晶体二极管和晶体三极管

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1、 晶体二极管和晶体三极管是电子电路和电子设备中的基本器件,为了能正确的加以选用,必须了解它们的特性、参数以及测试方法,这里介绍使用万用表检测的方法。 使用万用表对器件进行检测时,一般应使用该表的R1K或R100档,用其它档位会造成晶体管损坏。还应注意,指针式万用表欧姆档红表笔正端()接表内电池的负极,而黑表笔负端()接表内电池的正极。(一)利用万用表测晶体二极管1、判别二极管的极性 将万用表欧姆档的量程拨到R 1K、R100档,并将两表笔分别接到二极管两端。如图11所示。如果二极管处于正向偏置,呈现低电阻,表针偏转大,此时万用表指示的电阻小于几千欧,若二极管处于反向偏置,呈现高电阻,表针偏转小

2、,此时万用表指示的电阻将达几百千欧以上。正向偏置时,黑表笔所接的那一端是二极管的正极。2、判别二极管好坏 测得二极管的正向电阻相差越大越好,若测得正反向电阻均为无穷大,则表明二极管内部断路。如果测得正、反向电阻均为零,此时表明二极管被击穿或短路。(二)用万用表测发光二极管 发光二极管和普通二极管一样具有单向导电性,正向导通时才能发光。发光二极管在出厂时,一根引线做得比另一根引线长,通常,较长引线表示正极(),另一根为负极()。1、判别发光二极管的极性 将万用表欧姆档的量程拨到R10K档。测量方法与测量普通二极管一样。2、判别发光二极管的好坏 将万用表欧姆档的量程拨到R10K档。测量方法与测量普

3、通二极管一样。(三)利用万用表测晶体三极管1、用万用表判别管脚及类型(1)基极及管型的判别 测试三极管时,可将三极管的结构看作由两个PN 结所组成,而PN结的反向电阻都很大,正向电阻很小。因此可用万用表的R100或R1档进行测试。先将黑表笔接三极管某一极,然后将红表笔接其余两各极。若测得电阻都大时,则黑表笔所接的是PNP型管子的基极,若测得电阻都小时,则黑表笔所接的是NPN型管子的基极,若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。(2)判别集电极和发射极 判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成单管放大电路,利用测量管子的电流放

4、大系数值的大小来判定集电极和发射极。以NPN为例,基极确定以后,用万用表两表笔分别接另外两个电极,用100K的电阻一端接基极一端接黑表笔。若万用表指针偏转较大,则黑表笔所接的一端为集电极,则红表笔所接的一端是发射极。也用手捏住基极与黑表笔(不能使两者相碰)以人体电阻代替100K电阻的作用。2、用万用表粗测三极管质量的优劣(1)测ce间电阻及估测穿透电流ICEO 将基极悬空,将万用表正向接在晶体管c、e两电极上,红表笔接e,黑表笔接c这是表针指示应很小(一般指针基本不动)即为穿透电流Iceo。穿透电流愈小管子质量愈好。若测得R太小,表明ICEO太大,管子工作不稳定。(2)用比较法看晶体管的放大能

5、力 在测量Iceo接线的基础上,在晶体管的集电极与基极之间连上一个100K的电阻比较一下,其读数与测Iceo时的读数相差愈大,表示值越大。文章引用自: 评论(0) 引用 阅读(51) 圈子 编辑 打印 有奖举报 新浪BLOG意见反馈留言板不良信息反馈电话: 提示音后按2键(按当地市话标准计费)欢迎批评指正新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 会员注册 | 产品答疑 Copyright 1996 - 2007 SINA Corporation, All Rights Reserved 新浪公司 版权所有 进入

6、主页昵称: 蓝调小雨云会员编码: 读取中读取中读取中博客|播客|论坛|圈子|相册 二极管的种类上一篇 / 下一篇 2008-02-26 05:58:24 / 个人分类:科普文章 查看( 21 ) / 评论( 0 ) / 评分( 0 / 0 ) 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分如下种类: 1、点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较

7、,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。 2、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。 3、合金型二极管 在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的

8、。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。 4、扩散型二极管 在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。 5、台面型二极管 PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关

9、用的产品型号却很多。 6、平面型二极管 在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。 7、合金扩散型二极管 它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,

10、就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 8、外延型二极管 用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。 9、肖特基二极管 基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 二、根据用途分类 1、检波用二极管 就原理而言,从输

11、入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 2、整流用二极管 就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型,工作频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分AX共22档。分类如下: 硅半导体整流二极管2CZ

12、型 硅桥式整流器QL型、 用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。 3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。 5、混频用二极管 使用二极管混频方式时,在50010,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极

13、管。 6、放大用二极管 用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大。因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。 7、开关用二极管 有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅

14、大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。 8、变容二极管 用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发生变化。因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。 9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变

15、容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。 10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级。在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。11、PIN型二极管(PIN Diode) 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体

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