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1、Fab厂常用术语some phrases and words in FAB cleanroom system* p% H- r+ B* Y: v9 M! V8 A.M.U 原子质量数 ADI After develop inspection显影后检视 ! n( + q8 _% g zAEI 蚀科后检查 % Y4 _+ 7 % v9 U, gAlignment 排成一直线，对平 7 B: R) M; B R# i5 d Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 ARC： anti-reflect coating 防反射层 ASHER: 一种干法刻蚀方式 ASI 光阻去除后检查 0
2、| M 6 2 - K. V( wBackside 晶片背面 F* L2 Y. ! : i2 t4 tBackside Etch 背面蚀刻 8 |! f9 Z) _4 4 I6 a. k2 J8 mBeam-Current 电子束电流 BPSG: 含有硼磷的硅玻璃 / | 0 & u% J iBreak 中断，stepper 机台内中途停止键 Cassette 装晶片的晶舟 CD：critical dimension 关键性尺寸 Chamber 反应室 7 P) : K i7 l0 C3 O5 T0 uChart 图表 Child lot 子批 Chip (die) 晶粒 CMP 化学机械研磨
3、 , U( a l% g- i0 E1 H* Coater 光阻覆盖（机台） Coating 涂布，光阻覆盖 Contact Hole 接触窗 1 r 0 b/ lControl Wafer 控片 Critical layer 重要层 CVD 化学气相淀积 # 3 U/ J M7 e) MCycle time 生产周期 4 B l9 M# * h; Z) I! GDefect 缺陷 ! e) e) j% b) L YDEP: deposit 淀积 - w) i7 q4 x; ( jDescum 预处理 % u$ j$ I6 Z* J3 g/ jDeveloper 显影液；显影（机台） B8 X
4、2 V* X. l6 H1 G% rDevelopment 显影 DG: dual gate 双门 DI water 去离子水 5 w/ j8 1 F4 R7 qDiffusion 扩散 + W cDoping 掺杂 4 j6 H f, k8 R8 oDose 剂量 Downgrade 降级 0 z2 Z* K, $ y d! aDRC: design rule check 设计规则检查 8 : W( O* n8 z/ dDry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 挡片 5 W. W k2 r. K/ r7 O3 : JE/R: etch rate 蚀刻速率 EE
5、 设备工程师 End Point 蚀刻终点 8 I2 T1 ; m/ z$ l( xESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 ( N4 r e: G$ r+ + T- * n) i7 vET: etch 蚀刻 0 c8 r! S7 R % l; |/ zExhaust 排气（将管路中的空气排除） Exposure 曝光 / n O( p7 D( S% FFAB 工厂 FIB: focused ion beam 聚焦离子束 Field Oxide 场氧化层 Flatness 平坦度 Focus 焦距 c6 x: / P v*
6、 vFoundry 代工 : K; b5 H% S; N( J3 t P* vFSG: 含有氟的硅玻璃 Furnace 炉管 3 E( ?/ b, k6 l, H$ U5 GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性 / z5 y$ x X! J- Q& + H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称 H.M.D.S HCI: hot carrier injection 热载流子注入 8 J g/ x6 q. Q4 e6 7 |. y5 wHDP：high density plasma 高密度
7、等离子体 ; |% ?# - gHigh-Voltage 高压 $ | u! c9 + e/ X- |$ H. w+ w$ jHot bake 烘烤 ! T5 t V3 d0 a5 tID 辨认，鉴定 / 8 ?/ p Z3 U; e- N- BImplant 植入 4 # n3 c- W5 X$ J0 v! VLayer 层次 LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏 Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 / r2 P5 L5 T Q0 a0 h3 d5 8 LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化 Loop 巡路
8、Lot 批 Mask (reticle) 光罩 Z( o1 o L 3 E% d( sMerge 合并 Metal Via 金属接触窗 $ B2 f3 b _6 y1 Y! W* MMFG 制造部 ) l P; P8 c% u0 H2 A% Mid-Current 中电流 5 F1 j5 k) N; 1 t Q1 L1 ?Module 部门 NIT: Si3N4 氮化硅 ) b9 + F* 6 q0 Y dNon-critical 非重要 NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂 NW: n-doped well N阱 % A1 t4 E7 M; C L; w$ g/ / J. T
9、OD: oxide definition 定义氧化层 8 ? $ X0 |4 i4 Y8 D4 tOM: optic microscope 光学显微镜 5 y5 X! W/ j oOOC 超出控制界线 ; L2 t: i6 j1 S) v. 7 OOS 超出规格界线 Over Etch 过蚀刻 * c: a. j( S8 F8 v0 k# kOver flow 溢出 Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度 OX: SiO2 二氧化硅 P.R. Photo resisit 光阻 P1: poly 多晶硅 PA; passivation 钝化层 Parent lot 母批 Particle
10、 含尘量/微尘粒子 + o F! _; P% w; 0 L0 cPE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强 PH: photo 黄光或微影 A3 Y: u) G6 H# y* I0 XPilot 实验的 Plasma 电浆 Pod 装晶舟与晶片的盒子 ) 3 l k, N) E5 j2 u3 k k8 _1 HPolymer 聚合物 6 b r6 p; X, 3 n% VPOR Process of record PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂 PR: photo resist 光阻 PVD 物理
11、气相淀积 PW: p-doped well P阱 # K8 g L/ V+ . Q; s8 tQueue time 等待时间 : I c: ; ; A4 N$ X# c* a4 w3 oR/C: runcard 运作卡 Recipe 程式 Release 放行 7 ?5 5 d) h% . o KResistance 电阻 ( 7 B! d2 q Reticle 光罩 RF 射频 : P N) u8 _6 + M9 |. RM: remove. 消除 Rotation 旋转 7 R F5 H0 K P5 D Y! ?RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火 RTP: ra
12、pid thermal process 迅速热处理 SA: salicide 硅化金属 y 2 / B C5 C cSAB: salicide block 硅化金属阻止区 $ k% S v0 K9 U9 M( SAC: sacrifice layer 牺牲层 ; a F3 n8 V f6 CScratch 刮伤 6 a# F- g; K8 e; F( YSelectivity 选择比 SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜 Slot 槽位 Source-Head 离子源 3 k% m5 % d( zSPC 制程统计管制 Spin 旋转 Spin Dr
13、y 旋干 Sputter 溅射 ) J( c* Y ? C. a2 t) C3 l) KSR Si rich oxide 富氧硅 Stocker 仓储 7 L# e) U) |; Z( EStress 内应力 % j- p4 P6 T3 6 wSTRIP: 一种湿法刻蚀方式 TEOS (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作 LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用 TEOS生长得到的 SiO2层。 + s: C) A/ _; n4 Z. o: x4 TTi 钛 TiN 氮化钛 TM: top metal 顶层金属层 ) ( i* U8 ) Y7 N$ o
14、: g2 nTOR Tool of record $ P w( _* r- c$ x3 I$ B, f JUnder Etch 蚀刻不足 C7 Y) c: l z) Z fUSG: undoped 硅玻璃 W (Tungsten) 钨 WEE 周边曝光 P9 U4 d* Z3 # rYield 良率常用位置英语标识; I0 9 V, a v7 L! Q! S1 U6 a* h( |+ O- ?( e4 f) LStorage room 储蔵室 Fire Main room 消防管道井房 Dining room 餐厅Clothes Rack 衣架间Auditorium 报告厅- I. N a m( K, oFirst Aid 急救箱Access to roof And IDF room 通向屋顶及IDF房# c/ e5 % e # z5 o( f i0 NDisabled W。C 残疾人专用厕所 , P _ F1 a7 f# c gFemale W。C
