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1、电力元件图形符号文字符号工作原理基本特性主要参数主要类型特殊点1、电力二极管SRPN结的单向导电性静态特性（伏安特性）动态特性关断特性开通特性1.正向平均电流IF(AV)2.正向压降UF3.反向重复峰值电压URRM4.最高工作结温TJM 5.反向恢复时间trr6.浪涌电流IFSM普通电力二极管、快恢复二极管（FRD）、肖特基二极管(SBD)结电容、雪崩击穿和齐纳击穿2、晶闸管SCR等效电路伏安特性当IG=0,Ubo UAK0 Icbo0，正向阻断,如果UAKUbo,，Icbo0器件开通。当IG，Ubo。当IGIH,SCR正向阻断。UAK0,SCR反向阻断动态特性1.断态重复峰值电压UDRM2.
2、反向重复峰值电压URRM3.通态（峰值）电压UT4.通态平均电流IT(AV）5.维持电流IH6.擎住电流 IL7.浪涌电流ITSM8.开通时间tgt9.关断时间tq10.断态电压临界上升率du/dt11. 通态电流临界上升率di/dt1.快速晶闸管（FST）2. 双向晶闸管(TRIAC) 3. 逆导晶闸管(RCT)4.光控晶闸管(LTT)3、门极可关断晶闸管GTO V1、V2的共基极电流增益分别是1、2。1+2=1是器件临界导通的条件，大于1导通，小于1则关断。GTO与普通晶闸管的不同。GTO设计2较大，使晶体管V2控制 灵敏，易于GTO关断。导通时1+2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极
3、控制关断，但导通时管压降增大。多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的，只不过导通时饱和程度较浅。而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，当两个晶体管发射极电流IA和IK的减小使K1+K20,IG0。关断过程：IGUT，形成反型层，电力MOSFET 导通。(1) 静态特性(2)动态特性1漏源额定电压UDS2漏极额定电流 ID3漏极峰值电流 IDM4栅源电压UGS5通态电阻 Ron6最大耗散功率 PD7跨导 m8极间电容1按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 2当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。3对于N（P）沟道器件，
4、栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为增强型。绝缘栅双极晶体管IGBT(1)IGBT 的驱动原理与电力 MOSFET 基本相同(2)UGEUGE(th)，MOSFET 内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT 关断(1) 静态特性(2)动态特性IGBT 的主要参数与电力 MOSFET 基本相同IGBT 的擎住效应在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应或自锁效应。 引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或温度升高。动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。
