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1、晶硅生产废水处理站晶硅生产废水处理站 2160421604本文由我为兽来贡献doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。单晶硅生产废水处理站的建立 (2008/02/27 11:37)目录： 电镀废水浏览字体：大 中 小 点图进入相册点图进入相册简介： 本文介绍了某单晶硅生产过程中各工序产生废水的水量, 水质及性质情况,并原废水处理站存在的问题进行分析.在原废水处理站的基础上,对改扩建 后的废水进行处理.采用生铁屑和焦炭组成微电解氧化还原塔,作为单晶硅生产废水处理的预 处理,取得较好的效果. 关键字：单晶硅 废水 治理 微电解氧化还原塔 1 概述
2、 某单晶硅厂由于引进 6 英寸单晶硅抛光生产线,该生产线投产后,废水排放量将大大的增 加.现有的废水处理站的处理能力已不能满中要求.加之原处理站的处理较果不稳定.因此必 须进行治理.因此在原有设施的基础上对废水处理站进行改造. 2 执行标准 执行标准 GB8978-1996一级.即 PH=6-9 .COD100mg/ 70mg/l 3 现废水处理站的现状 3.1 现废水处理站接纳废水的水质及水量 现废水处理站接纳三个部位的废水,经均化调节后进行处理.废水的来源水质.水量见表 废水来源及水质水量 废水来源 水量(m3/d) 水 质 PH COD(mg/l) SS(mg/l) 多晶硅 600 2
3、300 100-150 切.磨.抛 600-800 6 100-150 200 有机硅 200 3 200-300 100-150 混合后 1400-1600 3 200-250 150-200 3,1.1 废水的特点 废水产生的部门不同,其特点各异 SS1.多晶硅废水:是三氯硅烷还原生成多晶硅过程中产生的尾气经水淋洗产生的.主要反应 为: SiHCl3+H2Si+HCl (产品反应) SiHCl3+H2OSiO2+HCl (尾气淋洗) 废水中主要物质为:SiO2.HCl 硅醇及脱水成聚硅氧烷和硅酸,偏硅酸等.废呈强酸性, SiO2 的粒径极小,大部分聚成团漂浮的水面. 2. 切.磨.抛废水来
4、自三个工序:(1)切片工序主要为:粘石腊,冷却水等, 废水中主要物质为: 石腊,硅粉.(2)磨片工序的磨液成分为:洗液和肥皂制成浮液. 废水中主要物质为:表面活性剂. 硅粉.(3)抛光工序的抛光液的成分:环烷烃, 废水中主要物质为:硅粉和烃类有机物.三种废水 混合中灰色有乳状体. 3. 有机硅废水是:由氯丙烷在铂酸作催化剂的条件下,与三氯硅烷加成反应生成氯丙基 三氯硅烷然后经粗精馏后产生的残液和氯丙烯瓶中的残液,用水冲洗产生的, 废水中主要物 质为: 三氯硅烷, 氯丙烷和 HCl.氯丙烷和 HCl 的来源是氯丙烯水解产生的,故废水呈酸性,反应式为: CH2=CH-CH-CH2Cl+H2OCH2
5、=CH-CH2-OH=H2O 三部分废水混合后,废水呈酸性,灰的色乳状有降低(强酸有一定的破乳性),但有胶体存在, 主要是硅酸,偏硅酸和硅醇分子间脱水聚缩而成聚硅氧烷引起的. 3.2 处理工艺流程及出水水质 3,2.1 处理工艺流程3.2.2,出水水质 废水经过上述工艺流程处理的出水水质为: PH=6-9 COD=100160mg/l SS=4060mg/lBOD 值在 5-10 mg/l 之间,有时为零, COD 时常超标. 3.3 存在问题及分析 3.3.1 根据现废水处理站运行情况,存在问题 1:石灰乳配制及投加不定,混合池混合不充分, 混合效果差.2:药剂投加设施定量尾差,药剂消耗量大
6、. 3:COD 出水超标,污泥量大. 4:处理成本高,处理吨水仅药剂费用平均 1 元. 3.3.2: COD 超标分析 根据出水水质分析, COD 超标.而 BOD 值很低说明该废水的可生化性差,造成出水 COD 超标的原因是废水中存在多价态的无机物处在低价态和少量有机物所致,分析化验 COD 时 加入氧化剂氧化有机物同时也氧化低态的无机物,故引起起废水中 COD 超标. 4:改扩建后废水方案 4.1:改扩建后废水水质,水量及处理规模 4.1.1 新增废水的水量,水质 新 增 废 水 来 源 为 切 . 磨 . 抛 , 清 洗 工 序 , 其 废 水 水 量 为 1000 m3/d, 水 质
7、为 : PH=6 . COD=100-150mg/l SS=200mg/l 4.1.2: 改扩建后废水水质,水量 废水总水量为:20002600 m3/d, 水质为: PH4 . COD=200-250mg/l SS=200mg/l 4.1.3 处理规模 设计处理能力:=150 m3/h. 4.2 废水处理方案设计 4.2.1 废水处理方案设计的原则 1 先进行综合利用,减少排污量. 2 工艺先进合理,保证达标排放. 3 充分利用原有处理构筑物及设备,减少投资. 4 运行费用低,管理方便.4.2.2 综合利用方案 1 白炭黒(SiO2)回收 多晶硅废水是三氯硅烷还原生成多晶硅过程中产生的尾气经
8、水淋洗产生的,废水中漂浮 大量的白沫子,而白沫子就是白炭黒(SiO2).它的粒径很小属纳米级.它的产生过程基本上和气 相法物产白炭黒相同.用水刚淋洗下来时漂浮水面,时间一长,周边湿润增加就会沉降或悬浮 在水中. SiO2 是常用的化工原料.回收的工艺为:按 80%的回收率.每天可以减少 SS 排放量 48-72kg/d, 白炭黒(SiO2)每公斤约有 610 元. 2 对有机硅产生的残液,可以综合利用, 残液,中的氯丙烯是生产环氧丙烷和合成甘油的 主要原料.三氯硅烷可以与其他原辅材料生产有机硅涂料. 4.2.3 废水处理工艺的选择 根据废水呈酸性,并存在有多价态的无机物,用生铁屑和焦炭组成微电
9、解工艺作为混凝沉 淀处理的预处理, 微电解是由原电池反应原理,电极反应为氧化还原反应.能将废水中有机物 分解和能使多价态的无机物氧化成高价稳定态.同时产生Fe2+,经石灰乳中和反应后生成 Fe(OH)2 沉淀. ,不仅能降低废水的酸度,而且能破坏废水中的胶体.并且有较强的吸附凝聚能 力,还节省其他药剂量.确保废水达标排放或回用. 4.2.4 废水处理工艺流程4.2.5 工艺说明 本工艺与原工艺不同之处,是将中和塔改为微电解氧化还原塔,将污泥干化池改为污泥浓 缩池并机械脱水. 1 微电解氧化还原塔:是在酸性条件下,铁屑与炭之间形成无数个原电池.在电极间发生电 极反应. 即微电解.不仅能降低废水的
10、 PH 值,氧化分解有机物,使无机物氧化成高价态.而且生 成的Fe2+经石灰乳调节 PH 值生成 Fe(OH)2 沉淀.,不需另加药剂,不用电. 2 污泥浓缩池并机械脱水:由于污泥量大,采用污泥浓缩后机械脱水可以增加效率,减少天 气等因素的影响,而且占地少. 4.2.6 主要构筑物及设备技术参数 1 调节池:利用原有的均化调节池,通压缩空气搅拌混合.有效体积 w=260m3 2 微电解氧化还原塔 塔内孔隙率为 60%,塔内有效容积 w=92m3,停留时间 T=30 分钟 外型尺寸:H=3 m4.5m (4 个)3 混合池(加药装置):对原有混合池和石灰乳投加设备进行改造. 混合有效容积 w=1
11、8m3 4 反应池;采用空室旋流反应池. 水力停留时间 T=30 分钟, 有效容积 w=38m3 采取 6 室,每室.6.2 m3 (外型尺寸:1.5 m1.5 m3 m)5 沉淀池: 沉淀池分为二部分,一部分在原有的加速澄清池中沉淀,另一部分在新增的斜 管沉斜管淀池中沉淀. 斜管沉淀池的表面负荷为 q=2m2/m3.h. 斜管沉淀池的表面为 A=40m2 斜管采用蜂窝状填料,倾角 =60o 内切园 =50cm 6 污泥浓缩池:有效容积 w=40m3 高 H=1 m外型尺寸:3 m m63 m (2 个)7 污泥脱水机:采用 LW350 型卧式螺旋离心脱水机 2 台,处理能力:5T/h.功率(
12、含水率为 75%)W=18.5kw 4.2.7 运行效果 主要处理单元及总排口处理效果 序号 处理单元 进 水 出 水 去除率% 1 微电解氧化还原塔 PH4 . COD=200-250mg/l SS=200mg/l PH=5-6 . COD=250-350mg/l SS=80mg/l 60 2 沉淀池: PH=5-6 . COD=250-350mg/l SS=80mg/l PH=6-9 . COD=69-90mg/l SS=50mg/l 727437 3 清水池(总排口) PH=6-9 . COD=69-90mg/l SS=50mg/l PH=6-9 . COD=69-85mg/l SS=45mg/l 510 COD 总去除率为:66% , SS 总去除率为:78% 5 结论1: 用生铁屑和焦炭组成微电解氧化还原塔,作为单晶硅生产废水处理的预处理, 不仅能 降低废水的 PH 值,氧化分解有机物,使无机物氧化成高价态.而且生成的Fe2+经石灰乳调节 PH 值生成 Fe(OH)2 沉淀.,不需另加药剂,不用电.处理效果显著. 2:在运行时应注意废水的 PH 值和在微电解氧化还原塔内的停留时间. PH 值低停留时间 短, . PH 值高停留时间长,出水的控制 PH 值在小于 5,并用少量的氢气放出. 3 微电解氧化还原塔对于弱酸性染料废水的预处理,均有明显的效果.1
