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1、化学气相沉积法摘要：本文从化学气相沉积法的概念出发，详细阐述了利用化学气相沉积法制备石墨烯以及薄膜，并展望了未来化学气相沉积法可能的发展方向。关键词：化学气相沉积法；制备；应用一、 前言近年来，各国科学工作者对化学气相沉积进行了大量的研究，并取得一定的显著成果。例如，从气态金属卤化物（主要是氯化物）还原化合沉积制取难熔化合物粉末及各种涂层（包括碳化物、硼化物、硅化物、氮化物）的方法。其中化学沉积碳化钛技术已十分成熟。化学气相沉积还广泛应用于薄膜制备，主要为 Bchir 等使用钨的配合物 Cl4 (RCN)W(NC3H5)作为制备氮化钨或者碳氮共渗薄膜的原料CVD 前驱体；Chen 使用聚合物化
2、学气相沉积形成的涂层提供了一个有吸引力的替代目前湿法化学为主的表面改善方法。同时，采用 CVD 方法制备 CNTS 的研究也取得很大的进展和突破，以及通过各种实验研究了不同催化剂对单壁纳米碳管的产量和质量的影响，并取得了一定的成果。二、化学气相沉积法概述1、化学沉积法的概念化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称 CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积（PVD） 。化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜
3、元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。2、化学气相沉积法特点(1) 在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。 (2) 可以在常压或者真空条件下负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好(3) 采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行(4) 涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。(5) 可以控制涂层的密度和涂层纯度。(6) 绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，
4、所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。(7) 沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。(8) 可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。三、化学气相沉积法的应用现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。但是，我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广
5、泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是 III-V、II-IV、IV-VI 族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。目前，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。1、化学气相沉积法制备石墨烯化学气相沉积(CVD) 法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法，具有产物质量高、生长面积大等优点，逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成的二维蜂窝状结构,是构成其他维数碳材料的基本结构单元。化学气相沉积法制备石墨烯早在 20 世纪 70 年代就有报
6、道，当时主要采用单晶 Ni 作为基体，但所制备出的石墨烯主要采用表面科学的方法表征，其质量和连续性等都不清楚。随后，人们采用单晶等基体。在低压和超高真空中也实现了石墨烯的制备，但直到 2009 年初与韩国成均馆大学利用沉积有多晶 Ni 膜的硅片作为基体制备出大面积少层石墨烯，并将石墨烯成功地从基体上完整地转移下来，从而掀起了化学气相沉积法制备石墨烯的热潮。石墨烯的 CVD 生长主要涉及三个方面：碳源；生长基体和生长条件；气压、载气、温度等。石墨烯的 CVD 法制备最早采用多晶 Ni 膜作为生长基体, 麻省理工学院的J.Kong 研究组，通过电子束沉积的方法，在硅片表面沉积 500nm 的多晶
7、Ni 膜作为生长基体，利用 CH4 为碳源，氢气为载气。的 CVD 法生长石墨烯，生长温度为 900 益1000 益。韩国成均馆大学的 B.H.Hong 研究组，采用类似的 CVD 法生长石墨烯:生长基体为电子束沉积的 300nm 的 Ni 膜，碳源为 CH4 生长温度为1000 益，载气为氢气和氩气的混合气。采用该生长条件制备的石墨烯的形貌图。由于 Ni 生长石墨烯遵循渗碳析碳生长机制，因此所得石墨烯的层数分布很大程度上取决于降温速率。采用 Ni 膜作为基体生长石墨烯具有以下特点：石墨烯的晶粒尺寸较小层数不均一且难以控制在晶界处往往存在较厚的石墨烯，少层石墨烯呈无序堆叠。此外，由于 Ni 与
8、石墨烯的热膨胀率相差较大，因此降温造成石墨烯的表面含有大量褶皱。2、化学气相法制备薄膜化学气相沉积法是通过气相或者在基板表面上的化学反应，在基板上形成薄膜。用化学气相沉积法可以制备各种薄膜材料。选用适合的 CVD 装置，采用各种反应形式，选择适当的制备条件可以得到具有各种性质的薄膜材料。一般来说，化学气相沉积方法更适合于半导体薄膜材料的制备。用化学气相沉积方法制备薄膜材料时，为了合成出优质的薄膜材料，必须控制好反应气体组成、工作气压、基板温度、气体流量以及原料气体的纯度等。四、结语近年来，在传统化学气相沉积技术的基础上，又发展处一些新技术新方法，而且还被广泛地用于科学研究与实际生产当中。比如金
9、属有机化学气相沉积法（MO-CVD） 、等离子体化学气相沉积法（P-CVD ） 、激光化学气相沉积法（L-CVD）等。化学气相沉积（CVD）技术的开发较早，也属于经典的合成方法。对它的研究也更深入一些，由于化学气相沉积法在纳米材料以及一些半导体材料、薄膜制备、表面改性等方面的广泛应用，以及其对于设备的相对较低的要求，该方法越来越多地被利用与各种无机化合物的制备中。随着一些新技术比如等离子体化学气相沉积法（P-CVD） 、激光化学气相沉积法（L-CVD） 、金属有机化学气相沉积法（MO-CVD）的出现，它越来越广泛地被用于科学研究和实际生产。我相信，今后会有更多有关化学沉积法的报道和研究出现，这一技术的发展也会更加迅速。参考文献【1】 张艳荣. 化学气相沉积法的研究现状及应用 J . 中国科技信息,2008. 【2】 慈立杰, 魏秉庆, 梁吉等. 石墨烯的制备 J. 新型炭材料, 1998. 【3】 贾志杰, 马仁志, 梁吉. 化学气相沉积法新型材料, 1998 .【4】 安会芬, 王现荣. 薄膜制备技术进展 J . 材料导报,2005 . 【5】 方玉诚等. 冶金多孔材料新型制备与应用技术的探讨，稀有金属，2005,29 (5) : 791
