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1、电子线路 CAD 短学期设计报告设计共射共集组合放大器 【选题选题 】设计一共射设计一共射-共集组合放大器共集组合放大器【要求要求】1)晶体三极管选用Q2N2222，工作电源为15V，负载为4.7 K； 2)采用分压式偏置、电容耦合方式； 3)中频电压增益约为-188； 4) 当频率为10KHZ 时的输入电阻约为2.6K、输出电为35；上限频率约为3.9MHZ、下限频率约为120HZ。 【解答】一、实验电路图一、实验电路图其中 R5 为电源内阻，设为 50.电子线路 CAD 短学期设计报告设计共射共集组合放大器 R10 为负载电阻，已知为 4.7K二、参数设计：二、参数设计：通过查找元器件手册
2、可知，Q2N2222 的 值约为 178。 由于级间耦合方式是阻容耦合，电容对直流有隔离作用，所以两级的静态工作点是彼此 独立、互不影响的。 已知电源电压取 15V，负载 4.7k，频率范围约为 120HZ3.9MHZ，中频增益约为-188 1、电容取法、电容取法 单级放大器的低频响应是由 C1、C2和 C3决定的，放大器的下限频率 fL已知， 取 C1 = C3 = 10 uF，C2 = 100uF 就可满足要求。 C4为耦合电容，取值为 0.5uF。 2、共射分析、共射分析（1） 选择电源电压 EC通常稳定条件为：UB = （5 10）UBE （1）Ib1 = （5 10）IBQ （2）E
3、C 1.5（Uop-p +UCES）+ UEQ （3）UCES为晶体管的反向饱和压降，一般小于 1V，计算时取 1V，UEQ UB 。 （2） 确定直流负载 Rc（4）L omCESC cRUUER 2其中，EC = EC UEQ (3) 确定静态工作点 QICQ = IBQ （5）UCEQ EC ICQRc UB （6）UCEQ = UomUCES （7） （8）comCESC CQRUUEI)(4) 偏置电路元件计算公式（9）11 bBC bIUER（10）112 bBBbB bIU IIUR（11）CQBEBEQE eIUU IUR计算：计算：将已知数据带入上述各式，可得 R1=55K，
4、R2=17K，R3=7.8K，R4=2.7K 3、共集分析、共集分析查阅模电教材 5.7.6 节可知电子线路 CAD 短学期设计报告设计共射共集组合放大器 R6 ，R7为分压电阻，分别取为 55K，17K。 R8 ，R9 分别可取为 1K，7K。三、输出文件：三、输出文件：* 06/26/12 11:06:15 * PSpice 9.2 (Mar 2000) * ID# 1 * Profile: “SCHEMATIC1-Bias“ F:2012CADOrcadtext001-schematic1-bias.sim * CIRCUIT DESCRIPTION * * Creating circu
5、it file “001-schematic1-bias.sim.cir“ * WARNING: THIS AUTOMATICALLY GENERATED FILE MAY BE OVERWRITTEN BY SUBSEQUENT SIMULATIONS *Libraries: * Local Libraries : * From PSPICE NETLIST section of f:2012cadORCADPSpicePSpice.ini file: .lib “nom.lib“ *Analysis directives: .AC DEC 100 0.1 100meg .OP .PROBE
6、 V(*) I(*) W(*) D(*) NOISE(*) .INC “.001-SCHEMATIC“ * INCLUDING 001-SCHEMATIC * * source 001 R_R5 N02152 IN 50 R_R6 N01785 N01390 55k R_R7 0 N01785 17k R_R8 N01895 N01390 1k R_R9 0 N01924 7k Q_Q1 N01420 N01310 N01449 Q2N2222 R_R10 0 OUT 4.7k Q_Q2 N01895 N01785 N01924 Q2N2222 C_C1 0 N01449 10uf R_R1
7、N01310 N01390 55k C_C2 OUT N01924 100uf V_V1 N01390 0 15Vdc R_R2 0 N01310 17k C_C3 IN N01310 10uf V_V2 N02152 0 DC 0Vdc AC 1Vac R_R3 N01420 N01390 7.8k C_C4 N01420 N01785 0.5uf R_R4 0 N01449 2.7k * RESUMING 001-schematic1-bias.sim.cir * .END * 06/26/12 11:06:15 * PSpice 9.2 (Mar 2000) * ID# 1 *电子线路
8、CAD 短学期设计报告设计共射共集组合放大器 * Profile: “SCHEMATIC1-Bias“ F:2012CADOrcadtext001-schematic1-bias.sim * BJT MODEL PARAMETERS *Q2N2222 NPN IS 14.340000E-15 BF 255.9 NF 1 VAF 74.03 IKF .2847 ISE 14.340000E-15 NE 1.307 BR 6.092 NR 1 RB 10 RC 1 CJE 22.010000E-12 MJE .377 CJC 7.306000E-12 MJC .3416 TF 411.100000
9、E-12 XTF 3 VTF 1.7 ITF .6 TR 46.910000E-09 XTB 1.5 CN 2.42 D .87 * 06/26/12 11:06:15 * PSpice 9.2 (Mar 2000) * ID# 1 * Profile: “SCHEMATIC1-Bias“ F:2012CADOrcadtext001-schematic1-bias.sim * SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C *NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE ( I
10、N) 0.0000 ( OUT) 0.0000 (N01310) 3.4548 (N01390) 15.0000 (N01420) 6.9367 (N01449) 2.8092 (N01785) 3.5068 (N01895) 14.5900 (N01924) 2.8876 (N02152) 0.0000 VOLTAGE SOURCE CURRENTSNAME CURRENTV_V1 -1.862E-03V_V2 0.000E+00TOTAL POWER DISSIPATION 2.79E-02 WATTS * 06/26/12 11:06:15 * PSpice 9.2 (Mar 2000)
11、 * ID# 1 * Profile: “SCHEMATIC1-Bias“ F:2012CADOrcadtext001-schematic1-bias.sim 电子线路 CAD 短学期设计报告设计共射共集组合放大器 * OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C * * BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS NAME Q_Q1 Q_Q2 MODEL Q2N2222 Q2N2222 IB 6.69E-06 2.68E-06 IC 1.03E-03 4.10E-04 VBE 6.46E-01 6.19E-01 VBC -3.48E+00 -1.11E+01 VCE 4.13E+00 1.17E+01 BETADC 1.55E+02 1.53E+02 GM 3.98E-02 1.58E-02 RPI 4.29E+03 1.09E+04 RX 1.00E+01 1.00E+01 RO 7.50E+04 2.08E+05 CBE 5.27E-11 4.21E-11 CBC
