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1、 任课老师：吴海霞作业章次：第三章 完成日期：2010 年 4 月 9 日姓名： 高 磊 学号： 20070682 班级： 01530701 老师点评：6.计算硅在-78、27、300时本征半导体费米能级、假定它在禁带中线处合理吗？ 假 设 它 在 中 线 处 合 理约 为的 时 ，时 ，时 ， ， 其 中即 本 征 半 导 体 不 带 电解 ：eVESi eVEKTemmmTkENTkE hTkNheeNpngvcFvcFpn npvcvvcF pvnkETkvFFc1)(102.5736.0 )(105.71959.0,8. l432ln2 2,23*0* *0 32/0*2/3*00QQ
2、Q10.以施主杂质电离 90%作为强电离的标准，求掺砷的 n 型锗在 300K 时以杂质电离为主的饱和区掺杂的浓度范围 026.exp2105.%exp2%1014.2.0900 3113TkENDcmnDciDQ解 ： 强 电 离 时11.若锗中施主杂质电离能 =0.01eV，施主杂质浓度分别D为 = 及 。计算 1、99%电离；2、90%电D3140cm317c离；3、50%电离时温度各为多少？ ）（ ）（电 离 时 ）（ ）（电 离 时 ）（ ）（电 离 时 ）（ ）（电 离 时 ， 不 在 强 电 离 区当 ）（ ）（电 离 时 ， ）（ ）（电 离 时 ， 代 入 已 知 常 量 得
3、电 离 时 ， 处 于 强 电 离 区、解 ： 当317431743174317400000317431742/315000516%03209537%09.ln2163ln2exp2ln2exp1%5009.6ln231109002.9ln316.%9ln6,lexp2%9cmNKTcTcmNKcTmNNkETkNnkENTEcmTDcNTmTDTNkEkEDDDDDcDFccDF DFDDDDcDDQ14.计算含有施主杂质浓度 = 及受主杂质浓度 =DN315/09cmAN的硅在 300K 时的电子和空穴浓度及费米能级位置316/0.cmeVNTkEcmpnkTENDcvAvFi DcAA24.0l/13.%exp2/120352 35故 杂 质 完 全 电 离净 杂 质 浓 度 为20.制造晶体管一般在高杂质浓度的 n 型衬底上外延一层 n型外延层，再在外延层中扩散硼磷而成。设 n 型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为 0.039eV， 300K 时 位于导带底下面 0.026eV 处，计算锑的浓度和导FE带中电子浓度。 31902/10031802/1 /07.)exp()exp(/5.9 cmTkEFTkEkNcmFn FcDccDFcc 锑 的 浓 度 为导 带 中 电 子 浓 度
