本科生毕业论文书写式样必读

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1、第 1 章 (大标题)1.1 (一级节标题)1.1.1 (二级节标题)1.1.1.1 (三级节标题)四级节以后的标题和编号的编排原则为:下级标题的显目程度不 超过上一级,不重复或混淆。如可采用(1)或(a)等格式。本科生毕业设计(论文)书写式样本科生毕业设计(论文)书写式样一、页面设置:上 2.54cm,下 2.54cm,左 3.67cm,右 2.67cm,行间距固定值20 磅。二、目录:“目录”两字小三号宋体加粗,目录内容小四号宋体。三、摘要1中文摘要:标题小二号宋体加粗, “摘要”两字四号宋体,摘要内容小四号宋体, “关键词”三字小四号宋体加粗,2英文摘要:标题小二号 Times New

2、Roman 体加粗, “Abstract” 四号 Times New Roman 体;“Abstract” 内容小四号 Times New Roman 体, “Keywords”小四号 Times New Roman 体加粗。四、正文 (一)标题(一级节标题四号宋体)层次标题要简短明确,同一层次的标题应尽可能“排比” ,即词(或词组)类型相同(或相近) ,意义相关,语气一致,层次以少为宜。 各层次标题一律用阿拉伯数字连续编号;不同层次的数字之间用小圆点“ ”相隔,末位数字后面不加点号,如“1” ,“2.1” , “3.1.2”等;各层次的序号均左顶格起排。(二)正文内容小四号宋体五、图表图表内

3、容五号宋体,图名、表名宋体 10.5 磅。图序与图名:图序一律采用阿拉伯数字分章编号,第 3 章第 1 个图的图序为“图 3.1” ;图名应简明。图序和图名间空 1 个字距,居中排于图的下方。表序与表名:表序一律采用阿拉伯数字分章编号,如第 2 章第 1 个表的表序表示为“表 2.1” ;表名应简明。表序和表名间空 1 个字距,居中排于表的上方。六、参考文献参考文献四字四号宋体,参考文献内容小四号宋体,其中英文用小四号Times New Roman 体。七、致谢:致谢两字四号宋体,致谢内容小四号宋体。八、文中的阿拉伯数字、英文都要用 Times New Roman 体, 具体书写式样如下:1、

4、目录式样(内容小四号宋体)目目 录录(小三号宋体加粗)摘 要.I Abstract.II 第一章 前 言.1 1.1 研究背景和意义.1 1.1.1 研究背景.1 1.1.2 研究意义.1 1.2 研究方法及预期成果.1 1.3 国内外研究现状.2 1.3.1 国外研究现状.2 1.3.2 国内研究现状.3 第二章 创业板上市公司的现状分析.5 2.1 中国创业板市场.5 2.1.1 创业板市场简介.5 2.1.2 我国创业板发行条件中的财务指标与主板的主要区别.5 2.2 创业板 28 家上市公司分布情况.6 2.2.1 创业板上市公司按地域分布描述统计.6 2.2.2 创业板上市公司按行业

5、分布描述统计 .6 2.3 创业板上市公司成长性影响因素分析 .7 2.3.1 提出假设.8 第三章 实证分析.9 3.1 样本选取及数据来源.9 3.2 描述性统计 .9 3.3 估计参数.11 1.建立模型.11 2 模型检验.12 3 结论.13 第四章 结束语.15 4.1 研究总结.15 4.2 不足之处.15 参考文献参考文献.16 致致 谢谢.172、摘要式样(1)中文摘要式样(内容小四号宋体)III-族氮化物及其高亮度蓝光族氮化物及其高亮度蓝光LED 外延外延片的片的 MOCVD 生长和性质研究生长和性质研究(小二号宋体加粗)摘 要(四号宋体)宽禁带 III族氮化物半导体材料在

6、短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自 1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了 GaN 基蓝光 LED 外延材料生长技术以来,美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术,并分别实现了批量或小批量生产 GaN 基 LED。尽管如此,这项高技术仍处于高度保密状态,材料生长的关键思想及核心技术仍未公开,还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的,旨在研究 GaN 基材料生长中的物理及化学问题,为生长可商品化的高亮度 GaN 基 LED 外延材料提供科学依据。本文在自制常压 MOCVD 和英

7、国进口 MOCVD 系统上对 III族氮化物的生长机理进行了研究,对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构,生长的蓝光 LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果:1.首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想,并在 GaN 外延生长上得以实现。采用这种缓冲层,显著改善了GaN 外延膜的结晶性能,使 GaN 基蓝光 LED 器件整体性能大幅度提高,大大降低了 GaN 基蓝光 LED 的反向漏电流,降低了正向工作电压,提高了光输出功率。本文得到了国家 863 计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词关键词(小四号宋体加粗):氮化物;MOCVD;LED;卢瑟福背散射沟道;光致发光;光透射谱

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