电离辐射对细胞端粒酶活性影响的研究进展与展望

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1、 综述 电离辐射对细胞端粒酶活性影响的研究进展与展望邹跃陈国昌周湘艳作者单位:! “ “ “ # #北京, 中国人民解放军第二炮兵总医院 (邹 跃、 陈国昌) ; 卫生部工业卫生实验所 (周湘艳)染色体是细胞遗传信息的中心, 也是放射损伤的主要靶点。端粒是染色体的重要结构, 端粒酶是合成端粒所必需的酶, 鉴于端粒酶对射线的敏感性成为目前放射损伤研究领域中一个新的研究热点, 相关的文献报道已达数百篇, 笔者就近年来国内外有关实验研究的进展综述如下。一、 端粒及端粒酶端粒是位于染色体末端的一小段富含$的 (% % *。!射线诱导端粒酶活性增高并非是照射后细胞周期停止的结果,因为端粒酶活性在整个细胞

2、周期中是稳定的, 细胞同步化不能改变酶的活性#,! “。不同细胞照射后端粒酶活性开始升高的时间不一, 可早于照射后:射线照射后端粒酶活性升高与剂量有关, 在“ “ .$ 7的照射剂量范围内, 随着剂量增高,酶活性可较照射前提高. “ =倍。电离辐射诱导端粒酶活性增高有两种可能的机理:#电离辐射导致端粒酶成分的转录和 或合成的增加, 进而酶活性增高;$电离辐射诱导端粒酶活性上调因子的转录。最近的文献报道=:射线照射后, 细胞内端粒酶活性上调的同时却未见催化活性亚单位? ,8 S , , ) (8 8,N /J / A S / =! T,/ W XY,“ ? ? C,“ “:“ ? C “ -“

3、? C ? QM $ = , / +! W Q U / , ) * / = / 9$ ( 1$ 4 ( 4 Q K (:U / , ) * / = / 9 Q T 1 / + / 9 ) (I L,! ) A ( ,T $ + % I,W $ , $ _ / /8 L,7 $ / 1I = ) ? 9 5 .5 A 9 0 B 5 C 0 6 - 4 0- ? 9 D 9 EF E! “# ! # $G % 6 6 - / - 9 5 . 5 AC 5 4 0 4 7 B 0 . 5 ? E 9 0 4 - . / 9 4 7 5 4 4 %F B 0 6 5 B 0 .? H 6 5 C 5

4、 4 5 C 0H 0 - B . I 1 9 - 9J 0 4,! ) ) *,$ ( $: S,M B B - . 02 S,= 6 4 HS,0 9 - B 7 6 0 I %B - 9 0 / . B - 6 E . I 0 - B 4 U - C 5 4 ? 0 B B ? - 6 ? . 5 C - 3 - 6 E . 4 ? 5 7 0, S,Y - . I C - . - 4 5 7 H - 6 E . I 0 - B ? 0 B B 4 .? B 9 6 0 Q 5 ? H 0 CQ 5 7 H E 4J 0 4T 5 C C .,! ) ) #, B - 6C 0 ? H

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6、C1 5 BM 0 . 0,! ) ) V,“:! ! V + % ! ! V ) (收稿日期:& ( ( ( % ( # % ! *)鼻咽癌放疗后放射性脑损伤研究进展刘雅洁蔡伟明作者单位:! ( ( ( & !北京, 中国医学科学院中国协和医科大学 肿瘤医院放疗科放射性脑损伤是鼻咽癌放射治疗后长期生存者最为严重的并发症之一, 这种损伤往往是不可逆转的, 病情严重者极大地影响病人的生存质量和生存期。放射性脑损伤根据症状出现的时间可分为!:“急性脑损伤;#早期延迟性脑损伤;$晚期脑损伤。急性脑损伤是罕见的, 早期延迟性脑损伤亦较少见且大多症状较轻, 可自行缓解, 临床上所观察到的多为晚期脑损伤,

7、 现就其研究进展综述如下。一、 发病机理的研究目前对放射性脑损伤的发病机理尚缺乏系统研究。一般认为其发生机理有以下+个方面&:“神经元和神经胶质细胞的直接损害;#血管损伤;$自身免疫反应。由于其结论多来自病理组织学观察结果, 目前尚缺乏有力证据的支持。二、 影响因素! 脑的放射耐受量:! ) # #年J 5 9 9 0 . F 0 6 I+用名义标准剂量 (8 K O) 来计算脑的耐受量, 其阈值为!# ( ( 6 0 9(拉德治疗当量) 。! ) * !年2 0 . 0 6$提出使用脑耐受单位 (Q 。! ) * )年P 5 L B 0 6“提出用3 % 模型来计算晚反应组织生物效应剂量 (Q R O) 较8 K O合理。3 0 0V分别用8 K O、Q - 6 E& ( ( !,N 5 B & !,8 5 !

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