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1、PL 可编程逻辑器件 数字电子技 术第章存储器与可编程逻辑器件 习题及答案 PL 可编程逻辑器件 数字电子技 术第章存储器与可编程逻辑器件 习题及答案 2 第 8 章 存储器与可编程逻辑器件 8.1 存储器概述 自测练习自测练习 1 存储器中可以保存的最小数据单位是( ) 。 (a) 位 (b) 字节 (c) 字 2 指出下列存储器各有多少个基本存储单元?多少存储单元?多少字?字长多少? (a) 2K8 位 ( ) ( ) ( ) ( ) (b) 2562 位 ( ) ( ) ( ) ( ) (c) 1M4 位 ( ) ( ) ( ) ( ) 3 ROM 是( )存储器。 (a)非易失性 (b
2、)易失性 (c)读/写 (d) 以字节组织的 4数据通过( )存储在存储器中。 (a)读操作 (b)启动操作 (c)写操作 (d) 寻址操作 5RAM 给定地址中存储的数据在( )情况下会丢失。 (a)电源关闭 (b)数据从该地址读出 (c)在该地址写入数据 (d)答案(a)和(c) 6具有 256 个地址的存储器有()地址线。 (a)条 (b)条 (c)8 条 (d)16 条 7可以存储字节数据的存储容量是() 。 (a)位 (b)位 (c)位 (d)位 答案: 1 a 2 (a) 20488;2048;2048;8 (b) 512;256;256;2 (c) 102410244;10241
3、024;10241024;4 3a 4c 5d 6c 7b 8.2 随机存取存储器(RAM) 自测练习自测练习 1.动态存储器(DRAM)存储单元是利用( )存储信息的,静态存储器 (SRAM)存储单元是利用( )存储信息的。 2.为了不丢失信息,DRAM 必须定期进行( )操作。 3.半导体存储器按读、写功能可分成( )和( )两大类。 4.RAM 电路通常由( ) 、 ( )和( )三部分组成。 5.6116RAM 有( )根地址线, ( )根数据线,其存储容量为( )位。 答案: 1栅极电容,触发器 2刷新 3只读存储器,读/写存储器 4地址译码,存储矩阵,读/写控制电路 511,8,2
4、K8 位 8.3 只读存储器(ROM) 自测练习自测练习 1ROM 可分为( ) 、 ( ) 、 ( )和( )几种类型。 4 2ROM 只读存储器的电路结构中包含( ) 、 ( )和( )共三个组 成部分。 3若将存储器的地址输入作为( ) ,将数据输出作为( ) ,则存储器可 实现组合逻辑电路的功能。 4掩膜 ROM 可实现的逻辑函数表达式形式是( ) 。 528256 型 EEPROM 有( )根地址线, ( )根数据线,其存储容量为 ( )位,是以字节数据存储信息的。 6EPROM 是利用( )擦除数据的,EEPROM 是利用( )擦除数据的。 7 PROM/EPROM/EEPROM
5、分别代表( ) 。 8一个 PROM/EPROM 能写入( ) (许多,一)次程序。 9存储器 2732A 是一个( ) (EPROM,RAM) 。 10在微机中,4 种存储类型为( ) 。 答案: 1ROM,PROM,EPROM,EEPROM 2存储矩阵,地址译码,输出控制电路 3输入,输出 4标准与或形式(最小项表达式) 515,8,32K8 6紫外线,电 7可编程的只读存储器,可擦可编程的只读存储器,电可擦可编程的只读存储器 8一次/许多 9EPROM 10寄存器,高速缓存,主存,外存 8.4 快闪存储器(Flash Memory) 自测练习自测练习 1非易失性存储器有( ) 。 (a)
6、ROM 和 RAM (b)ROM 和闪存 (c)闪存和 RAM 22Flash Memory 的基本存储单元电路由( )构成,它是利用( )保 存信息,具有( )性的特点。 33Flash Memory 28F256 有( )和( )两种操作方式。 44从功能上看,闪存是( )存储器,从基本工作原理上看,闪存是 ( )存储器。 5Flash28F256 有( )根地址线, ( )根数据线,其存储容量为 ( )位,编程操作是按字节编程的。 答案: 1b 2一个浮栅 MOS 管,浮栅上的电荷,非易失 3只读存储方式,读/写存储方式 4RAM,ROM 515,8,32K8 8.5 存储器的扩展 自测
7、练习自测练习 1 存储器的扩展有( )和( )两种方法。 22如果用 2K16 位的存储器构成 16K32 位的存储器,需要( )片。 (a) 4 (b) 8 (c) 16 3 用 4 片 2564 位的存储器可构成容量为( )位的存储器。 4 若将 4 片 6116 RAM 扩展成容量为 4K16 位的存储器,需要( )根地址线。 (a) 10 (b) 11 (c) 12 (d)13 5 将多片 1K4 位的存储器扩展成 8K4 位的存储器是进行( )扩展 ; 若扩展成 1K 16 位的存储器是进行( )扩展。 6 的存储器有()根数据线, ()根地址线,若该存储器的起始地址为 , 则最高地
8、址为 () , 欲将该存储器扩展为的存储系统, 需要的存储器 () 个。 答案: 1字扩展,位扩展 2C 325616/1K4 4C 5字,位 64,8,FF,8 8.6 可编程阵列逻辑 PAL8.6 可编程阵列逻辑 PAL 自测练习自测练习 6 1 PAL 的常用输出结构有( ) 、 ( ) 、 ( )和 ( )4 种。 2 字母 PAL 代表( ) 。 3 PAL 与 PROM、EPROM 之间的区别是( ) 。 (a)PAL 的与阵列可充分利用 (b)PAL 可实现组合和时序逻辑电路 (c)PROM 和 EPROM 可实现任何形式的组合逻辑电路 4 具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵
9、列的 PLD 为( ) 。 (a)PROM (b)PLA (c)PAL 5 一个三态缓冲器的三种输出状态为( ) 。 (a)高电平、低电平、接地 (b)高电平、低电平、高阻态 (c)高电平、低电平、中间状态 6 查阅资料,确定下面各 PAL 器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。 (a)PAL12H6 ( ) ( ) ( ) (b)PAL20P8 ( ) ( ) ( ) (c)PAL16L8 ( ) ( ) ( ) 答案: 1输出结构,可编程输入/输出结构,寄存器输出结构,异或输出结构 2可编程阵列逻辑 3B 4C 5B 6 (a)12,6,高电平 (b)20,8,可编程极性输出 (c)16
10、,8,低电平 8.7 通用阵列逻辑 GAL 自测练习自测练习 1GAL 具有( ) (a)一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑 (b)一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列 (c)一次性可编程与或阵列 (d)可编程的与或阵列 2GAL16V8 具有( )种工作模式。 3GAL16V8 在简单模式工作下有( )种不同的 OLMC 配置;在寄存器模式工作下有 ( )种不同的 OLMC 配置;在复杂模式工作下有( )种不同的 OLMC 配置。 4GAL16V8 具有( ) 。 (a)16 个专用输入和 8 个输出 (b)8 个专用输入和 8 个输出 (c)8 个专用输入和 8 个输入/
11、输出 (d)10 个专用输入和 8 个输出 5如果一个 GAL16V8 需要 10 个输入,那么,其输出端的个数最多是( ) 。 (a)8 个 (b)6 个 (c)4 个 6若用 GAL16V8 的一个输出端来实现组合逻辑函数,那么此函数可以是( )与项之和 的表达式。 (a)16 个 (b)8 个 (c)10 个 7与、或、非、异或逻辑运算的 ABEL 表示法分别为( ) 。 8逻辑表达式用 ABEL 语言描述时,应写为( ) 。 答案: 1A 23 33,2,2 4B 专用输入,专用组合输出,复合输入/输出(I/O) ,寄存器组合 I/O,寄存器输出 5C 68 7B 8&,#,!,$ 9
12、A&B#A&!B#!A&B 8.8 CPLD、FPGA 和在系统编程技术简介 自测练习自测练习 1PLD 器件的设计一般可分为( ) 、 ( )和( )三个步骤以及 ( )、 ( ) 和( ) 三个设计验证过程. 2ISP 表示( ) 。 (a)在系统编程的 (b)集成系统编程的 (c)集成硅片程序编制器 3CPLD 表示( ) 。 (a)简单可编程逻辑阵列 (b)可编程交互连接阵列 (c)复杂可编程逻辑阵列 (d)现场可编程逻辑阵列 4FPGA 是( ) 。 (a)快速可编程门阵列 (b)现场可编程门阵列 (c)文档可编程门阵列 (d)复杂可编程门阵列 5FPGA 是采用( )技术实现互连的
13、。 ()熔丝()CMOS ()EECMOS (d)SRAM 8 6PLD 的开发需要有( )的支持。 (a)硬件和相应的开发软件 (b)硬件和专用的编程语言 (c)开发软件 (d)专用的编程语言 答案: 1设计输入,设计实现,编程,功能仿真,时序仿真,测试 2a 3c 4b 5d 6a 习题习题 8存储器有哪些分类?各有何特点? 8ROM 和 RAM 的主要区别是什么?它们各适用于哪些场合? 8静态存储器 SRAM 和动态存储器 DRAM 在电路结构和读写操作上有何不同? 8Flash Memory 有何特点和用途?它和其它存储器比较有什么不同? 8某台计算机系统的内存储器设置有 20 位的地
14、址线,16 位的并行输入/输出端,试 计算它的最大存储容量? 8试用 4 片 2114(10244 位的 RAM)和 3-8 译码器组成 40964 位的存储器 8试用 4 片 2114RAM 连接成 2K8 位的存储器。 8PROM 实现的组合逻辑函数如图 P88 所示。 (1) 分析电路功能,说明当 ABC 取何值时,函数 F1=F2=1; (2) 当 ABC 取何值时,函数 F1=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1 F1 F2 A A B B C C 图图 P88 8用 PROM 实现全加器,画出阵列图,确定 PROM 的容量。 8 用 PROM 实现下列多输
15、出函数,画出阵列图。 F1=+ABD F2=+ F3=+ F4= 8 PAL 器件的结构有什么特点? 8 描述 PAL 与 PROM、EPROM 之间的区别。 8 任何一个组合逻辑电路都可以用一个 PAL 来实现吗?为什么? 8 选用适当的 PAL 器件设计一个 3 位二进制可逆计数器。当 X=0 时,实现加法计数 ; 当 X=1 时,实现减法计数。 8 为什么 GAL 能取代大多数的 PAL 器件? 8 试用 GAL16V8 实现一个 8421 码十进制计数器。 习题解答:习题解答: 81 存储器有哪些分类?各有何特点?81 存储器有哪些分类?各有何特点?(基本题,第 1、2、3、4 节) 答:半导体存储器可分类为:R