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1、三极管和场效应管 练习题 2一、单选题( 每题 1 分)1. 场效应管本质上是一个（ ） 。A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的 ，则该电路中三极管的工作状态为（ 50） 。A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定3. 放大电路如图所示，已知三极管的 ，则该电路中三极管的工作状态为（ ） 。05A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定4. 某三极管的 ，则下列状态下三极管能V15,mA20,W10(BR)CEOCMCMUIP正常工作的是（ ） 。A. B. ,V3EIU40,EIC
2、. D. 206C2CC5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ） 。A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS6. （ ）情况下，可以用 H 参数小信号模型分析放大电路。A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号7. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ） 。A. B. C. D. CBEIIBICEOCBOII)1(8. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V，则此时三极管工作于（ ） 状态。A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定9. 三
3、极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定10. 下面的电路符号代表（ ）管。A. 耗尽型 PMOS B. 耗尽型 NMOS C. 增强型 PMOS D. 增强型 NMOS11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ） 。A. B. EBORCBRCEOBRUU)()()( EBORCEBRCOBRU)()()( C. D. CE CE12. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。A. NPN 管和 PNP 管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和 P 沟道场效应管 D. 三极管和二极管二、判断题( 每题 1
4、 分)1. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用 H 参数小信号模型替代。2. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。3. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。4. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的 PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。5. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。6. 三极管的 C、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的 C、E 两个电极互换使用。7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。8. IDSS
5、 表示工作于饱和区的增强型场效应管在 uGS=0 时的漏极电流。9. 双极型三极管由两个 PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。10. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。11. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。12. 三极管工作在放大区时，若 iB 为常数，则 uCE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。三、填空题( 每题 2 分)1. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从 10 微安变化到 22 微安时，集电极电流从1 毫安变为 2.1 毫安，则该三极管的 约为 ；
6、约为 。2. 当 ugs=0 时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。3. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。4. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为 U1=-9V，U 2=-6V，U 3=-6.2V，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。5. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。6. 反映 态时集电极电流与基极电流之比； 反映 态时的电流放大特性。 7. 三极管电流放大系数 反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。8. 当温度升高时，三极管的参数 会 ， 会 ，导通电压会 CBOI9. 对
7、三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。10. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管工作于 区 。11. _通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径。12. 某三极管的极限参数 、 、 。当工作电压mA20CMI W10CMPV20(BR)CEOU时，工作电流 IC 不得超过 mA；当工作电压 时， IC 不得超过_ V10CEU 1mA；当工作电流 时， UCE 不得超过 V 。213. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。14. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_和 15. 某放大电路中，三极管三个电极的电
8、流如图所示，测得 IA=2mA，I B=0.04m A，I C=2.04mA，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为 型管； 。16. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。17. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。四、计算分析题(每题 5 分)1. 场效应管电路如图所示，已知 ，场效应管的 试求该)mV(sin20itumS58.0g电路的交流输出电压 uo 的大小。2. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 UGS（off） 、I DSS；对于增强型管求出 UGS（th） 。3. 场效应管的转移特性
9、曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 UGS（off） 、I DSS；对于增强型管求出 UGS（th） 。4. 图中三极管为硅管， =100，试求电路中 IB、I C、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。5. 三极管电路如图所示，已知三极管的 ， UBE（on） =0.7V，r bb=200，输入信号80,电容 C 对交流的容抗近似为零。试：（ 1）计算电路的静态工作点参)mV(sin20tu数 IBQ、I CQ、U CEQ；（2）画出电路的微变等效电路，求 uBE、i B、i C 和 uCE。6. 图中三极管均为硅管，试求各电路中的 IC、U CE 及集电极对地电压 UO。7. 图中三极管为硅管， =100，试求电路中 IB、I C、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。 8. 三极管电路如图所示，已知 =100，U BE（on） =0.7V，试求电路中 IC、U CE 的值。9. 图中三极管为硅管， =100，试求电路中 IB、I C、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。10. 场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 UGS（off） 、I DSS；对于增强型管求出 UGS（th） 。
