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1、1.什么是半征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特征？ 2.N 型半导体是在本征半导体中掺入_价元素，其多数载流子是_，少数 载流子是_。 3.P 型半导体是在本征半导体中掺入_价元素，其多数载流子是_，少数 载流子是_。 4.在室温附近，温度升高，杂质半导体中_的浓度将明显增加。 5.什么叫载流子的扩散运动，漂移运动？它们的大小主要与什么有关？ 6.在室温下，对于掺入相同数量杂质的 P 型半导体和 N 型半导体，其导电能力 _ a. 两者相同； b. N 型导电能力强； c. P 型导电能力强 7.PN 结是如何形成的？在热平衡下，PN 结中有无净电流通过？ 8.PN 结中扩散电流的方向是_
2、,漂移电流的方向是_。 9.PN 结未加外部电压时，扩散电流_漂移电流；加正向电压时，扩散电流 _漂移电流，其耗尽层_；加反向电压时，扩散电流_漂移电流， 其耗尽层是_。 10.什么是 PN 结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味 PN 结坏了？为什 么？ 11.什么是 PN 结的电容效应？何谓势磊电容、扩散电容？PN 结正向作用时，主 要考虑什么电容？反向运动时，主要考虑何种电容？ 12.二极管的直流电阻和交流电阻有何不同？如何在伏安特性上表示？DRdr13.二极管的伏安特性方程为= (1)DISITU Ue试推导二极管正向导通时的交流电阻drdU dITU I 室温下 =26mA，当正向
3、电流为 1mA、2mA 时估算其电阻 r 的值TU14.稳压二极管是利用二极管的_特性进行稳压的。 a. 正向导通 b. 反向截止 c. 反向击穿 15.二极管电路如图 139 所示，已知输入电压30（V），二极管的iusinwt正向压降和反向电流均可忽略。试画出输出电压的波形。0u16.电路如图 140 所示，5（V），试画出输出电压的波形iusinwt0u17.由理想二极管组成电路如图 141 所示，试确定各电路的输出电压。0u18.为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂容度_； 基区宽度_；集电极结面积比发射结结面积_，其理由是什么？如果 将三极管的集电极和发射极对调使用
4、（即三极管反接），能否起放大作用？ 19.三极管工作在放大区时，发射结为_，集电极为_；工作在饱和区 时，发射结为_，集电极为_；工作在截止区时，发射结为_， 集电极为_。 a. 正向偏置 b. 反向偏置 c. 零偏置 20.工作在放大区的某三极管，当从 20uA 增大到 40uA 时，从 1mA 变成BICI2mA，它的约为_。（50、100、200） 21.工作在放大状态的三极管，通过发射结的电流主要是_，通过集电极的 电流主要是_。 a. 扩散电流 b. 漂移电流 22. 当温度升高时，三极管的_，反向饱和电流_， CBOIBEU_。 23.某三极管，其0.98，当发射极电流为 2mA
5、时，基极电流是多少？该管的 为多大？另一只三极管，其100，当发射极电流为 5mA 时，基极电流是多少？该管 的多大？ 24.三极管的安全工作区受哪些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参 数，试分别说明将会产生什么结果。 25.放大电路中两个三极管的两个电极电流如图 142 所示。 （1）求另一个电极电流，并在图上标出实际方向。（2）判断它们是 NPN 还是 PNP 型管，标出 e、b、c 极。 （3）估算它们的和值。26.放大电路中，测得几个三极管三个电极电压、分别为下列各组数1U2U3U值，判断它们是 NPN 型还是 PNP 型，是硅管还是锗管,并确定 e、b、c。 (1) =3.3
6、V, =2.6V, =15V1U2U3U (2) =3.2V, =2.6V, =15V1U2U3U (3) =6.5V, =14.3V, =15V1U2U3U (4) =8V, =14.8V, =15V1U2U3U27.用万用表测量某些三极管的管压降得下列几组值，说明每个管子是 NPN 型 还是 PNP 型，是硅管还是锗管，并说明它们工作在什么区域。 (1) =0.7V, =0.3VBEUCEU (2) =0.7V, =4VBEUCEU (3) =0V, =4VBEUCEU (4) =-0.2V, =-0.3VBEUCEU (5) =-0.2V, =-4VBEUCEU (6) =0V, =-4VBEUCEU28.电路如图 143 所示，已知三极管为硅管，0.7V，50，可不BEUCBOI计，若希望2mA，试求（a）图得值和（b）图得值，并将两者进行比CIeRbR较。
