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1、电子产品都是由一个个基本的电子元器件组合而成，如电阻、电容、二极管、三极管等。随着科技的发展，消费者对产品的外观和性能及性价比有了很高的要求。随后出现了集成块，大规模集成块和超大规模集成块。1、 电阻作用：电阻的主要职能就是阻碍电流流过。也就是通俗的限流功能。电阻器的限流作用类似于接在两根大直径管子之间的小直径管子限制水流量的作用。电阻，英文名resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律说，I=U/R，那么R=U/I，电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“”表示，事实上，“电阻”说的是一种性质，而通常在电子产品中所指的电阻，是指电阻器这样一种元
2、件。欧姆常简称为欧。表示电阻阻值的常用单位还有千欧（k），兆欧（M），毫欧（m ）。分类：读法：测量方法：2、 电容作用：电容器，顾名思义，是装电的容器，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制等方面。电容与电容器不同。电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉）。电容的基本特性是“隔直流、通交流”。也就是说电容器接在直流电路中相当于“断路”的状态，在一定的范围内（可承受电压范围）能阻碍直流电流的通过。而接在交流电路中相当于“短路”状态。交流电流可以通过。正是利用电容的这
3、一特性，在电路中电容有以下作用：1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。简单来说就是将电路中的高频杂波滤除，防止损害电路。2）去耦去耦，又称解耦。从电路来说， 总体可以区分为驱动的电源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就
4、会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1F、0.01F 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10F 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流
5、的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1F 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000F）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信
6、号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4）储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40450VDC、电容值在220150 000F 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。分类：根据分析统计，电容器主要分为以下10类：1）按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调
7、电容器。2）按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器、电热电容器和空气介质电容器等。3）按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。4）按制造材料的不同可以分为：瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容，还有先进的聚丙烯电容等等5）高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。6）低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。7）滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。8）调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。9）低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电
8、容器、固体钽电容器。10）小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。读法：测量方法：固定电容器的检测方法A.检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B.检测10PF001F固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R1k挡。两只三极管的值均为100以上，且穿透
9、电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001F以上的固定电容，可用万用表的R10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。3、 二极管二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个P
10、N结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。常见二极管标有灰色颜色带处是负极，也称为阴极。另一端则是阳极。正向电压就是说阳极加正电压，阴极加负电压。反向电压则是阳极加负电压，阴极加正电压。作用：二极管有两个主要特性，具有正向导通和反向截止。正向性正向导通：当二极管阳极加正向电压时，二极管电阻成低电阻状态，我们称为正向导通。此时正向电压值必须大于一个特定的值（通常硅材料为0.5，锗材料为0.1）二极管才会导通。这个电压值我们称为门坎电压或者二极管的阈值。也就是说所加正向电压必须大于阈值电压二极管才会导通，否则二极管仍会处于截止状态。二极管导通后，本身会存在一定的压降，
11、硅二极管的正向导通压降约为0.60.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.20.3V。在大电压的工作状态下通常压降电压可以忽略，但是在小电压工作状态或者精密电路中必须考虑到压降电压的存在。反向性反向截止：当二极管接反向电压时，二极管本身成高阻状态，我们称为反向截止。二极管在反向截止时仍会有少量电流流过，这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在A数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。但有时击穿并不是都不可取，现在市面中有很多二极管利用反向击穿这一特性来完成电路中的特殊功能。二极管分类：按材料不同分为硅二极管和锗二极管按功能不同分为发光二极管、稳压二极管、整流二极管
