《电磁兼容屏蔽课件》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电磁兼容屏蔽课件(44页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
1、杨继深 2002年8月,电磁屏蔽,屏蔽前的场强E1,屏蔽后的场强E2,对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB,杨继深 2002年8月,实心材料屏蔽效能的计算,入射波,场强,距离,吸收损耗A,R1,R2,SE R1 R2 AB, R AB,B,杨继深 2002年8月,吸收损耗的计算,t,入射电磁波E0,剩余电磁波E1,E1 = E0e-t/,A 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) dB,0.37E0,A 8.69 ( t / ) dB,A = 3.34 t f rr dB,杨继深
2、 2002年8月,趋肤深度举例,杨继深 2002年8月,反射损耗,R 20 lg,ZW,4 Zs,反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。,ZS = 3.68 10-7 f r/r,远场:377,近场:取决于源的阻抗,同一种材料的阻抗随频率变,杨继深 2002年8月,不同电磁波的反射损耗,远场: R 20 lg,377,4 Zs,4500,Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离(m) f = 电磁波的频率(MHz),2 D f,D f Zs,Zs,电场: R 20 lg,磁场: R 20 lg,dB,杨继深 2002年8月,影响反射损耗的因素,150,0.1k 1k 10k
3、 100k 1M 10M 100M,平面波,3 108 / 2r,f,R(dB),r = 30 m,电场r = 1 m,靠近辐射源,r = 30 m,磁场 r = 1 m,靠近辐射源,杨继深 2002年8月,综合屏蔽效能 (0.5mm铝板),150,250,平面波,0,0.1k 1k 10k 100k 1M 10M,高频时 电磁波种类 的影响很小,电场波 r = 0.5 m,磁场波 r = 0.5 m,屏蔽效能(dB),频率,杨继深 2002年8月,多次反射修正因子的计算,电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。 B = 20 lg ( 1 - e -2 t
4、 / ),说明: B为负值,其作用是减小屏蔽效能 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略 对于电场波,可以忽略,杨继深 2002年8月,怎样屏蔽低频磁场?,低频磁场,低频,磁场,吸收损耗小,反射损耗小,高导电材料,高导磁材料,高导电材料,杨继深 2002年8月,高导磁率材料的磁旁路效果,H0,H1,H0,Rs,R0,H1,R0,Rs,SE = 1 + R0/RS,杨继深 2002年8月,低频磁场屏蔽产品,杨继深 2002年8月,磁屏蔽材料的频率特性,1,5,10,15,坡莫合金,金属,镍钢,冷轧钢,0.01 0.1 1.0 10 100 kHz,r 103,杨继深 2002年8月,磁导率随场
5、强的变化,磁通密度 B,磁场强度 H,饱和,起始磁导率,最大磁导率, = B / H,杨继深 2002年8月,强磁场的屏蔽,高导磁率材料:饱和,低导磁率材料:屏效不够,低导磁率材料,高导磁率材料,杨继深 2002年8月,加工的影响,20,40,60,80,100,10 100 1k 10k,跌落前,跌落后,杨继深 2002年8月,良好电磁屏蔽的关键因素,屏蔽体 导电连续,没有穿过屏 蔽体的导体,屏蔽效能高的屏蔽体,不要忘记: 选择适当的屏蔽材料,你知道吗: 与屏蔽体接地与否无关,杨继深 2002年8月,实际屏蔽体的问题,通风口,显示窗,键盘,指示灯,电缆插座,调节旋钮,实际机箱上有许多泄漏源:
6、不同部分结合处的缝隙通风口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等,电源线,缝隙,杨继深 2002年8月,远场区孔洞的屏蔽效能,L,L,SE = 100 20lgL 20lg f + 20lg(1 + 2.3lg(L/H) = 0 dB 若 L / 2,H,杨继深 2002年8月,孔洞在近场区的屏蔽效能,若ZC (7.9/Df):(说明是电场源) SE = 48 + 20lg ZC 20lg L f + 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) ) 若ZC (7.9/Df):(说明是磁场源) SE = 20lg ( D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ) (注意:对于
7、磁场源,屏效与频率无关!),杨继深 2002年8月,缝隙的泄漏,低频起主要作用,高频起主要作用,杨继深 2002年8月,缝隙的处理,电磁密封衬垫,缝隙,杨继深 2002年8月,电磁密封衬垫的种类,金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的) 导电橡胶(不同导电填充物的) 指形簧片(不同表面涂覆层的) 螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的) 导电布,杨继深 2002年8月,指形簧片,杨继深 2002年8月,螺旋管电磁密封衬垫,杨继深 2002年8月,电磁密封衬垫的主要参数,屏蔽效能 (关系到总体屏蔽效能) 回弹力(关系到盖板的刚度和螺钉间距) 最小密封压力(关系到最小压缩量) 最大形变量(关系到最大压缩量)
8、压缩永久形变(关系到允许盖板开关次数) 电化学相容性(关系到屏蔽效能的稳定性),杨继深 2002年8月,电磁密封衬垫的安装方法,绝缘漆,环境密封,杨继深 2002年8月,截止波导管,损耗,频率,fc,截止频率,频率高的电磁波能通过波导管,频率低的电磁波损耗很大!工作在截止区的波导管叫截止波导。,截止区,杨继深 2002年8月,截止波导管的屏效,截止波导管 屏蔽效能,=,反射损耗: 远场区计算公式 近场区计算公式,+,吸收损耗 圆形截止波导: 32 t / d 矩形截止波导: 27.2 t / l,孔洞计算屏蔽效能公式,杨继深 2002年8月,截止波导管的损耗,杨继深 2002年8月,截止波导管
9、的设计步骤,孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE,确定截止波导管的截面形状,确定要屏蔽的最高的频率 f,确定波导管的截止频率 fc,计算截止波导管的截面尺寸,由SE 确定截止波导管的长度,5f,杨继深 2002年8月,显示窗/器件的处理,隔离舱,滤波器,屏蔽窗,滤波器,杨继深 2002年8月,操作器件的处理,屏蔽体上开小孔,屏蔽体上栽上截止波导管,用隔离舱将操作器件隔离出,杨继深 2002年8月,通风口的处理,穿孔金属板,截止波导通风板,杨继深 2002年8月,贯通导体的处理,杨继深 2002年8月,屏蔽电缆穿过屏蔽机箱的方法,在内部可将电缆延伸,表面做导电清洁处理,保持360度连接 注意防腐,屏蔽
10、互套,屏蔽体边界,屏蔽电缆,与电缆套360度搭接,杨继深 2002年8月,搭接,电子设备中,金属部件之间的低阻抗连接称为搭接。例如: 电缆屏蔽层与机箱之间搭接 屏蔽体上不同部分之间的搭接 滤波器与机箱之间的搭接 不同机箱之间的地线搭接,杨继深 2002年8月,搭接不良的滤波器,滤波器接地阻抗,预期干扰电流路径,实际干扰电流路径,杨继深 2002年8月,搭接不良的机箱,V,I,航天飞行器上的搭接阻抗要小于2.5m!,杨继深 2002年8月,搭接阻抗的测量,机柜,搭接阻抗,频率,寄生电容,导线电感,并联谐振点,V,I,Z = V / I,杨继深 2002年8月,不同的搭接条,杨继深 2002年8月,频率不同搭接方式不同,杨继深 2002年8月,搭接面的腐蚀,I,IV,III,II,杨继深 2002年8月,搭接点的保护,