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1、1XX大学电动力学论文论文题目：霍尔效应的应用与发展姓 名_ 学院（系） 学院 专 业_ 应 用 物 理 班 级 0 7 学 号 2007 指导教师_ _2010 年 6 月 12 日2目录摘要 .3关键字 .3一霍尔效应原理 .3二霍尔元件的应用与当前发展状况 .42.1.测量载流子浓度： .42.2.测量磁场强度 .52.3.测量电流强度： .52.4.测量微小位移： .62.5.压力传感器 .62.6.霍尔加速度传感器 .6三霍尔效应应用中存在的问题与注意事项 .83.1研究领域的展望 .83.2在应用领域方面的展望 .93.2.1 新的霍尔元件结构 .93.2.2 微型化 .93.2.
2、3 高灵敏度 .93.2.4 高集成度 .9参考文献 .103霍尔效应的应用与发展摘要1879 年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应” 。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究.霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用。直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。关键字：霍尔效应、霍尔元件、集成度、传感器一霍尔效应原理1879 年霍尔(A.H.Hall)在实验中发现：在均匀强磁场 B 中放入一块板状金属导体，并与磁场 B 方向垂直如图
3、 1，在金属板中沿与磁场 B 垂直的方向通以电流 I 的时候，在金属板上下表面之间会出现横向电势差 UH 这种现象称为霍尔效应，电势差 UH 称为霍尔电势差。进一步的观察实验还指出，霍尔电势差UH 大小与磁感应强度 B 和电流强度 I 的大小都成正比，而与金属板的厚度 d 成反比。即 UH =RHIB/d (V)； 式中 RH（m3C-1 ）仅与导体材料有关，称为霍尔系数。当时虽然发现了霍尔效应现象，但在发现电子以前，人们不知道导体中的载流子是什么，不能从电子运动的角度加以解释霍尔效应的物理现象，现在我们按电子学理论对霍尔效应做了如下的解释：金属中的电流就是自由电子的定向流动，运动中的电子在磁
4、场中要受到洛仑兹力的作用。设电子以定向速度 运动，在磁场 B 中（ ） ，电子就要受到力 f=e 的作用，沿着 f 所指的方向漂移，从而使导体上表面积累过多的电子，下表面出现电子不足，从而在导体内产生方向向上的电场。当这电场对电子的作用力eEH 正好与磁场作用力f 相平衡时，达到稳定状态。霍尔效应被发现后，人们做了大量的工作，逐渐利用这种物理现象制成霍尔元件。霍尔元件一般采用 N 型锗（Ge）,锑化铟（InSb）和砷化铟（InA）等半导体材料制成。锑化铟元件的霍尔输出电势较大，但受温度的影响也大；锗元件的输出电势小，受温度影响小，线性度较好。因此，采用砷化铟材料做霍尔元件受到普遍的重视。霍尔器
5、件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件和霍尔开关器件。前者输出模拟量，后者输出数字量。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，4重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达 1MHZ） ，耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达 m 级） 。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达55150。 按被检测的对象的性质可将它们的应用分为
6、:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。二霍尔元件的应用与当前发展状况自从霍尔效应被发现 100 多年以来,它的应用经历了三个阶段: 第一阶段是从霍尔效应的发现到 20 世纪 40 年代前期。最初,由于金属材料中的电子浓度很大,而霍尔效应十分微弱,所以没有引起人们的重视。这段时期也有人利用霍尔效应制成磁场传感器,但实用价值不大,到了
7、1910 年有人用金属铋制成霍尔元件,作为磁场传感器。但是,由于当时未找到更合适的材料,研究处于停顿状态。 第二阶段是从 20 世纪 40 年代中期半导体技术出现之后,随着半导体材料、制造工艺和技术的应用,出现了各种半导体霍尔元件,特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展,相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器。 第三阶段是自 20 世纪 60 年代开始,随着集成电路技术的发展,出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。进入 20 世纪80 年代,随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展,霍尔元件从平面向三维方向发展,出现了三端口或四端口固态霍尔传感器,实现了
8、产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。霍尔集成电路出现以后，很快便得到了广泛应用。 52.1.测量载流子浓度： 根据霍尔电压产生的公式，以及在外加磁场中测量的霍尔电压可以判断传导载流子的极性与浓度，这种方式被广泛的利用于半导体中掺杂载体的性质与浓度的测量上。 2.2.测量磁场强度： 只要测出霍尔电压 VBB，即可算出磁场 B 的大小；并且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子，P 型半导体多数载流子为空穴),则由 VBB的正负可测出磁场方向，反之，若已知磁场方向，则可判断载流子类型。 尔元件应用十分广泛大致可分为以下几个方向。2.3.测量电流强度： 将图 4 中霍尔器件的输出（必要时可
9、进行放大）送到经校准的显示器上，即可由霍尔输出电压的数值直接得出被测电流值。这种方式的优点是结构简单，测量结果的精度和线性度都较高。可测直流、交流和各种波形的电流。但它的测量范围、带宽等受到一定的限制。在这种应用中，霍尔器件是磁场检测器，它检测的是磁芯气隙中的磁感应强度。电流增大后，磁芯可能达到饱和；随着频率升高，磁芯中的涡流损耗、磁滞损耗等也会随之升高。这些都会对测量精度产生影响。当然，也可采取一些改进措施来降低这些影响，例如选择饱和磁感应强度高的磁芯材料；制成多层磁芯；采用多个霍尔元件来进行检测等等。这类霍尔电流传感器6的价格也相对便宜，使用非常方便，已得到极为广泛的应用，国内外已有许多厂
10、家生产。2.4.测量微小位移： 若令霍尔元件的工作电流保持不变，而使其在一个均匀梯度磁场中移动，它输出的霍尔电压 VH 值只由它在该磁场中的位移量 Z 来决定。图 6 示出 3 种产生梯度磁场的磁系统及其与霍尔器件组成的位移传感器的输出特性曲线，将它们固定在被测系统上，可构成霍尔微位移传感器。从曲线可见，结构（b）在Z2mm 时，VH 与 Z 有良好的线性关系，且分辨力可达 1m，结构（C）的灵敏度高，但工作距离较小。用霍尔元件测量位移的优点很多：惯性小、频响快、工作可靠、寿命长。 以微位移检测为基础，可以构成压力、应力、应变、机械振动、加速度、重量、称重等霍尔传感器。2.5.压力传感器： 霍
11、尔压力传感器由弹性元件，磁系统和霍尔元件等部分组成，如图 6 所示。在图 6 中， （a）的弹性元件为膜盒，(b)为弹簧片，(c)为波纹管。磁系统最好用能构成均匀梯度磁场的复合系统，如图 6 中的(a)、(b)，也可采用单一磁体，如（c） 。加上压力后，使磁系统和霍尔元件间产生相对位移，改变作用到霍尔元件上的磁场，从而改变它的输出电压 VH。由事先校准的 pf(VH)曲线即可得到被测压力 p 的值。 72.6.霍尔加速度传感器： 图 7 示出霍尔加速度传感器的结构原理和静态特性曲线。在盒体的 O 点上固定均质弹簧片 S,片 S 的中部 U 处装一惯性块 M，片 S 的末端 b 处固定测量位移的
12、霍尔元件 H，H 的上下方装上一对永磁体，它们同极性相对安装。盒体固定在被测对象上，当它们与被测对象一起作垂直向上的加速运动时，惯性块在惯性力的作用下使霍尔元件 H 产生一个相对盒体的位移，产生霍尔电压 VH 的变化。可从 VH 与加速度的关系曲线上求得加速度。 人们在利用霍尔效应开发的各种传感器，磁罗盘、磁头、电流传感器、非接触开关、接近开关、位置、角度、速度、加速度传感器、压力变送器、无刷直流电机以及各种函数发生器、运算器等,已广泛应用于工业自动化技术、检测技术和信息处理各个方面。仅在汽车的电子系统中，使用霍尔 IC 的就有十几处。如点火控制、发动机速度检测、燃料喷射控制、底盘控制、门锁控
13、制以及方位导航控制等。除了己非常成熟的双极型霍尔 IC 外，应用 CMOS 和 Si CMOS 技术的霍尔产品业已广泛使用，MOS 霍尔 IC 的功耗更低，功能更强。霍尔 IC 的种类较多，大致可分为霍尔线性 IC 和霍尔开关 IC。前者的输出与磁场成正比，用于各种参量的测量：后者的输出为高、低电平两利，状态，常用于无刷电机和汽车点火装置中。此外，大功率的霍尔 IC 的应用也非常广泛，它将功率驱动级和各种保护电路集成到霍尔 IC 中，使得器件具有很强的驱动能力，它们可直接驱动无刷电动机，也常用在汽车中作开关器件。在实际使用中，经常将霍尔集成电路(有时也用霍尔元件)与永磁体、软磁材料等封装在一起
14、，组成适用于特定应用场合的霍尔传感器组件。 在国内，除南京中旭微电子公司可大量生产霍尔集成电路、营口华光传感元件厂可批量生产薄膜磁阻器件、西南应用磁学研究所可批量生产威根德器件外，其余各类也有研制和小批量生产。据预测：1995 年，国内有 41 家企业生产磁传感器，总产量为 2780 万只.其中，霍尔器件 1730 万只，结型磁敏元件90 万只，磁电阻元件 850 万只，威根德元件 110 万只.虽然其余各种磁传感器都有厂、所、校在进行研制，品种基本齐全，但仍末形成规模化产业。 在国外，由于磁传感器已逐渐被广泛而大量地使用，有许多企业竞相研制和生产，形成一定规模的磁传感器产业。霍尔器件是半导体磁传感器中最成熟和产量最大的产品。旭化成(InSb 霍尔元件)、Honeywell、A11egro(原称Sprague)、ITT、Siemens(霍尔电路)等均已大量生产。8P
