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1、,4.1 结型场效应管,4.2 绝缘栅场效应管,第四章 场效应晶体管,4.3 场效应管的主要参数,4.4 场效应管放大电路,场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET). 主要内容: (1)结型场效应管的结构及工作原理 (2)金属-氧化物-半导体场效应管的结构及工作
2、原理,学习指导,学习方法 学习本章内容时应特别注意使用比较和归纳的方法： 1.与三极管进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数）。 2.不同类型（结型与绝缘栅型）、不同沟道的各种场效应管之间的比较与归纳（工作原理、电压极性、主要参数的比较等）。,场效应管与晶体管的区别,1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。2. 晶体管参与导电的是电子空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管参与导电的只有一种载流子，因此称其为单极型器件。3. 晶体管的输入电阻较低，一般102104； 场效应管的输入电阻高，可达1091014,概 述,N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道
3、,P沟道,（耗尽型）,结型场效应管的结构,结型场效应管的工作原理,结型场效应管的特性曲线及参数,结型场效应管,1、结型场效应管（JFET)结构,G,S,D,N型导电沟道,结型场效应管,源极，用S或s表示发射极,漏极，用D或d表示集电极,栅极，用G或g表示基极,2、结型场效应管（JFET)的工作原理,电源极性的安排:D S间-D接电源正端 S接电源负端 形成漏极电流iDG S间-S接电源正端 G接电源负端 栅极电流iG0, 输入电阻高达107,N沟道管加负栅源电压， P沟道管加正栅源电压，否则将会出现栅流。, VGS对沟道的控制作用,当VGS0时,当沟道夹断时,ID减小至0，此时对应的栅源电压V
4、GS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。,对于N沟道的JFET，VP 0。,PN结反偏,耗尽层加厚,沟道变窄,VGS继续减小，沟道继续变窄， ID继续变小,当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小，在VDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID,此时最大。,沟道电阻变大,ID变小,2、结型场效应管（JFET)的工作原理, VDS对沟道的控制作用,当VGS=0时，,VDS,ID ,G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。,当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。,此时VDS ,夹断区延长,沟道电阻,ID基本不变,2、
5、结型场效应管（JFET)的工作原理,VGS和VDS同时作用时,当VP VGSVT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，iD将进一步增加。,开始时无导电沟道，当在VGSVT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管,一方面,MOSFET是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。,当VGSVT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。,增强型MOS管,另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用,三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线,增强型MOS管,iD=f(vGS)vDS=C,转移特性曲线,iD=
6、f(vDS)vGS=C,输出特性曲线,vGS/V,一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构,+ + + + + + +, ,耗尽型MOS管存在原始导电沟道,耗尽型MOS场效应管,各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线,绝缘栅场效应管,N沟道增强型,P沟道增强型,绝缘栅场效应管,N沟道耗尽型,P 沟道耗尽型,2. 夹断电压VGS(0ff)：是耗尽型FET的参数，当VGS=VP 时,漏极电流为零。,3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当VGS=0时所对应的漏极电流。,1. 开启电压VGS(th)：MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。,4. 直流输入电阻RGS:栅源间
7、所加的恒定电压VGS与流过栅极电流IGS之比。结型:大于107，绝缘栅:1091015。,5. 漏源击穿电压V(BR)DS: 使ID开始剧增时的VDS。,6.栅源击穿电压V(BR) GSJFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压,场效应管的主要参数,7. 低频跨导gm ：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。,8. 输出电阻rds,9. 极间电容,Cgs栅极与源极间电容Cgd 栅极与漏极间电容Csd 源极与漏极间电容,场效应管放大电路,场效应管偏置电路,三种基本放大电路,FET小信号模型,一、场效应管偏置电路,1、自给偏置电路,自给偏置电路：,适合结型场效应管和耗尽型
8、MOS管,外加偏置电路：,适合增强型MOS管,UGS = UG-US,= -ISRS, -IDRS,UGSQ和IDQ,UDSQ=ED-IDQ(RS+RD),RS的作用：1.提供栅源直流偏压。2.提供直流负反馈，稳定静态工作点。RS越大，工作点越稳定。,偏置电路,大电阻（M)，减小R1、R2对放大电路输入电阻的影响,UGS = UG-US,-IDRS,UGSQ和IDQ,UDSQ=ED-IDQ(RS+RD),1、自给偏置电路,偏置电路,2、外加偏置电路,-IDRS,R1和R2提供一个固定栅压,UGS = UG-US,注：要求UGUS，才能提供一个正偏压，增强型管子才能 正常工作,二、场效应管的低频
9、小信号模型,由输出特性：,iD=f(vGS,vDS),三、三种基本放大电路,1、共源放大电路,（1） 直流分析,基本放大电路,D,S,Ui,Uo,未接Cs时,一般rds较大可忽略,=,- gmUgsRD,Ugs,+ gmUgsRs,RD=RD/RL,（2） 动态分析,ri=RG+(R1/R2),RG,ro RD,基本放大电路,未接Cs时,ri=RG+(R1/R2),RG,ro RD,接入Cs时,AU= -gm(rds/RD/RL),ri=RG+(R1/R2),RG,ro =RD/rds RD,Rs的作用是提供直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。但它对交流也起负反馈作用，使放大倍数降低。接
10、入CS可以消除RS对交流的负反馈作用。,基本放大电路,2、共漏放大电路,Ui,Uo,=,gmUgsRS,Ugs,+ gmUgsRs,RS=rds/RS/RL RS/RL,1,AU1,ri=RG,电压增益,输入电阻,基本放大电路,输出电阻,- gmUgs,Ugs= -Uo,=Uo(1/Rs+gm),电压增益,2、共漏放大电路,基本放大电路,3、共栅放大电路,电压增益,Id=gmUgs+Uds/rds,Uds=Uo-Ui,Uo= -IdRD,Ugs= -Ui,Id= -gmUi+(- IdRD -Ui)/rds,AU gmRD,输入电阻,ri =Ui/Id,rdsRDgmrds1,ri 1/gm,riRs/1/gm,基本放大电路,电压增益,AU gmRD,输入电阻,ri 1/gm,riRs/1/gm,输出电阻,ro =rds,ro=rds/RD RD,电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输入电压同相,3、共栅放大电路,组态对应关系：,CE,BJT,FET,CS,CC,CD,CB,CG,BJT,FET,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,三种基本放大电路的性能比较,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,三种基本放大电路的性能比较,解：,画中频小信号等效电路,例题,例题,
