离子注入工艺及设备研究毕业论文

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1、1毕业设计论文离子注入工艺及设备研究 系 电子信息工程系 专业 微电子技术 姓名 班级 微电 103 学号 1001113110指导教师 职称 讲师 指导教师 职称 设计时间 2012.9.192013.1.4 2摘要：摘要：在电子工业中，离子注入现在已经成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，也是控制 MOSFET 阈值电压的一个重要手段。因此在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速（对 Si，电压105 V），获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或

2、激光退火来消除这些缺陷。离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处。离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可实现自对准技术（以减小电容效应）。关键词：关键词：离子注入工艺；半导体；掺杂离子注入工艺及设备研究3目录目录第一章 引言.4 第二章 离子注入工艺.5 2.1 离子注入的原理.5 2.2 离子注入的分类.6 2.3 离子射程.6 2.4 离子注入剂量.7 2.5 离子注入的要求.7 第三章 离子注入的特点.9 3.1 离子注入的特点.9 3.2 离子注入与扩散工艺的比

3、较.9 第四章 离子注入设备.11 4.1 离子源.11 4.1.1 离子源.11 4.2.2 离子束吸取电极.11 4.2 质量磁分析器.12 4.2.1 EB 质量分析器.12 4.2.2 磁质量分析器.14 4.3 加速聚焦器.15 4.4 扫描系统.15 4.5 终端系统.16 第五章 离子注入工艺中存在的问题.17 5.1 沟道效应.17 5.2 损伤.17 5.2.1 注入损伤.17 5.2.2 离子注入层的电特性.17 5.3 退火.18 5.4 颗粒污染.18 第六章 离子注入质量检测.19 6.1 颗粒污染.19 6.2 剂量控制.19 6.3 超浅结结深.19 第七章 总结.20 致谢.21 参考文献.224第一章第一章 引言引言离子注入技术是近 30 年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。现代的半导体制造工