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1、PL 可编程逻辑器件 数字电子技 术第章存储器与可编程逻辑器件 习题及答案 PL 可编程逻辑器件 数字电子技 术第章存储器与可编程逻辑器件 习题及答案 2 第 8 章 存储器与可编程逻辑器件 8.1 存储器概述 自测练习自测练习 1 存储器中可以保存的最小数据单位是（ ） 。 （a） 位 （b） 字节 （c） 字 2 指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？ （a） 2K8 位 （ ） （ ） （ ） （ ） （b） 2562 位 （ ） （ ） （ ） （ ） （c） 1M4 位 （ ） （ ） （ ） （ ） 3 ROM 是（ ）存储器。 （a）非易失性 （b
2、）易失性 （c）读/写 （d） 以字节组织的 4数据通过（ ）存储在存储器中。 （a）读操作 （b）启动操作 （c）写操作 （d） 寻址操作 5RAM 给定地址中存储的数据在（ ）情况下会丢失。 （a）电源关闭 （b）数据从该地址读出 （c）在该地址写入数据 （d）答案（a）和（c） 6具有 256 个地址的存储器有（）地址线。 （a）条 （b）条 （c）8 条 （d）16 条 7可以存储字节数据的存储容量是（） 。 （a）位 （b）位 （c）位 （d）位 答案： 1 a 2 （a） 20488；2048；2048；8 （b） 512；256；256；2 （c） 102410244；10241
3、024；10241024；4 3a 4c 5d 6c 7b 8.2 随机存取存储器（RAM） 自测练习自测练习 1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的，静态存储器 （SRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的。 2.为了不丢失信息，DRAM 必须定期进行（ ）操作。 3.半导体存储器按读、写功能可分成（ ）和（ ）两大类。 4.RAM 电路通常由（ ） 、 （ ）和（ ）三部分组成。 5.6116RAM 有（ ）根地址线， （ ）根数据线，其存储容量为（ ）位。 答案： 1栅极电容，触发器 2刷新 3只读存储器，读/写存储器 4地址译码，存储矩阵，读/写控制电路 511，8，2
4、K8 位 8.3 只读存储器（ROM） 自测练习自测练习 1ROM 可分为（ ） 、 （ ） 、 （ ）和（ ）几种类型。 4 2ROM 只读存储器的电路结构中包含（ ） 、 （ ）和（ ）共三个组 成部分。 3若将存储器的地址输入作为（ ） ，将数据输出作为（ ） ，则存储器可 实现组合逻辑电路的功能。 4掩膜 ROM 可实现的逻辑函数表达式形式是（ ） 。 528256 型 EEPROM 有（ ）根地址线， （ ）根数据线，其存储容量为 （ ）位，是以字节数据存储信息的。 6EPROM 是利用（ ）擦除数据的，EEPROM 是利用（ ）擦除数据的。 7 PROM/EPROM/EEPROM
5、分别代表（ ） 。 8一个 PROM/EPROM 能写入（ ） （许多，一）次程序。 9存储器 2732A 是一个（ ） （EPROM，RAM） 。 10在微机中，4 种存储类型为（ ） 。 答案： 1ROM，PROM，EPROM，EEPROM 2存储矩阵，地址译码，输出控制电路 3输入，输出 4标准与或形式（最小项表达式） 515，8，32K8 6紫外线，电 7可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器 8一次/许多 9EPROM 10寄存器，高速缓存，主存，外存 8.4 快闪存储器（Flash Memory） 自测练习自测练习 1非易失性存储器有（ ） 。 （a）
6、ROM 和 RAM （b）ROM 和闪存 （c）闪存和 RAM 22Flash Memory 的基本存储单元电路由（ ）构成，它是利用（ ）保 存信息，具有（ ）性的特点。 33Flash Memory 28F256 有（ ）和（ ）两种操作方式。 44从功能上看，闪存是（ ）存储器，从基本工作原理上看，闪存是 （ ）存储器。 5Flash28F256 有（ ）根地址线， （ ）根数据线，其存储容量为 （ ）位，编程操作是按字节编程的。 答案： 1b 2一个浮栅 MOS 管，浮栅上的电荷，非易失 3只读存储方式，读/写存储方式 4RAM，ROM 515，8，32K8 8.5 存储器的扩展 自测
7、练习自测练习 1 存储器的扩展有（ ）和（ ）两种方法。 22如果用 2K16 位的存储器构成 16K32 位的存储器，需要（ ）片。 （a） 4 （b） 8 （c） 16 3 用 4 片 2564 位的存储器可构成容量为（ ）位的存储器。 4 若将 4 片 6116 RAM 扩展成容量为 4K16 位的存储器，需要（ ）根地址线。 （a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）13 5 将多片 1K4 位的存储器扩展成 8K4 位的存储器是进行（ ）扩展 ； 若扩展成 1K 16 位的存储器是进行（ ）扩展。 6 的存储器有（）根数据线， （）根地址线，若该存储器的起始地址为 ， 则最高地
8、址为 （） ， 欲将该存储器扩展为的存储系统， 需要的存储器 （） 个。 答案： 1字扩展，位扩展 2C 325616/1K4 4C 5字，位 64，8，FF，8 8.6 可编程阵列逻辑 PAL8.6 可编程阵列逻辑 PAL 自测练习自测练习 6 1 PAL 的常用输出结构有（ ） 、 （ ） 、 （ ）和 （ ）4 种。 2 字母 PAL 代表（ ） 。 3 PAL 与 PROM、EPROM 之间的区别是（ ） 。 （a）PAL 的与阵列可充分利用 （b）PAL 可实现组合和时序逻辑电路 （c）PROM 和 EPROM 可实现任何形式的组合逻辑电路 4 具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵
9、列的 PLD 为（ ） 。 （a）PROM （b）PLA （c）PAL 5 一个三态缓冲器的三种输出状态为（ ） 。 （a）高电平、低电平、接地 （b）高电平、低电平、高阻态 （c）高电平、低电平、中间状态 6 查阅资料，确定下面各 PAL 器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。 （a）PAL12H6 （ ） （ ） （ ） （b）PAL20P8 （ ） （ ） （ ） （c）PAL16L8 （ ） （ ） （ ） 答案： 1输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构 2可编程阵列逻辑 3B 4C 5B 6 （a）12，6，高电平 （b）20，8，可编程极性输出 （c）16
10、，8，低电平 8.7 通用阵列逻辑 GAL 自测练习自测练习 1GAL 具有（ ） （a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑 （b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列 （c）一次性可编程与或阵列 （d）可编程的与或阵列 2GAL16V8 具有（ ）种工作模式。 3GAL16V8 在简单模式工作下有（ ）种不同的 OLMC 配置；在寄存器模式工作下有 （ ）种不同的 OLMC 配置；在复杂模式工作下有（ ）种不同的 OLMC 配置。 4GAL16V8 具有（ ） 。 （a）16 个专用输入和 8 个输出 （b）8 个专用输入和 8 个输出 （c）8 个专用输入和 8 个输入/
11、输出 （d）10 个专用输入和 8 个输出 5如果一个 GAL16V8 需要 10 个输入，那么，其输出端的个数最多是（ ） 。 （a）8 个 （b）6 个 （c）4 个 6若用 GAL16V8 的一个输出端来实现组合逻辑函数，那么此函数可以是（ ）与项之和 的表达式。 （a）16 个 （b）8 个 （c）10 个 7与、或、非、异或逻辑运算的 ABEL 表示法分别为（ ） 。 8逻辑表达式用 ABEL 语言描述时，应写为（ ） 。 答案： 1A 23 33，2，2 4B 专用输入，专用组合输出，复合输入/输出（I/O） ，寄存器组合 I/O，寄存器输出 5C 68 7B 8&，#，!，$ 9
12、A&B#A&!B#!A&B 8.8 CPLD、FPGA 和在系统编程技术简介 自测练习自测练习 1PLD 器件的设计一般可分为（ ） 、 （ ）和( )三个步骤以及 ( )、 ( ) 和( ) 三个设计验证过程. 2ISP 表示（ ） 。 （a）在系统编程的 （b）集成系统编程的 （c）集成硅片程序编制器 3CPLD 表示（ ） 。 （a）简单可编程逻辑阵列 （b）可编程交互连接阵列 （c）复杂可编程逻辑阵列 （d）现场可编程逻辑阵列 4FPGA 是（ ） 。 （a）快速可编程门阵列 （b）现场可编程门阵列 （c）文档可编程门阵列 （d）复杂可编程门阵列 5FPGA 是采用（ ）技术实现互连的
13、。 （）熔丝（）CMOS （）EECMOS （d）SRAM 8 6PLD 的开发需要有（ ）的支持。 （a）硬件和相应的开发软件 （b）硬件和专用的编程语言 （c）开发软件 （d）专用的编程语言 答案： 1设计输入，设计实现，编程，功能仿真，时序仿真，测试 2a 3c 4b 5d 6a 习题习题 8存储器有哪些分类？各有何特点？ 8ROM 和 RAM 的主要区别是什么？它们各适用于哪些场合？ 8静态存储器 SRAM 和动态存储器 DRAM 在电路结构和读写操作上有何不同？ 8Flash Memory 有何特点和用途？它和其它存储器比较有什么不同？ 8某台计算机系统的内存储器设置有 20 位的地
14、址线，16 位的并行输入/输出端，试 计算它的最大存储容量？ 8试用 4 片 2114（10244 位的 RAM）和 3-8 译码器组成 40964 位的存储器 8试用 4 片 2114RAM 连接成 2K8 位的存储器。 8PROM 实现的组合逻辑函数如图 P88 所示。 （1） 分析电路功能，说明当 ABC 取何值时，函数 F1=F2=1； （2） 当 ABC 取何值时，函数 F1=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1 F1 F2 A A B B C C 图图 P88 8用 PROM 实现全加器，画出阵列图，确定 PROM 的容量。 8 用 PROM 实现下列多输
15、出函数，画出阵列图。 F1=+ABD F2=+ F3=+ F4= 8 PAL 器件的结构有什么特点？ 8 描述 PAL 与 PROM、EPROM 之间的区别。 8 任何一个组合逻辑电路都可以用一个 PAL 来实现吗？为什么？ 8 选用适当的 PAL 器件设计一个 3 位二进制可逆计数器。当 X=0 时，实现加法计数 ； 当 X=1 时，实现减法计数。 8 为什么 GAL 能取代大多数的 PAL 器件？ 8 试用 GAL16V8 实现一个 8421 码十进制计数器。 习题解答：习题解答： 81 存储器有哪些分类？各有何特点？81 存储器有哪些分类？各有何特点？（基本题，第 1、2、3、4 节） 答：半导体存储器可分类为：R
