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1、14.3.1 G-M 计数管特性的研究（本文内容选自高等教育出版社大学物理实验 ）测量核辐射的仪器称为核辐射探测器，G-M 计数管是盖革-米勒（Geiger-Muller）计数管的简称，它是结构简单而又经济实用的核辐射探测器。核辐射探测器有多种类型，如按功能分有用作测量粒子数目的计数器型，能分辨粒子能量的能谱仪型，能显示粒子运动路径的径迹型等。若按工作物质分，有气体、液体和固体等探测器。本实验中测量用的 G-M 计数管属于气体计数器型的核辐射探测器，其工作物质是气体，其功能是记录射线粒子的数目但不能区别粒子能量。G-M 计数管有易于加工，输出信号幅度大，配套仪器简单等优点，在放射性测量方面有广
2、泛的应用，在核物理实验教学中更是不可缺少的探测器。本实验的目的是学习、掌握 G-M 计数管的结构、工作原理和使用方法并对其主要特性进行研究，同时要学习有关使用放射源的安全操作规则。实验原理1G-M 计数管的结构和工作原理G-M 计数管的结构如图 4.3.1-1 所示，通常为一密封并抽真空的玻璃管，中央是一根细金属丝作为阳极，玻璃管内壁涂以导电材料薄膜或另装一金属圆筒作为阴极构成真空二极管。同时充有一定量的惰性气体和少量猝灭气体，一般二者充气分压比例是 9：1。G-M 计数管有很多类型，按结构形状区分有圆柱形和钟罩形等；按探测对象分类有 、 或兼测 型计数管；按所充猝灭气体种类不同分，有卤素管，
3、其猝灭气体为 Br2、Cl 2 等，如果用乙醇或乙醚等碳氢化合物作为猝灭气体，称为有机计数管。当计数管的阳极和阴极之间加有适当的工作电压时，管内形成柱形对称电场。如有带电粒子进入管内，由于粒子与管内惰性气体原子的电子之间的库仑作用，可使气体电离（或激发） ，形成2正、负离子对（负离子即为电子） ，这种电离称为初级电离。在电场作用下，正、负离子分别向各自相反的电级运动，但正离子向阴极运动的速度比电子向阳极运动的速度慢得多。在电子向阳极运动过程中不断被电场加速，又会和原子碰撞而再次引起气体电离，称为次级电离。由于不断的电离过程使电子数目急剧增加，形成自激雪崩放电现象。同时，原子激发后的退激发及正负
4、离子对的复合，都会产生大量紫外光子，这些光子可在阴极上打出光电子，这些光电子在电场中被加速，一般在 10-7s 之内会使雪崩放电遍及计数管整个灵敏体积内。在这段时间内正离子移动很少，仍然包围在阳极附近，构成正离子鞘，使阳极周围电场大为减弱。在正离子缓慢地向阴极运动过程中，也会与猝灭气体分子相碰撞。对充有不同类型猝灭气体的计数管，其猝灭机制是不同的，对卤素管而言，由于猝灭气体的电离电位低于惰性气体，见表 4.3.1-1，因而会使大量的猝灭气体电离，使到达阴极表面的大部分是猝灭气体的正离子。它们与阴极上电子中和后大部分不再发射光子，从而抑制正离子在阴极上引起的电子发射，终止雪崩放电，形成一个脉冲电
5、信号。对于有机管而言，其猝灭气体是多原子分子如酒精或石油醚等，它们能强烈地吸收紫外光子，可把惰性气体电离或激发后在退激过程中产生的大量光子吸收掉。这些光子不能产生次级雪崩放电，使由入射粒子引起的一次雪崩式放电过程终止，起到使放电自猝灭的作用。因此一次放电过程可在输出电阻上产生一个电压脉冲信号，其数目与进入计数管的粒子数相对应。计数管的使用寿命主要受猝灭气体因素限制。对有机管来说，由于有机分子的分解而逐渐消耗减少，一般有机管的使用寿命约 108 次计数。对于卤素管来说，被电离的卤素离子移动到阴极后，仍可复合为分子，因此卤素分子几乎不消耗。所以卤素管的寿命更长，可达 109 次计数以上。同时卤素管
6、工作电压也低于有机管。一个带电粒子进入计数管，可以引起一次放电过程而产生一个电压脉冲信号而被记录。因此，G-M 计数管对带电粒子（如电子）的探测效率近于 100%。如果被探测的是 射线，可以利用 射线穿入计数管壁或金属阴极时，产生的次级带电粒子如光电子等进入计数管引起电离并产生输出脉冲。所以 G-M 计数管不仅能探测带电粒子也能探测 光子，不过对后者的探测效率很低，仅约 1%。2G-M 计数管的特性G-M 计数管的主要特性包括坪曲线、死时间等。3（1）坪曲线正常的 G-M 计数管在强度不变的放射源的照射下，测量计数率随阳极和阴极间外加电压的关系，得到如图 4.3.1-2 所示的曲线，称为坪曲线
7、。由图中看出，在外加电压低于 V0 时，粒子虽然进入计数管但不能引起计数，这是因为此时所形成的电压脉冲高度不足以触发定标器的阈值。随着外加电压的升高，计数管开始有计数，此时对应的外加电压 V0，称为起始电压或阈电压。随着外加电压的继续升高，计数率也迅速增加，但外加电压从 V1 到 V2 这一范围内，计数率却几乎不变，这一段外加电压的范围称为坪区，V 1-V2 的电压值称为坪长。计数管的工作电压就应选择在此范围的重点附近。一般有机管的坪长约 150V200V，其实电压约在 800V1100V。而卤素管坪长仅约 100V，起始电压约在 280V350V 范围。不过计数管的坪区也并非完全平坦，随着外加电压的进一步升高，计数率也稍有增加，如电压从 V1 升至 V2，计数率也从 N1 升至 N2。其原因主要是猝灭不够完全，即猝灭气体的正离子到达计数管阴极时有少数也还可能产生次级电子，引起假计数。这些假计数是随外加电压的升高而增加的。为了表示这一特性，定义坪斜 T 为（1）%10)(21VNT式中各量的意义在图 4.3.1-2 中已标出。坪斜 T 的意义为当坪长每增加 1V 时，引起计数率增加的百分率，一般要求合用的计数管 T20，n作法与验证泊松分布相同，但重复次数要求 500 次以上。测量所得数据可作出计数与其出现次数的直方图，与理论曲线相比较。
