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1、一、填空题（本大题共 14 小空，每小空 2 分，共 28 分）1晶闸管是四层三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和 极。门2一只额定电流为 100A 的普通晶闸管，其允许通过的电流有效值为 A。1573具有自关断能力的电力电子器件称为 器件。全控型4三相全控桥式整流电路中，采用共阴极组接法的三只晶闸管，要求其触发脉冲以 1200为间隔，依次在电源电压的 半周触发各晶闸管。正5在考虑变压器漏抗影响时，整流电路输出电压的平均值将 。减小6三相全控桥式整流电路输出的电压波形在一个周期内脉动 次。67采用时间比控制方式改变斩波器负载两端的平均电压，对斩波器触发脉冲的调制方法有三种，分别是 ； ；
2、 。脉冲宽度调制；脉冲频率调制；调频调宽混合控制8降压斩波器中，电源电压 Ud=50V，导通比为 0.8，则负载电压平均值 ULD 为 。40V9电流型逆变电路直流侧为 ，输出电流波形为 。电流源；矩形波10根据调制脉冲的极性，PWM 也有两种调制方式，分别是 和 调制。单极性；双极性1、GTO 的全称是 ，图形符号为 ；GTR 的全称是 ，图形符号为 ；P-MOSFET 的全称是 ，图形符号为 ；IGBT 的全称是 ，图形符号为 。33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。2、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。33、负信号、反向电流。3、大功率晶体管简称
3、 ，通常指耗散功率 以上的晶体管。34、GTR、1W 。4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是 和 。35、电流不够大、耐压不够高。1、普通晶闸管内部有 PN 结,，外部有三个电极，分别是 极 极和 极。1、两个、阳极 A、阴极 K、门极 G。2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时，门极上加上 电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。3、 、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。3、 阻断、导通、阻断。4、某半导体器件的型号为 KP507 的，其中 KP 表示该器件的名称为 ，50 表示 ，7 表示 。4、普通晶闸管、额定电流 50A、额定电压 100V。5、只有当
4、阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。6、当增大晶闸管可控整流的控制角 ，负载上得到的直流电压平均值 会 。6、 减小。7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为 性负载， 性负载和 负载三大类。7、电阻、电感、反电动势。8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会 ，解决的办法就是在负载的两端 接一个 。8、 减小、并接、续流二极管。9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角 、电流波形不连续、呈 状、电流的平均值 。要求管子的额定电流值要 些。9、小、脉冲、小、大。10、单结晶体管的内部一共有 个 PN 结，外部一共有 3
5、个电极，它们分别是 极、 极和 极。10、一个、发射极 E、第一基极 B1、第二基极 B2。11、当单结晶体管的发射极电压高于 电压时就导通；低于 电压时就截止。11、峰点、谷点。12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压 ，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的 被触发，才能得到稳定的直流电压。12、同步、时刻。13、晶体管触发电路的同步电压一般有 同步电压和 电压。13、正弦波、锯齿波。14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用 与一个或几个 的叠加，利用改变 的大小，来实现移相控制。14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。15、在晶闸管两端并联的 RC 回路是用来防止 损坏晶
6、闸管的。15、关断过电压。16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个 或 。16、硒堆、压敏电阻。16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 。16、快速熔断器。1、整流是把 电变换为 电的过程；逆变是把 电变换为 电的过程。1、交流、直流；直流、交流。2、逆变电路分为 逆变电路和 逆变电路两种。2、有源、无源。3、逆变角 与控制角 之间的关系为 。3、=4、逆变角 的起算点为对应相邻相 的交点往 度量。4、负半周、左。5、当电源电压发生瞬时与直流侧电源 联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为 或 。5、顺极性串、逆变失败、逆变颠覆。6、为了保证逆变器能正
7、常工作，最小逆变角应为 。6、30357、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是 状态、 状态、 状态和 状态。7、待整流、整流、待逆变、逆变。8、将直流电源的恒定电压， 通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为 器。8、斩波。9、反并联可逆电路常用的工作方式为 ， 以及 三种。在工业上得到广泛应用的是 方式。9、逻辑无环流、有环流、错位无环流、逻辑无环流。10、采用接触器的可逆电路适用于对 要求不高、 不大的场合。10、快速性，容量。11、某半导体器件的型号为 KN 100 / 50 7，其中 KN 表示该器件的名称为 100 表示 ， 50 表示
8、 ，7 表示 。11、逆导晶闸管，晶闸管额定电流为 100A，二极管额定电流为50A，额定电压 100V。12、晶闸管整流装置的功率因数定义为 侧 与 之比。12、交流、有功功率、视在功率13、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波 ，对电网的影响 。13、愈大，愈大。14、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有 补偿，最常用的方法是在负载侧 。14、无功功率；并联电容。15、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。15、交流交流，交流直流交流。16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。16、导通，关断，脉冲宽度。1、触
9、发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压 ，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的 被触发，才能得到稳定的直流电压。1、同步、时刻。2、晶体管触发电路的同步电压一般有 同步电压和 电压。2、正弦波、锯齿波。3、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用 与一个或几个 的叠加，利用改变 的大小，来实现移相控制。3、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。4、在晶闸管两端并联的 RC 回路是用来防止 损坏晶闸管的。4、关断过电压。5、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个 或 。5、硒堆、压敏电阻。6、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 。6、快速熔断器。7、晶闸管整流装置的功率因
10、数定义为 侧 与 之比。7、交流、有功功率、视在功率8、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波 ，对电网的影响 。8、愈大，愈大。9、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有 补偿，最常用的方法是在负载侧 。9、无功功率；并联电容。1、双向晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 第一阳极 T1， 第二阳极 T2 和门极 G ；双向晶闸管的的触发方式有 I+ 、 I- 、 III+ 、 III .。2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2U2 。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 6U2 。 （电源相电压为 U2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触
11、发方法有两种，一是用 大于 60 小于 120 的宽脉冲 触发；二是用 脉冲前沿相差 60 的双窄脉冲 触发。4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 240 度；实际移相才能达 0-180 度。5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有 恒压频比控制、 转差劲频率控制 、矢量控制 、 直接转矩控制 。6、软开关电路种类很多，大致可分成 零电压 电路、 零电流 电路两大类。7、变流电路常用的换流方式有 器件换流 、 电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 四种。8、逆变器环流指的是只流经 两组反并联的逆变桥 、而不流经 负载 的电流，环流可在电路中加 采用串联电抗器 来限制。9、
12、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。10、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极为栅极 作为栅极，以 以电力晶体管集电极和发射极 作为发射极与集电极复合而成。1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极 T1 接 正 电压，第二阳极 T2接 负 电压；门极 G 接正 电压，T2 接 负 电压。I- 触发：第一阳极 T1 接 正 电压，第二阳极 T2 接 负 电压；门极 G 接 负 电压，T2 接 正 电压。 +触发：第一阳极 T1 接 负电压，第二阳极 T2 接正 电压；门极 G 接正电压，T2 接 负 电压。-触发：第一阳极 T1 接 负电压，第二阳极 T2 接 正电压；门极 G 接 负电压，T2 接 正 电压。2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲）换流。3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。4、有一晶闸管的型号为 KK2009，请说明 KK快速晶闸管； 200 表示表示 200A ，9 表示900V。5、单结晶体管产生的触发
