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1、SI9000 常规阻抗计算常规信号分为微带线和带状线，微带线指该信号线只有一个参考平面（表底层） ，带状线指该信号线在两个参考平面之间（内层） ，故阻抗计算需要选择不同模型来完成。一、 外层（微带线）单端阻抗计算模型1.单端阻抗结构2.单端阻抗模型3.设置相应参数说明：介电常数和板材有关，常规 FR4 介电常数在 4.2-4.5 之间，常规半固化片介电常数 106（3.9） 、1080（4.2） 、2116（4.2） 、7628（4.5） ，罗杰斯板材 RO4350B 介电常数是 3.66，M6 板材介电常数在 3.3-3.5 之间。二、外层（微带线）差分阻抗计算模型1.差分阻抗结构2.差分阻
2、抗模型3.设置相应参数说明：常规差分控制阻抗 100ohm，USB 控 90ohm，Typec 控 90ohm以下是 1.6mm 板厚常规八层板的层叠1. 3 个信号层、2 个地、一个电源2.射频隔层参考，线宽 16mil3.关键信号在 S1 层，注意 S2 跨分割问题，适用于杂线多的情况A根据微带线单端模型 50ohm 阻抗计算如下（线宽 6）：B根据微带线差分模型阻抗计算如下：三、内层（带状线）单端阻抗计算模型1.单端阻抗结构2.单端阻抗模型3.设置相应参数四、内层（带状线）差分阻抗计算模型1.差分阻抗结构2.差分阻抗模型3.设置相应参数根据常规 8 层板层叠计算内层阻抗.A内层单端阻抗模
3、型：S1：H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S1 层 50ohm：5mil（说明：阻抗允许误差正负 10%，H1 和 H2 数值）S1 和 S2 参考层面厚度相差较小阻抗线宽一致（说明：如果 H1和 H2 数值正确，H1 和 H2 即使颠倒，阻抗变化很小）S2：H1=4.3H2=1.2+16+1.2+4.3=22.7S2 层 50ohm：5mil S3：H1=4.3H2=1.2+16=17.2S3 层 50ohm：5milB内层差分阻抗模型（介质厚度和单端阻抗一致）：S1：H1=16+1.2+4.3=21.5H2=1.2+4.3=5.5S2：H1=4.3H2=1.
4、2+16+1.2+4.3=22.7S3：H1=4.3H2=1.2+16=17.2S1、S2、S3：90ohm S1、S2、S3：100ohm 同理计算，概不赘述。（关于射频线阻抗计算隔层参考，共面阻抗计算参考）阻抗说明：叠层厚度通常由单板实际情况决定，如果叠层确定，线宽变小，阻抗变大，差分阻抗线之间的间距变大，阻抗变大，差分 100ohm 计算时，可通过改变线宽和间距实现（注意：建议差分间距不要大于2 倍线宽如 4 的线宽 8 的间距） 。单端阻抗主要依靠改变线宽实现。层叠厚度和阻抗反比，距离主要参考层面越远阻抗越大。合理的层叠（参考） ，是计算阻抗的必要条件，有些层叠计算不出来需求阻抗。通常
5、我们提供给制板厂的层叠和线宽，生产制造时会进行微调，为区别单线和差分阻抗给 DFM 工程师调整阻抗提供便利，要求同一层面的不同阻抗线线宽不同，即单线50ohm、差分 85ohm、差分 90ohm、差分 100ohm 要求不同的线宽。阻抗存在争议：以上内层算法是 SI6000 时就存在的模型计算，SI9000 在 SI6000的基础上又推出新的模型，但是存在争议关于内层 H1 和 H2 的厚度。关于 H1 和 H2 存在争议：a一些工程师使用 SI9000 推出的新模型SI9000 推出的新模型，此模型忽略内层铜箔的厚度，仅仅是 pp 和 core 的厚度。 （个人认为不太合理，内层 1oz 的铜箔 1.2mil 的厚度加上还是有必要的） 。b.一些工程师使用 SI9000 中 SI6000 的模型，但认为 H1 是信号距离参考平面近的 pp 或 core 的厚度，H2 是距离参考平面远的厚度。c.还有一些工程师，使用 SI9000 中 SI6000 的模型，直观的根据模型图提供的信息，判断 H1 和 H2 的厚度。b、c 虽然存在部分差异，但是计算的阻抗偏差几乎可以忽略不计。本文是使用 c 方法判断 H1 和 H2 的厚度，采用原始模型。
