《教你如何分辨内存重要参数》由会员分享，可在线阅读，更多相关《教你如何分辨内存重要参数（5页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、教你如何分辨内存重要参数教你如何分辨内存重要参数PC 主机上的各种配件都有着相当多的技术参数指标，整套系统中包含了数万个专业名词和数据，这些过于庞大负责的数据，对于刚入门的新丁来说，无异于天书。而在实际的购买过程中，JS 往往满口数据对用户进行忽悠，一知半解的用户往往被这些听上去有点美的产品迷惑，屡屡中招。今天，我们将去粗存精的给大家讲解一些在购买中最常遇到的 PC 配件重要参数，只要掌握好这些简单的数据，走遍卖场，JS 的花言巧语也对您束手无策。内存重要参数详解时序内存的时序参数一般简写为 2/2/2/6-11/1T 的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD 的值。 2/2
2、/2/6-11/1T 中最后两个时序参数，也就是 tRAS 和 CMD(Command 缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。CMD RateCommand Rate 译为“首命令延迟” ，这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理 Bank 的选择(通过 DIMM 上 CS 片选信号进行)。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理 Bank。用更通俗的说法，CMD Rate 是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚
3、拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其 CMD 延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。Intel 对 CMD 这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个 Bank。这样就可以比较放心地把 CMD Rate 限定在 1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。宣扬 CMD Rate 可以设为 1T 实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲(unbuffered)内存都应具有 1T 的 CMD Rate，最多支持四个 Bank 每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。tRAStRAS 在内存规范的解释是 Active to Pr
4、echarge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化 RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS 命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。接下来几个内存时序参数分别为 CAS 延迟，tRCD，以及 tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？CASCAS 意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者 Column Address Select)，CAS 控制着从收到命令到执行命令的
5、间隔时间，通常为 2，2.5，3 这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS 按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触 发的是 tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦 tRAS 被激活后，RAS 才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD 初始化，最后才通过 CAS 找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从 CAS 开始到CAS 结束就是现在讲解的 CAS 延迟了。因为 CAS 是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它
6、是最重要的。tRCD根据标准 tRCD 是指 RAS to CAS Delay(RAS 至 CAS 延迟)，对应于 CAS，RAS 是指 Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS 和RAS 共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和 CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。tRPtRP 指 RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。
7、简单而言，在依次经历过 tRAS， 然后 RAS， tRCD， 和 CAS 之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从 tRAS 开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP 的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。颗粒封装技术1、SIMM(Single Inline Memory Module，单内联内存模块) 内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM 和 ED
8、D DRAM，最初一次只能传输 8bif 数据，后来逐渐发展出16bit、32bit 的 SIMM 模组，其中 8bit 和 16bitSIMM 使用 30pin 接口，32bit 的则使用 72pin 接口。在内存发展进入 SDRAM 时代后，SIMM 逐渐被 DIMM 技术取代。 2、DIMM DIMM 与 SIMM 相当类似，不同的只是 DIMM 的金手指两端不像SIMM 那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用 DIMM，SDRAM 的接口与 DDR 内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM 为 168Pin DIMM 结构，金手指每面为84P
9、in，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM 则采用 184Pin DIMM 结构，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM 为 240pin DIMM 结构，金手指每面有 120Pin，与DDR DIMM 一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与 DDR DIMM 稍微有一些不同，因此 DDR 内存是插不进 DDR2 DIMM 的，同理DDR2 内存也是插不进 DDR DIMM 的，因此在一些同时具有 DDR DIMM和 DDR2 DIMM 的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。 3、RIMM RIMM 是 Rambus 公司生产的 RDRAM 内存所采用的接口类型，RIMM 内存与 DIMM 的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM 有也 184 Pin 的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM 非 ECC 版有 16 位数据宽度，ECC 版则都是 18 位宽。由于 RDRAM 内存较高的价格，此类内存在 DIY 市场很少见到，RIMM 接口也就难得一见了。其他配件看相应板块
