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1、 CS6581高精度非隔离恒流高精度非隔离恒流 LED 驱动电路驱动电路 本资料适用范围：CS6581AEO/BEO/EO/DEO/EP/FEP 第 1 页 共 8 页 1 概述概述 CS6581 是一款高精度的 LED 恒流控制芯片，应用于非隔离的降压型 LED 电源系统，适合全范围的交流电压输入或者 12V500V 的直流电压输入；芯片内置 500V 功率MOS，只需很少的外围器件即可实现很高的电流精度。芯片工作在电感电流临界模式，系统输出电流不随电感量和 LED 工作电压的变化而变化，具有优异的负载调整率；无需辅助绕组供电，简化设计，降低系统成本。 CS6581 集成专利的交流输入电压欠
2、压保护功能， 在交流输入电压过低时系统自动进入打嗝模式，防止在低输入电压时输入电流过大而损坏系统。同时芯片还集成了多重保护功能来加强系统的稳定性和可靠性，包括VCC欠压保护，LED开路/短路保护，逐周期限流以及过温保护等，所有保护均具有自动重启功能。 其特点如下： 边界控制模式，可以提高效率 内置 500V MOSFET 低工作电流（4.5us图 2 最小关断时间 CS6581 第 3 页 共 8 页 2.2.6 前沿消隐前沿消隐 由于存在寄生电容，MOSFET 在导通瞬间，会产生一个脉冲电流。CS6581 内部集成有前沿消隐功能，在 MOSFET 导通的瞬间，设计有 280ns 的前沿消隐时
3、间，在这段时间内，电流比较器停止工作，避免脉冲电流让电流比较器发生误翻转，如下图所示： VCStTLEB=280ns图 3 前沿消隐 2.2.7 输出过压保护输出过压保护 输出过压保护功能可以避免输出电压过高而损坏器件。CS6581 利用监测并联在 两端的电阻 RZCD1 和 RZCD2 的分压值实现输出过压保护功能。 当 ZCD 电压高于 5.5V 时，芯片触发过压保护功能，关断功率 MOSFET。Vcc 电压会降到 UVLO 关断电压以下，系统再次启动，直到输出过压状态被解除，系统才开始正常工作。输出电压过压保护点通过以下公式来设定： 121 _)(5 . 5ZCDZCDZCD OVPOU
4、TRRRVV+= 其中： VOUT_OVP为输出电压过压保护点。 2.2.8 过温保护过温保护 为了避免温度过高而损坏器件，CS6581 内置过温保护功能。当温度高于 160，过温保护模块将关断芯片并锁定，直到 Vcc 降到欠压保护关断电压，系统重启。系统会不断检测芯片温度，当温度降到 130以下，系统重启后才能正常工作。 2. 3 引脚排列图引脚排列图 GNDVCCDRAINCSDRAINZCDGATECS6581CSCS6581 第 4 页 共 8 页 2. 4 引脚说明与结构原理图引脚说明与结构原理图 引脚 符 号 功 能 属性 结 构 原 理 图 1 GND 地。 P 2 ZCD 零电
5、流检测 I 3 VCC电源。 P 4 GATE 内部高压功率管的栅极 I 5,6 DRAIN 内部高压功率管的漏极 O 7,8 CS 原边电感电流采样端。 I 3 电特性电特性 3. 1 极限参数（极限参数（超过极限参数，芯片可能被损坏） 除非特别说明，Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 电源电压 VCC-0.330 V 内置高压功率管漏端 VDRAIN-0.3500 V 内置高压功率管漏端最大 工作电流 IDRAIN0.54 A 低压模拟端口（CS，ZCD） -0.37 V 功耗 PDMAX0.45 W 热阻 JA145 /W 工作结温 TJ150 储存温度 TST
6、G-65150 ESD（HBM 模型） 3.5 kV CS6581 第 5 页 共 8 页 3. 2 电特性电特性 除非特别说明，Tamb= 25 规 范 值 符 号 参 数 名 称 测 试 条 件 最小典型 最大 单位输入电源部分输入电源部分 VCC_CLAMPVCC钳位电压 Icc=5mA 12.3 V UVLO_ONUVLO 开启电压 VCC上升 8.7 V UVLO_OFFUVLO 关断电压 VCC下降 7.4 V UVLO_HYSUVLO 迟滞电压 1.3 V ICC_OFFVCC关断电流 VCC上升 VCC=10V 70 A IQVCC静态电流 VCC=10V 无开关动作 0.25
7、 0.5 mA ICC工作电流 开关频率 70kHz 0.5 1 mA 误差放大器误差放大器 VREF电压反馈 输入阈值电压 VCC=10V 592500508 mV GEA误差放大器跨导 80 A/VVEA误差放大器电压增益 400 V/V零电流检测零电流检测 VZCDLZCD 下降阈值 ZCD 下降 0.3 V VZCDHZCD 上升阈值 ZCD 上升 0.8 V VZCD_OVPZCD 过压保护阈值 5.5 V TOFF_MIN最小关断时间 4.5 s 转下页 接上页 规 范 值 符 号 参 数 名 称 测 试 条 件 最小典型 最大 单位电流采样电流采样 TLEB电流采样前沿 消隐时间
8、 500 ns TDELAY关断延迟 120250 ns 重启计时器重启计时器 TSTART重启计时器周期 150300 s 驱动部分驱动部分 V(BR)dss内置 MOSFET 源漏电压 VGS=0V，ID=250uA 500 V 过温保护过温保护 TSD过温关断温度 160 TSD_HYS过温关断延迟 30 CS6581 第 6 页 共 8 页 4. 1 ：原理图：原理图4. 2 ：B O M 表1 8 W 驱动电路B O M 表（1 5 0 M A / 1 2 0 V ）：B O M 表1 8 W 驱动电路B O M 表（1 5 0 M A / 1 2 0 V ）CS6581 第 7 页
9、 共 8 页 5 封装尺寸与外形图（单位：封装尺寸与外形图（单位：mm） 5. 1 CS6581AEO/BEO/EO/DEO Symbol Min. Max. Symbol Min. Max. A 1.350 1.750 E 3.800 4.000 A1 0.100 0.250 E1 5.800 6.200 A2 1.350 1.550 e 1.270 (BSC) b 0.330 0.510 L 0.400 1.270 c 0.170 0.250 0 8 D 4.700 5.100 5. 2 CS6581EP/FEP CS6581 第 8 页 共 8 页 Symbol Min. Nom. Ma
10、x. Symbol Min. Nom. Max. A 3.60 3.80 4.00 c1 0.23 0.25 0.27 A1 0.51 - - D 9.05 9.25 9.45 A2 3.00 3.30 3.40 E1 6.15 6.35 6.55 A3 1.55 1.60 1.65 e 2.54BSC b 0.44 - 0.53 eA 7.62BSC b1 0.43 0.46 0.48 eB 7.62 - 9.30 B1 1.52BSC eC 0 - 0.84 c 0.24 - 0.32 L 3.00 - - 产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件名称 铅 （Pb）
11、汞（Hg） 镉（Cd）六价铬 （Cr+6） 多溴联苯 （PBB） 多溴联苯醚 （PBDE） 引线框 塑封树脂 芯片 内引线 装片胶 说明 ： 表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。：表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。注意注意 建议您在使用产品之前仔细阅读本资料。 希望您经常和有关部门进行联系，索取最新资料，因为产品在不断更新和提高。 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知。 本资料仅供参考，不承担任何由此而引起的损失。 不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。 代理商：深圳市同创利电子有限公司联系人：胡凯 电话：0 7 5 5 - 2 9 1 9 3 5 1 8 手机：1 3 5 1 0 7 1 4 9 2 6 深圳公司：宝安区西乡大道与宝源路交汇处中央大道A 座6 C中山分公司：中山市横栏镇顺兴南路君兰豪庭6 8 栋4 0 2
