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1、（1） 为什么元素周期表上的第 13 号元素 Al 是金属、而第 14 号元素 Si 却是半导体？答：虽然它们的原子序数只差一个，但是性质却截然不同，这主要是由于其原子负电性不同，导致晶体能带结构不同的缘故。因为 Al 的负电性较小，价电子容易失去，则在形成晶体时倾向于采用金属键，故价电子所形成的能带没有禁带属于金属。而 Si 的负电性较大，价电子不容易失去，则倾向于形成共价键，成为共价晶体，从而价电子能带存在禁带，并且禁带宽度正好不大（1.12eV），所以属于半导体。（2） 为什么半导体中载流子的平均自由程往往要比晶体的晶格常数大得多？答：晶格常数是结晶学原胞的边长,一般比原子间距要大一些.
2、平均自由程是指载流子在运动过程中相继两次遭受散射(或碰撞)之间的距离.因为按照能带理论,排列规则、且不动的原子构成的晶格周期性势场,决定了电子的能量状态,即决定了能带结构;但是这种严格周期性的势场并不引起电子状态的改变,即不散射电子.这就意味着,排列规则、且不动的原子本身也并不散射电子.所以载流子的平均自由程往往要比晶体的晶格常数大数十到数百倍.(注意:排列不规则或者运动的原子,即不具有周期性的晶格势场,或者说杂质和缺陷所产生的势场,将要散射电子.)（3） 为什么 Si、Ge 等半导体的禁带宽度（Eg）将随着温度（T）的升高而下降？答：因为 Si、Ge 等半导体的价带、导带和禁带都是由原子外层
3、的 s 态和 p 态价电子通过杂化而形成的;当许多原子靠近而构成晶体、原子外层的价电子公有化电子形成能带时,并不是导带对应于原子的 s 态电子、价带对应于原子的 p 态电子,所以禁带宽度也就不是随着原子间距的减小而变窄.因此,当温度升高时,原子间距增大,禁带宽度也就不是随之变宽,相反却是变窄.实际上,只有少数几种半导体的价带和导带是分别对应于原子的单一电子状态,这种半导体的禁带宽度确实是随着温度的升高而增大的.（4） 为什么在半导体的禁带中可以存在有杂质、缺陷等的能级？答: 半导体禁带这个能量范围,是晶体中的价电子所不能具有的能量;而价电子是属于整个晶体所有的,即是所谓公有化电子.这就意味着,
4、禁带中不能存在公有化电子状态,但是这并不排斥在禁带中可以出现非公有化电子状态杂质和缺陷等所谓局域性的电子状态.因此,在禁带中可以有杂质、缺陷等的能级.（5） 为什么 Si 可以吸收光、并产生电子-空穴对？但是为什么 Si 中电子- 空穴对的复合却一般不能够发出光来？答: 因为 Si 的能带是间接跃迁的结构,即价带顶与导带底不在 Brillouin 区的同一点处.这也就是说,价带顶处的电子(或空穴),与导带底处的电子具有不同的动量( 或不同的波矢).电子在价带与导带之间跃迁时需要满足能量守恒和动量守恒.当价带顶处的电子吸收了能量足够高的光子后,即可跃迁到导带去,至于跃迁前后动量的差别可以在电子进
5、入导带以后再通过弛豫过程来调整解决,所以这种吸收光的过程是可以发生的.但是,如果导带底电子下落到价带时,除了放出能量以外,还要同时放出动量,这时若把能量以光子的形式发射出来,但是还必须要有第三者来接受所放出的动量(因为光子的动量 =0),而这个第三者主要就是晶体中的声子(晶格振动的能量量子);因此,当电子 -空穴对复合时,由于声子在接受动量的同时,也可以接受能量,即复合所释放出的动量和能量都将可能交给声子,从而一般也就不再发出光子了.（6） 为什么价带中的许多价电子不能导电？答: 因为填满价带的电子都是被原子束缚的电子价电子，在电场作用下不能改变其能量状态，故不能导电。只有当它们摆脱价键的束缚
6、（即本征激发）而成为导带电子以后才能够导电，与此同时在价带中留下价键空位。导带中的电子和价带中的空位空穴就是载流子。 （7） 为什么半导体中载流子浓度不大时，可以近似认为它们是服从 Boltzmann 统计的（即为非简并半导体）？答：因为能带中包含有许多分立的能级能量状态，当半导体掺杂浓度不高、多数载流子浓度不大时，这些载流子基本上都可以处于能带极值（导带底或者价带顶）附近，并且不需要考虑 Pauli 不相容原理（即不会出现几个载流子占据一个状态的情况，亦即不必考虑量子效应）。因此，这些载流子是非简并的，即为具有一定有效质量的经典自由载流子。也可从载流子按能量的分布函数的状况来进行讨论。经典
7、Boltzmann 分布函数就是一种指数式下降的函数。而 Fermi 分布函数是一种量子分布函数，在能量 E=EF 时函数值等于 1/2，在 EEF 时几乎为 0（即在 EF 以上的能级差不多都未被载流子所占据）。因为当载流子浓度不大时，Fermi 能级总将位于禁带中间（即离开能带极值有一定的间隔），所以，作为晶体中的载流子所应该满足的 Fermi 分布函数，在靠近能带极值时即将下降到很小的数值；这就是说，在能带极值附近处，Fermi 分布函数与经典 Boltzmann 分布函数的曲线大致趋于一致，则可认为这时载流子基本上符合 Boltzmann 分布规律，即为非简并的载流子。（8） 为什么在
8、半导体载流子的输运中，通常都可以把电子（空穴）当作是具有一定有效质量（m*）的经典自由电子（自由空穴）？答：因为加在晶体上的外场往往变化是很缓慢的（即变化的周期往往要比晶体原胞大得多），因此，载流子即使是处在比原胞大得多的范围内，我们也可以认为其位置（坐标）是确定的；这就是说，可以选取载流子坐标的不确定度 x 比原胞尺寸 a 大得多，即 xa。又，测不准关系给出 (x)(p)h，所以可以得到相应的载流子的动量不确定度为(p)(h/a)。而晶体中载流子所可能的动量取值范围是 Brillouin区的大小，即(h/a)，因此见到：动量不确定度要比 Brillouin 区范围小得多；从而也可以近似认为
9、这时载流子的动量（准动量）大致也是确定的。这就意味着，相对于变化缓慢的外场而言，可以近似认为载流子是处于某个“ 地点”(比原胞大得多的范围) 、并且具有“一定动量”（在 Brillouin 区的某个点附近），即在一定近似的程度上可以认为载流子的坐标和动量能够同时被确定经典自由粒子，这就是所谓准经典近似。因为经典自由粒子的重要特点就是其能量 E 与其动量 p 之间存在以下抛物线关系（可以认为自由粒子的势能为 0，只有动能）： E = p2/(2m) p2，式中 m 是自由粒子的质量。所以，在把载流子看作是经典自由粒子时，则其能量 E 与其动量 p 之间也必须存在同样的抛物线关系：Ep2 。但是，
10、载流子是是处于能带之中的，其能量 E 与波矢 k 的关系很复杂（如常见能带图中的一些曲线所描绘出的），因此完全不同于经典自由粒子的抛物线关系。不过，如果只考虑能带极值（导带底或者价带顶）附近的载流子，则极值附近的能带曲线可近似认为是抛物线，即这些载流子的能量与波矢的关系可有：E p2/(2m*) p2，式中 m*是载流子的所谓有效质量。这就是说，若把载流子看成是具有一定 m*的粒子，则可近似认为它们是经典的自由载流子，亦即可把能带极值附近的载流子看成是具有一定 m*的经典自由粒子。m*即慨括了晶体中的一些特殊的作用（原子实和其他载流子对所观察的某个载流子的作用），使得能够把载流子当作经典自由粒
11、子来处理。总之，对于半导体中的载流子而言，虽然不是严格意义上的经典粒子，但是在分析它们在外场作用下的运动时，只要载流子的平均自由程（相当于 x）比晶体原胞的尺寸（a）大得多时，往往就可以简单地看成是坐标和动量都同时“确定 ”了的经典自由粒子。这就使得分析载流子的运动问题变得简单多了。实际上，在讨论许多半导体器件时，就往往采用了这种准经典近似。（9） 为什么半导体晶体中规则排列的原子不散射载流子？对载流子产生散射作用的主要因素是什么？答：因为晶体中规则排列的原子对电子的作用可看成是一种势场具有晶格周期的周期性势场，该势场即决定了电子的能量状态能带结构。而散射电子的作用是使电子从一个能量状态跃迁对
12、另一个能量状态的作用，所以，规则排列的原子本身并不散射电子。但是非规则排列的原子杂质和缺陷等（是周期性势场遭受破坏的一些因素），就能够散射电子；而且，晶体原子在晶格位置上不断进行着热振动，这种热振动（是波动的形式，其能量的量子化为声子）也是对原子规则排列的一种破坏，所以也将要散射电子（声子散射）。（10）为什么 Si 中电子的迁移率（n）一般要比空穴的迁移率（ p）约大 2.5 倍？答：因为载流子的迁移率 与遭受散射的几率和有效质量 m*成反比，即有 =qt/m*，式中的 t 为在两次相继散射之间的平均自由运动时间（散射几率=1/t），q 为电子电荷；又，Si 中导电的电子和空穴（载流子）分别
13、是处于导带底和价带顶这些能谷之中的，而导带底的曲率要比价带顶的曲率约要大 2.5 倍，所以，若在遭受散射的情况相同时，电子的迁移率就要比空穴的迁移率约大 2.5 倍。（11）为什么适当的晶格应变可以提高载流子的迁移率？答：因为载流子的迁移率与遭受散射的几率和有效质量成反比，所以，只要是能够减小散射几率和降低有效质量的措施，就都可以提高载流子的迁移率。在晶体中引入应变，即是其中的一种措施，并且该措施在改善微电子器件性能、发展微电子技术上具有重要的价值。由于通常的能带结构是在晶格完全规则时所给出的，则当在晶体上加有适当的应变时，晶格即发生畸变，并使能带结构变化，从而影响到载流子的散射几率和有效质量
14、。实验表明，一般情况下，晶格应变可以减小载流子的散射几率和有效质量，故能够提高迁移率。注：能带曲线的曲率变化可以改变有效质量；能带简并度和位置的变化可以改变能带之间的散射几率（例如在轻空穴带与重空穴带之间的散射）。当然，影响载流子散射几率的重要因素还有杂质和缺陷。（12）为什么往半导体中掺入施主或受主杂质时，一定需要高温（热扩散）或者高能量（离子注入）？为什么在 Si 片进行热氧化时也往往需要高温？答：半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。因为施主或受主杂质原子的半径一般都比较大，它们要直接进入半导体晶格的间隙中去是很困难的；只有当晶体中出现有晶格空位后，杂质原子才有可能
15、进去占据这些空位，并从而进入到晶体。为了让晶体中产生出大量的晶格空位，所以，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位（与此同时也产生出等量的间隙原子，空位和间隙原子统称为热缺陷）。对于 Si 晶体，要在其中形成大量的空位，所需要的温度大致为 1000 oC 左右，这也就是热扩散的温度。如果半导体晶体中没有任何空位，为了使施主或受主杂质原子进入到晶体中去，那么就只有首先把杂质原子电离成离子，并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能，然后再直接轰击晶体、并“挤” 进到里面去；这就是离子注入技术。当然，采用离子注入技术掺杂时，必然会产生出许多晶
16、格缺陷。所以，半导体在经过离子注入以后，还必须要进行所谓退火处理，以消除这些缺陷。另外，有三个与掺杂有关的问题值得说明一下：Si 的热氧化技术：因为当 Si 表面原子与氧原子结合成一层 SiO2 后，若要进一步增厚氧化层的话，那么就必须要让外面的氧原子扩散穿过已形成的氧化层、并与下面的 Si 原子结合，而 SiO2 膜是非晶体，氧原子（施主、受主杂质原子也一样）在其中的扩散速度很小，因此，往往要通过加热来提高杂质原子的热运动能量，使得能够比较容易地进入到氧化层中去，这就是热氧化。所以，Si 的热氧化实际上也就是氧原子的热扩散，故氧化温度一般也比较高（1000 oC 左右）。杂质的激活：因为施主或受主杂质原子要能够提供载流子，就必须处于替代 Si 原子的位置上（这样才有多余的或者缺少的价电子、以产生载流子），所以在半导体中，即使掺入了施主或受主，但是如果这些杂质原子没有进入到替代位置，那么它们也将起不到施主或受主的作用。为了让这些已经掺入到晶体中的施主或受主能够提供载流
