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1、电子信息、通信、电类专业将会遇到的面试题大全电子信息、通信、电类专业将会遇到的面试题大全电子专业 硬件工程师面试试题及答案 (分类:工作面试)模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流的代数和恒等于零。电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。2、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输
2、入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。电压负反馈的特点：电路的输出电压趋向于维持恒定。电流负反馈的特点：电路的输出电流趋向于维持恒定。3、有源滤波器和无源滤波器的区别无源滤波器：这种电路主要有无源元件 R、L 和 C 组成有源滤波器：集成运放和 R、C 组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。数字电路1、同步电路和异步电路的区别是什么？同步电路：存储电路中所有触发器的时钟输入端
3、都接同一个时钟脉冲源，因而所有触发器的状态的变化都与所加的时钟脉冲信号同步。异步电路：电路没有统一的时钟，有些触发器的时钟输入端与时钟脉冲源相连，这有这些触发器的状态变化与时钟脉冲同步，而其他的触发器的状态变化不与时钟脉冲同步。2、什么是“线与“逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？将两个门电路的输出端并联以实现与逻辑的功能成为线与。在硬件上，要用 OC 门来实现，同时在输出端口加一个上拉电阻。由于不用 OC 门可能使灌电流过大，而烧坏逻辑门。3、解释 setup 和 hold time violation，画图说明，并说明解决办法。 （威盛 VIA2003.11.06 上海笔试试题）S
4、etup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T 时间到达芯片，这个 T 就是建立时间-Setup time.如不满足 setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。如果 hold time 不够，数据同样不能被打入触发器。建立时间(Setup Time)和保持时间（Hold time） 。建立时间是指在时钟边沿前，数据信号需要保持不变的时间
5、。保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间。如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时间，那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量。4、什么是竞争与冒险现象？怎样判断？如何消除？（汉王笔试）在组合逻辑中，由于门的输入信号通路中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。产生毛刺叫冒险。如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。解决方法：一是添加布尔式的消去项，二是在芯片外部加电容。5、名词：SRAM、SSRAM、SDRAMSRAM：静态 RAMDRAM：动态 RAMSSRAM：Synchronous Static Random Access Me
6、mory 同步静态随机访问存储器。它的一种类型的 SRAM。SSRAM 的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步 SRAM 不同，异步 SRAM 的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器6、FPGA 和 ASIC 的概念，他们的区别。 （未知） 答案：FPGA 是可编程 ASIC。 ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与 门阵列等其它ASIC(
7、Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点。7、什么叫做 OTP 片、掩膜片，两者的区别何在？OTP means one time program，一次性编程MTP means multi time program，多次性编程OTP（One Time Program）是 MCU 的一种存储器类型MCU 按其存储器类型可分为 MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASHROM 等类型。MASKROM 的 MCU 价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不
8、变的应用场合；FALSHROM 的 MCU 程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；OTP ROM 的 MCU 价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。8、单片机上电后没有运转，首先要检查什么？首先应该确认电源电压是否正常。用电压表测量接地引脚跟电源引脚之间的电压，看是否是电源电压，例如常用的 5V。接下来就是检查复位引脚电压是否正常。分别测量按下复位按钮和放开复位按钮的电压值，看是否正确。然后再检查晶振是否起振了，一般用示波器来看晶振引脚的波形，注意应该
9、使用示波器探头的“X10”档。另一个办法是测量复位状态下的 IO 口电平，按住复位键不放，然后测量 IO 口（没接外部上拉的 P0 口除外）的电压，看是否是高电平，如果不是高电平，则多半是因为晶振没有起振。另外还要注意的地方是，如果使用片内 ROM 的话（大部分情况下如此，现在已经很少有用外部扩 ROM 的了） ，一定要将 EA 引脚拉高，否则会出现程序乱跑的情况。有时用仿真器可以，而烧入片子不行，往往是因为 EA 引脚没拉高的缘故（当然，晶振没起振也是原因只一）。经过上面几点的检查，一般即可排除故障了。如果系统不稳定的话，有时是因为电源滤波不好导致的。在单片机的电源引脚跟地引脚之间接上一个
10、0.1uF 的电容会有所改善。如果电源没有滤波电容的话，则需要再接一个更大滤波电容，例如 220uF 的。遇到系统不稳定时，就可以并上电容试试（越靠近芯片越好） 。模拟电路 2、平板电容公式(C=S/4kd)。 （未知） 6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。 （未知） 8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。 （凹凸） 9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器） ，优缺 点 ，特别是广泛采用差分结构的原因。 （未知） 10、给出一差分电路，告诉其输出电压 Y+和
11、 Y-,求共模分量和差模分量。 （未知） 11、画差放的两个输入管。 （凹凸） 12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的 运放电路。 （仕兰微电子） 13、用运算放大器组成一个 10 倍的放大器。 （未知） 14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路） ，并求输出端某点 的 rise/fall 时间。(Infineon 笔试试题) 15、电阻 R 和电容 C 串联，输入电压为 R 和 C 之间的电压，输出电压分别为 C 上电压和 R 上电 压 ，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤 波器 。当 RC
12、q,还有 clock 的 delay,写出决定 最大时钟的因素，同时给出表达式。 （威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。 （威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 19、一个四级的 Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing。 （威盛 VIA2003.11.06 上海笔试试题） 20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入， 使得输出依赖于关键路径。 （未知） 21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异） ，触发器有几种（区别，优 点） ，全加器等等。 （未知） 22、卡
13、诺图写出逻辑表达使。 （威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题）23、化简 F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。 （威盛） 24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P- well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the tra
14、nsfer curve? （威盛笔试题 c ircuit design-beijing-03.11.09） 25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define th e ration of channel width of PMOS and NMOS and explain? 26、为什么一个标准的倒相器中 P 管的宽长比要比 N 管的宽长比大？（仕兰微电子） 27、用 mos 管搭出一个二输入与非门。 （扬智电子笔试） 28、please draw the transistor level sc
15、hematic of a cmos 2 AND gate and explain which has faster response for output rising edge.(less delay tim e)。 （威盛笔试题 circuit design-beijing-03.11.09） 29、画出 NOT,NAND,NOR 的符号，真值表，还有 transistor level的电路。 （Infineon 笔试 ） 30、画出 CMOS 的图，画出 tow-to-one mux gate。 （威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题） 31、用一个二选一 mux 和一个 i
16、nv 实现异或。 （飞利浦大唐笔试） 32、画出 Y=A*B+C 的 cmos 电路图。 （科广试题） 33、用逻辑们和 cmos 电路实现 ab+cd。 （飞利浦大唐笔试） 34、画出 CMOS 电路的晶体管级电路图，实现 Y=A*B+C(D+E)。 （仕兰微电子） 35、利用 4 选 1 实现 F(x,y,z)=xz+yz 。 （未知） 36、给一个表达式 f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx 用最少数量的与非门实现（实际上就是化简） 。 37、给出一个简单的由多个 NOT,NAND,NOR 组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。 （ Infineon 笔试） 38、为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D） ，请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么 ？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知） 39、用与非门等设计全加法器。 （华为） 40、给出两个门电路让你分析异同。 （华为） 41、用简单电路实现，当 A 为输入时，输出 B 波形为（仕兰微电子） 42、A,B,C,D
