电流 CL6807可通过在VIN和ISNS端之间接一个电阻来设定LED的电流. 可用下式来计算所需电阻: )5 . 25 . 0(5 . 2 1 . 0VVVRsVIADJADJ out= 稳流工作原理 稳流工作原理 CL6807通过迟滞比较器(见图1)来实现LED输出稳流的功能。当流过电感的电流爬升时,在 RSENSE电阻上的电压也随之上升,直至达到迟滞比较器

12、的上限,这是就将关断内置MOS管,此后 电流将通过肖特基二极管形成环路; 同理,当电感电流回落至一定值使RSENSE电阻上的电压达到比 较器下限时,MOS管将再次打开,电感电流将再次上升。振荡频率由下式决定: LVVINRVnVnVINfSENSELEDLED sw=)(N是LED的数量, VLED是单个LED的正向导通电压, 而V = (VSNS_HI - VSNS_LO). CHIPLINK http:/www.chiplink- 6 2008-09-09 SEMICONDUCTORCL6807二极管的选择 二极管的选择 为了提高效率,自由电流环路的二极管的正向导通电压越低越好,肖特基二极

13、管是很好的选择。 务必要保证肖特基二极管的可以承受最大工作电压, 而且二极管额定正向导通电流要大于应用的最大 LED电流 LED 电流纹波电流纹波 LED电流纹波等于电感电流纹波,在需要更低的LED纹波的场合,可以在LED两端旁路电容。 PCB布版指南布版指南 仔细的PCB布局布线可以降低开关损耗并获得系统的稳定工作。使用多层版可以获得更好的抗噪 性能。大电流接地回路、输入旁路电容接地和输出滤波器地线采用星型连接(星型接地结构),可进 一步降低接地噪声。正常工作状态下有两个大功率回路:一个回路是内部MOS管导通时形成的,由 VIN-RSENSE-LED-电感-本芯片-GND形成,另一个时MOS

14、管关断时的回路,由RSENSELED- 电感续流二极管形成。为降低噪声干扰,每个回路的面积应尽可能小。 RSENSE须尽可能靠近输入滤波器和VIN脚放置,为提高抗干扰能力,建议CSN和RSENSE采用 Kelvin连接。裸焊盘接至大面积地层,以提高散热能力。 CHIPLINK http:/www.chiplink- 7 2008-09-09 SEMICONDUCTORCL6807封装说明 封装说明 SOT89-5封装封装 毫米 毫米 符号 符号 最小值 最小值 最大值 最大值 A 1.400 1.600 b 0.320 0.520 b1 0.360 0.560 c 0.350 0.440 D

15、4.400 4.600 D1 1.400 1.800 E 2.300 2.600 E1 3.940 4.250 e 1500 TYP e1 2.900 3.100 L 0.900 1.100 CHIPLINK http:/www.chiplink- 8 2008-09-09 SEMICONDUCTORCL6807? 此处描述的信息有可能有所修改,恕不另行通知 ? 芯联半导体不对由电路或图表描述引起的与的工业标准, 专利或第三方权利相关的问题负有责任。 应用电路图仅作为典型应用的示例用途,并不保证其对专门的大规模生产的实用性。 ? 当该产品及衍生产品与瓦圣纳协议或其他国际协议冲突时,其出口可能会需相关政府的授权。 ? 未经芯联半导体刊印许可的任何对此处描述信息用于其他用途的复制或拷贝都是被严厉禁止的。 ? 此处描述的信息若芯联半导体无书面许可不能被用于任何与人体有关的设备,例如运动器械,医 疗设备,安全系统,燃气设备

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