SRAM 领先供应商整理

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1、SRAM 领先供应商整理领先供应商整理通信应用对 SRAM 的强劲需求以及向高利润产品的转移推动着 SRAM 价格上扬价格可能是今天 SRAM 市场的最大问题。通信应用对 SRAM 的需要越来越大,加上半导体供应商正将其产品系列转向更有利可图的存储器产品,使得价格不断上升,并延长了交货时间。“1999 年第四季度,SRAM 制造商将其价格平均提高了 10%,至少在 2000 年的整个上半年仍将保持这一高价格,” Semico 调研公司分析家 Sherry Garber 说。SRAM 的平均销售价格(ASP)从去年第一季度的 3.54 美元上升到第四季度的 4.45 美元。Semico 预计 A

2、SP 在 2000 年将达到 5.64 美元。根据制造商的说法,交货周期平均为 14 至 16 个星期。Integrated Device Technology 公司市场副总裁 Dave Cote 说:“对高性能标准及通信存储器的需求早已超过人们对这一市场回弹速度的关心。”不断提升的价格将带来极大的收益及强劲的增长。1999 年,世界范围的 SRAM 市场为 47 亿美元及 11.9 亿个 SRAM。尽管2000 年的销售量将下降 5.9%,约为 112 万个,其收入仍将上升 39.4%,达到 63 亿美元。通信市场希望其增长速度更快,达到 SRAM 销售的 59.1%。SRAM全球销售额全球

3、销售额( (百万美元百万美元)1999 排名排名199819991.Samsung7509662.IBM3804203.Hitachi3953804.NEC3133745.Motorola2673296.Toshiba4472877.Cypress2032698.Winbond1052479.Mitsubishi27524010. IDT115151来源: SemicoSemico ResearchResearch Corp.Corp.领先的领先的 SRAM 供应商目录供应商目录发展Cypress 用了去年整整一年的时间以 SRAM 供应商的身份在蜂窝电话市场占据一席之地。“1998 年 Cy

4、press 还未进入蜂窝电话市场,1999 年我们就销售了大约 300 万部电话,”营销部副总裁 Dan McCranie 说,“2000 年,我们最少将卖出 1 千万部电话。我们在开发中结合了蜂窝设计及芯片结构,为蜂窝电话构建高速、低功率的 SRAM。”该公司现已提供其MoBL 系列的 1-、2-,和 4MSRAM 产品。在 1999 年下半年,该公司开始在其位于 Bloomington 的晶圆厂生产 8 英寸、0.5m 产品,该工厂将于今年第三季度投入生产。Cypress 在菲律宾新建了一条测试及组装生产线,每季度可加工 450 万个 FBGA 封装器件。计划今年下半年,Cypress 将

5、推出其 MoBL 系列的 8Mb 和 16Mb 微功率 SRAM。该公司还将进入双数据速率(DDR)SRAM 领域。McCranie 说“我们正在制订 32Mb 部件的计划,当我们达到 0.12m 的工艺技术后,还将制造 64Mb 部件。”发展虽然 Hitachi 继续支持慢速 SRAM 市场,但其产品大多是高速 SRAM。去年,该公司声称推出了一种能够在 500MHz 速率下工作的 SRAM,其抵抗宇宙射线诱导软错误的能力提高了 100 倍,这种错误是移动电脑用户乘坐飞机时碰到的最头痛的问题。这种新技术还采用了 shallow triple-well 结构和一种堆栈存储器单元机构。该公司还开

6、始建造一个 12 英寸、0.13m 晶圆加工厂。新工厂是台湾 UMC 与 Hitachi 的合资企业,将于 2001 年下半年投入生产。计划今年年底,Hitachi 将为低功率及低电压应用提供 8Mb SRAM,还将提供 8Mb 和 18Mb 同步 SRAM。最后,该公司还将推出具有 333 和 500MHz 工作周期的 1Mb 至 9Mb SRAM,以支持较大的 Level 2 和 Level 3 cache 应用。发展IBM 在 1999 年继续推动着性能的提高。IBM 提供具有双倍和单数据性能的 1-、4-和 8Mb高速 SRAM。“我们不断推动性能的提高,但我们的用户要求更多,” SR

7、AM 应用及市场经理 Roger Verhelst 说,“过去一年来,向 DDR 功能的转移过程虽然缓慢,但很稳定。”1999 年 2 月,IBM 推出了带 DDR 功能的 8Mb SRAM。这些器件速度可达 600MHz。IBM 的高端策略带来了收益。“对我们的客户来说,1999 年是令人兴奋的,这在很大程度上要归因于 Internet 基础设施的销售,”Verhelst 说,“今年到现在为止,这一发展趋势仍在继续,所以我们估计 2000 年仍将有很好的销售成绩。”计划未来一年将继续发展 IBM 的产品系列。“我们希望继续活动于 SRAM 舞台,向用户提供更高的密度和更高的性能,以满足用户需

8、求,” Verhelst 说,“我们将在三到五年内向不同的高速缓存功能转移,它不是基于 SRAM。”发展过去一年来,IDT 将重点放在通信市场。市场副总裁 Dave Cote 说:“我们确实将重点放在通信市场,并且努力制造更多通信专用产品。”今年 8 月,IDT 推出了与 Micron Technology 合作开发的 Zero Bus Turnaround 结构,适于路由器及交换机应用。目前,该公司提供 4Mb 至 9Mb 的产品。该公司还与 Cypress 和 Micron 合作制订了四倍数据速率 SRAM 规范。现已提供样品。计划IDT 将努力提高其首个四倍数据速率 SRAM?512-K

9、 ?18 器件的产量。该公司称,这些产品可实现 333-MHz 的性能。该器件最终将用于下一代交换机和路由器,它们在数据速率高于 200 MHz 的条件下工作。发展今年,Mitsubishi 的电子器件部推出了两种产品,它们在可进行表面贴装的堆栈式芯片级封装中结合了该公司的 BGO DINOR 闪速存储器和低功率 SRAM (LPSRAM)。该公司称,这种产品将 16Mb 闪速存储器与 4 或 2Mb LPSRAM 结合起来,以满足手机及 GPS 市场的需求。Mitsubishi 可批量提供 16 和 32Mb SRAM。另外,该公司也为蜂窝电话生产 2、4 和 8Mb低功率 SRAM。计划在

10、未来一年中,Mitsubishi 的电子器件部将增加其 16Mb SRAM 的生产,预计月产量将达1,000 万件。该公司还将提供多种选择以满足容量需求。“我们面临的最大挑战是提高容量以满足市场期望,”存储部门的助理副总裁 Narayan Purohit 说,“由于容量问题变得越来越重要,我们必须考虑能够得到的各种选择方案。”Motorola Inc.发展1999 年 3 月,Motorola 宣布推出超快 SRAM,它采用铜互连技术来获得超低功耗。这种超快 8Mb Late Write SRAM 将铜互连技术与 0.15m CMOS 技术相结合起来,提供优于333MHz 的性能。Motoro

11、la FSRAM 零件编号为 MCM63R836FC,可提供 Level 2 cache性能,功耗却比以前的 BiCMOS FSRAM 低 50%至 75%。1999 年第二季度,该公司还推出了两种 HiPerMOS 产品?4Mb Late Write SRAM 和 8Mb 双倍数据速率元件。Motorola 还提供同步 SRAM(包括集成 cache)和异步 SRAM(如 BurstRAM)、根据内容寻址(content-addressable)的存储器、双端口存储器、FSRAM 和 Tag RAM。计划:无计划NEC 声称可提供各种管道和 burst SRAM,能够满足多种价格及性能的应用

12、。今年,该公司与业界其它几个主要的制造商合作开发出了用于 SRAM 和 NOR 闪速存储器产品的标准堆栈多芯片封装(MCP)。MCP 支持从 4 至 128Mb 的 NOR 闪速存储器和从 1 至 128Mb的 SRAM。计划NEC Electronics 将继续集中于针对 PC-cache 应用的 SRAM,同时计划扩展到其它市场领域。它将推出用于网络互连的电信 4Mb 和 8Mb 标准同步 SRAM。NEC 还计划推出适于移动市场的 4Mb 低功率 SRAM。发展Samsung 称,在过去几个月里,它已开始减少在 PC-cache 市场的投入,而转向电信及网络市场。该公司推出了用于移动市场

13、、工作于 1.8V 电压的 4Mb 和 8Mb SRAM。Samsung 宣布还将为网络应用推出一系列频率为 600MHz 的新型高速 DDR 同步SRAM。该公司说,它们已从旧的 DRAM 加工厂转移,提高了 SRAM 加工厂的生产能力。计划Samsung 称将继续推出用于工作站及服务器的 Level 3 SRAM。发展2000 年 3 月,Toshiba 宣布推出低功率 8Mb SRAM 及采用堆栈多芯片封装的 8/64Mb NOR 闪速存储器件。高速 SRAM 产品部业务拓展经理 Paul Liu 说:“随着性能的提高,密度肯定会越来越高。”“这一市场过去一直面向 cache 应用,但今

14、天却将其 50%放在网络应用,因为网络应用潜力无限。”去年夏天,该公司称可提供 16Mb 异步高速 SRAM 的样品,它有三种速度和 4种配置的版本。Toshiba 已开始提供用于高速网络领域的 9Mb 同步 SRAM?NtRAM 的样口。计划该公司称,在未来的几个月里,其目标是为网络及高速 cache 应用开发新产品。发展Winbond 可为 PC、磁盘驱动器、调制解调器、游戏、数据银行和扫描仪、以及传真机/打印机应用提供高速、低功率 SRAM。计划为了满足用户的应用需求,该公司将提供密度更高、工作电压更低并具有超低功耗的SRAM,以延长电池寿命。新的 SRAM 还要满足通信市场的要求,即具有更高的容量和更高的速度,该产品包括速度为 133MHz 和 200MHz 的MHz、8MHz 和 16MHz SRAM。本公司产品可以完全兼容 -( (本文由深圳市英尚微电子有限公司整理本文由深圳市英尚微电子有限公司整理 http:/ ) )

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